英飛凌科技推出業(yè)界首款基于TLVR的四相電源模塊，電流密度突破2A/mm2，面向下一代 AI 計算平臺。這款全新TDM24745T OptiMOS模塊將多個電源組件高度集成于緊湊尺寸，精準滿足 AI 數(shù)據(jù)中心日益提升的功率密度需求。

這一發(fā)布直指 AI 基礎(chǔ)設(shè)施的核心瓶頸 ——高效供電，也揭示了半導體廠商如何從系統(tǒng)層面解決規(guī)模化挑戰(zhàn)。

為 AI 負載提升電流密度

該模塊在9×10×5mm封裝內(nèi)集成 4 個功率級、1 個跨電感電壓調(diào)節(jié)器（TLVR）電感與去耦電容。高度集成設(shè)計使其電流密度超2A/mm2，同時支持橫向與縱向供電架構(gòu)。

英飛凌電源 IC 與連接事業(yè)部高級副總裁兼總經(jīng)理Athar Zaidi表示：“AI 負載正以前所未有的速度擴張，對高效、極致緊湊供電方案的需求達到空前高度。TDM24745T 重新定義了大電流穩(wěn)壓的可能性。我們將業(yè)界領(lǐng)先的電流密度與 TLVR 技術(shù)融入極小尺寸，幫助客戶釋放更多算力、降低能耗，并加速下一代 AI 數(shù)據(jù)中心落地。”

該模塊峰值電流可達320A，適用于大電流多處理器平臺與高端 AI 加速器。

TLVR 架構(gòu)提升效率與布局靈活性

英飛凌表示，TLVR 架構(gòu)可實現(xiàn)更快瞬態(tài)響應(yīng)，輸出電容需求最多降低50%，簡化系統(tǒng)設(shè)計。電容減少可直接節(jié)省 PCB 空間，讓設(shè)計師分配更多區(qū)域給計算資源。

借助OptiMOS?6 MOSFET、芯片嵌入式集成與專屬磁芯技術(shù)，模塊在散熱與效率上進一步優(yōu)化。搭配英飛凌數(shù)字多相控制器，可支持靈活可擴展的電源架構(gòu)，適配快速迭代的 AI 負載。TDM24745T 屬于英飛凌完整 AI 電源生態(tài)，覆蓋從電網(wǎng)到核心的全鏈路供電，結(jié)合硅、碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）技術(shù)，優(yōu)化數(shù)據(jù)中心效率與穩(wěn)定性。

對 AI 數(shù)據(jù)中心的系統(tǒng)級價值

隨著 AI 基礎(chǔ)設(shè)施持續(xù)擴容，供電已成為關(guān)鍵制約因素。英飛凌通過多功能高度集成與瞬態(tài)響應(yīng)優(yōu)化，旨在降低系統(tǒng)復(fù)雜度并改善總體擁有成本（TCO）。對系統(tǒng)設(shè)計師來說，更高電流密度、更少無源器件需求與更高效率，有助于加快部署進度，打造更高密度的算力架構(gòu)。