受惠光通訊產(chǎn)品需求爆發(fā)，全新光電、英特磊、穩(wěn)懋、環(huán)宇和宏捷科等臺系化合物半導(dǎo)體廠營運(yùn)動能看增，供應(yīng)鏈人士表示，磷化銦（InP）材料面臨基板短缺，AI數(shù)據(jù)中心需求強(qiáng)勁，亦加劇市場供不應(yīng)求的狀況，成為AI追求高速傳輸必須克服的供應(yīng)瓶頸。

NVIDIA于GTC 2026首度定調(diào)，隨著AI算力需求持續(xù)攀升，未來數(shù)據(jù)中心互連將同時需要更多銅纜、光通訊與共同光學(xué)封裝（CPO）產(chǎn)能，也就是明確拋出了「光銅并行」說法。 業(yè)界表示，目前市場主流的光模組技術(shù)為800G，未來也將朝向1.6T更高規(guī)格發(fā)展。

產(chǎn)業(yè)人士指出，隨著芯片運(yùn)算速度提高，AI數(shù)據(jù)中心發(fā)展最大的瓶頸是傳輸速度，磷化銦（InP）除了電子流動速度快，更適合高頻應(yīng)用，耐熱特性也能在高溫環(huán)境下展現(xiàn)較好的穩(wěn)定度和調(diào)控效率，幾乎成為唯一的材料選擇。

不過，現(xiàn)在既有舊數(shù)據(jù)中心汰換需求，新建的AI數(shù)據(jù)中心投資規(guī)模也擴(kuò)大，帶動光通訊元件的需求增加很多，原廠產(chǎn)能無法立即跟上，加上InP基板短缺問題未全面解決，市場仍處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。

化合物半導(dǎo)體廠商表示，全世界最大的InP基板供應(yīng)商是日本Sumitomo、以及生產(chǎn)基地在中國的美國AXT，德國Freiberger也有供應(yīng)，另也有法國和日本供應(yīng)商在產(chǎn)量上有突破，但由于InP生產(chǎn)機(jī)臺要可以抗3倍的大氣壓力，日本規(guī)定生產(chǎn)相關(guān)產(chǎn)品的驗(yàn)證時間需18個月，因此供給端的產(chǎn)能紓解，仍須一段時間。

英特磊董事長高永中日前則表示，受到中國出口管制影響，2025年下半遇到基板短缺問題，InP磊晶比例稍微下滑，公司已采取由部分客戶提供基板材料，截至2025年第4季客戶提供基板材料占比低于20%，2026年可能超過30%。

光模組主要由發(fā)射和接收端組成，英特磊表示，InP 200G PIN接收組件將為2026年成長主力，并開發(fā)200G面射型激光（VCSEL）磊晶片，以及發(fā)展量子點(diǎn)激光磊芯片，目前光通訊產(chǎn)品占比51.8%，已高于電子產(chǎn)品。

環(huán)宇在接收和發(fā)射端皆有布局，2026年將量產(chǎn)200G PD和CW Laser產(chǎn)品，其中70mW CW Laser則已完成認(rèn)證，準(zhǔn)備開始量產(chǎn)，大客戶的200G PD則預(yù)計(jì)第2季進(jìn)入量產(chǎn)。

穩(wěn)懋先前在法說會上表示，PD、CW DFB和EML等產(chǎn)品，已進(jìn)入驗(yàn)證階段，因驗(yàn)證時間差異，接收端有機(jī)會在2026年貢獻(xiàn)營收。