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英飛凌CoolSiC碳化硅MOSFET獲豐田bZ4X車型采用

英飛凌宣布，其碳化硅功率半導體器件被豐田新款純電動車型 bZ4X 選用，旗下 CoolSiC 碳化硅 MOSFET 將應用于該車的車載充電器（OBC）與直流 - 直流轉換器（DC/DC）中。對于歐洲電子工程新聞網的讀者而...

英飛凌 CoolSiC 2026-02-11

英飛凌推出帶光耦仿真輸入的隔離式柵極驅動IC，加速SiC方案設計

英飛凌（Infineon）近日推出了其首款采用光耦仿真（opto-emulator），旨在簡化從傳統基于光耦的控制方案向新一代碳化硅（SiC）功率級的遷移。據官方新聞稿介紹，新型 EiceDRIVER? 1ED...

英飛凌 IC 2026-02-10

安森美T2PAK封裝：破局熱管理瓶頸重構高功率生態

在電動汽車、光伏儲能、AI數據中心等領域迎來功率需求爆發式增長的當下，熱管理已成為制約電源產品功率密度與效率提升的核心瓶頸。傳統封裝方案往往在散熱性能與開關特性之間難以兼顧，行業迫切需要兼具創新結構與卓越性能的解決方案。...

202601 MOSFET 2026-02-03

柵極氧化層在SiC MOSFET設計中的重要作用

碳化硅功率半導體在光伏、充電、電動汽車等行業得到了廣泛應用，其潛力毋庸置疑。然而，從當前高功率碳化硅MOSFET來看，仍存在一個難題：即如何實現平衡性能、魯棒性、可靠性和易用性的設計。比導通電阻是衡量SiC MOSFET...

英飛凌 MOSFET 2026-01-27

碳化硅何以英飛凌？—— SiC MOSFET性能評價的真相

在碳化硅（SiC）技術的應用中，許多工程師對SiC的性能評價存在誤解，尤其是關于“單位面積導通電阻（Rsp）”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章，本文將繼續為您揭開這些誤區的真相（誤區一見：碳化硅何...

英飛凌碳化硅 2026-01-27

SiC為電動汽車的高壓逆變器功率模塊

汽車零部件供應商舍弗勒已啟動新款高壓逆變器功率模塊的量產工作。該模塊采用羅姆的碳化硅功率場效應晶體管裸片，是雙方戰略合作的重要成果。這款逆變器組件也被稱為功率模塊（brick），是電動汽車牽引逆變器的核心功率單元，其功能...

SiC 電動汽車 2026-01-27

功率電路進階教程：SiC JFET 如何實現熱插拔控制

本教程聚焦SiC JFET 在固態斷路器中的應用，核心內容包括三大板塊，闡釋 SiC JFET 的關鍵特性、系統說明 SiC JFET 如何推動電路保護系統取得重大進步、通過評估和測試結果展示產品性能。我們已介紹過...

安森美功率電路 2026-01-19

功率電路進階教程：固態斷路器采用SiC JFET的四個理由

本教程聚焦SiC JFET 在固態斷路器中的應用，核心內容包括三大板塊，闡釋 SiC JFET 的關鍵特性、系統說明 SiC JFET 如何推動電路保護系統取得重大進步、通過評估和測試結果展示產品性能。我們已介紹過浪涌電...

安森美功率電路 2026-01-19

聚焦固態斷路器核心：安森美SiC JFET特性深度解讀

輸配電系統與各類靈敏用電設備的安全運行，離不開對長時間過載與瞬態短路故障的妥善防護。這些風險若未及時管控，輕則導致設備損壞，重則引發系統癱瘓。隨著電力系統電壓等級持續提升、電動汽車高壓化趨勢加劇，電路中可能出現的最大故障...

安森美固態斷路器 2026-01-19

Melexis硅基RC緩沖器獲利普思選用，攜手開啟汽車與工業能源管理技術新征程

全球微電子工程公司Melexis近日宣布，其創新的MLX91299硅基RC緩沖器已被全球先進的功率半導體模塊制造商利普思（Leapers）選用，將其集成于新一代功率模塊中。此次合作標志著雙方在技術創新與系統優化上的深度融...

Melexis 邁來芯 2026-01-13

onsemi 與 FORVIA HELLA 在汽車動力 MOSFET 領域進一步展開合作

Onsemi與FORVIA HELLA延續了長期的戰略合作，正式簽署了一項專注于下一代汽車動力MOSFET技術的新長期協議。該交易重點在于將Onsemi的PowerTrench T10 MOSFET應用于FORVIA H...

Onsemi FORVIA HELLA 2026-01-04

英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業CoolSiC MOSFET 650V G2，實現更高的功率密度

簡介CoolSiC MOSFET G2 溝槽式 MOSFET 發揮碳化硅的性能優勢，通過降低能量損耗來提高功率轉換過程中的效率。將 SiC 性能提升到一個新水平，同時滿足所有常見電源方案組合的最高質量標準： AC-DC、...

英飛凌 CoolSiC MOSFET 650V G2 2025-12-29

英飛凌OptiMOS 6 80V MOSFET樹立領先AI服務器平臺DC-DC功率轉換效率新標準

簡介英飛凌OptiMOS? 6 80 V——最新的功率MOSFET技術，通過廣泛的產品組合設定了新的行業基準性能，包括PQFN 3.3x3.3，SuperSO8、雙面散熱PQFN 5x6 以及源極向下 PQFN 3.3x...

英飛凌 OptiMOS 6 2025-12-24

MOSFET失效分析

MOSFET 是芯片的基本單元，MOSFET是為了實現數字電路中0和1的開關，他有三個電極，源極、柵極和漏極，簡化模型如下圖...

MOSFET 雪崩失效 2025-12-24

SiC市場發展周期修正

Power SiC市場持續轉型。繼2019年至2024年間前所未有的投資浪潮后，Yole Group表示，行業現正進入調整周期。汽車市場放緩導致硅碳需求下降，硅碳供應鏈發生了轉變。利用率下降、產能過剩和投資減...

SiC yole 2025-12-23

ROHM車載40V/60V MOSFET產品陣容中新增高可靠性小型新封裝產品

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日宣布，適用于主驅逆變器控制電路、電動泵、LED前照燈等應用的車載低耐壓（40V/60V）MOSFET產品陣容中，又新增HPLF5060（4.9mm×6.0mm）封裝產...

ROHM MOSFET 2025-12-18

Boost電路的工作過程

Boost電源電路是一種DC-DC升壓電路，能夠將低電壓升高到較高電壓。其基本原理是利用電感儲能和電容儲能的方式，通過開關管的開關控制，將輸入電壓進行短時間內的變化，從而使輸出電壓得到升壓。通過調整開關管的開關頻率和占空...

Boost電路工作過程 2025-12-09

全硅RC緩沖器，用于碳化硅MOSFET

Melexis正在制造全硅RC緩沖器，用于集成在碳化硅動力模塊中。目前正在向潛在客戶采樣，所有零件將是新零件編號“MLX91299”的變體，并以裸芯片形式交付，準備與電源模塊內的MOSFET和二極管芯片進行頂部線連接。反...

全硅 RC 緩沖器碳化硅 MOSFET 2025-12-01

硅質原材料價格上漲，而6英寸基材則引發價格戰

截至2025年11月，碳化硅（SiC）市場正處于價值重新評估和結構分歧的關鍵階段。在價格方面，低端散裝硅碳材料因成本失控而價格上漲，而主流6英寸硅碳基材在供應過剩下持續暴跌。然而，在應用方面，SiC卓越的導熱率使其成為英...

硅質原材料 6英寸 2025-11-26

iDEAL Semiconductor以SuperQ? MOSFET為高壓電池設定新安全標準

?iDEAL Semiconductor, 是高效能功率硅的領導者，今天宣布推出其 SuperQ? MOSFET 技術，專門設計用來解決高壓（72V 及更高）電池管理系統（BMS）中關鍵的安全與效率權衡問題。此新平臺為 ...

iDEAL MOSFET 2025-11-21

內阻很小的MOS管為什么會發熱？

Source、Drain、Gate分別對應場效應管的三極：源極S、漏極D、柵極G（里這不講柵極GOX擊穿，只針對漏極電壓擊穿）。一、MOSFET的擊穿有哪幾種？? ? ? ? ?先講測試條件，都是源柵襯底都是接地，然后掃...

MOS管 MOSFET 2025-11-19

PCIM2025論文摘要 | 400V SiC MOSFET助力服務器和人工智能電源實現更高的效率和功率密度

內容摘要400V SiC MOSFET技術可以實現更低的開關損耗和導通損耗。簡要介紹了該器件的概念和特性。在用于服務器應用的電源(PSU)中對其優勢進行了研究，該電源在176V-265V交流輸入和50V輸出電壓下可提供3...

英飛凌 MOSFET 2025-11-14

安森美已完成獲得奧拉半導體Vcore電源技術授權

安森美(onsemi) 宣布已與奧拉半導體（Aura Semiconductor）完成Vcore電源技術及相關知識產權（IP）的授權交易。此項戰略交易增強了安森美的電源管理產品組合與路線圖，加速實現公司在人工智能（AI）...

安森美奧拉 2025-11-05

英飛凌擴展其CoolSiC?產品系列，推出專為高功率與計算密集型應用而設計的400V和440V MOSFET

全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司通過增加頂部散熱（TSC）的TOLT封裝及TO-247-3和TO-247-4封裝擴展其CoolSiC? 400V G2 MOSFET產品組合。此外，英飛凌還推出了三...

英飛凌 CoolSiC 2025-10-26

英飛凌推出針對工業與消費類應用優化的OptiMOS? 7功率MOSFET

各行業高功耗應用的快速增長對功率電子技術提出了更高的要求，包括功率密度、效率和可靠性等。分立式功率MOSFET在這方面發揮著關鍵作用，而針對應用優化的設計思路為進一步提升已高度成熟的MOSFET技術帶來了新的可能性。通過...

英飛凌 MOSFET 2025-10-23

英飛凌推出采用TO-247PLUS-4回流焊封裝的CoolSiC? MOSFET 1400V G2系列

電動汽車充電、電池儲能系統，以及商用、工程和農用車輛（CAV）等大功率應用場景，正推動市場對更高系統級功率密度與效率的需求，以滿足日益提升的性能預期。同時，這些需求也帶來了新的設計挑戰，例如，如何在嚴苛環境條件下實現可靠...

英飛凌 MOSFET 2025-10-20

體積更小且支持大功率！ROHM開始量產TOLL封裝的SiC MOSFET

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，已開始量產TOLL（TO-LeadLess）封裝的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列產品。與同等耐壓和導通電阻的以往封裝產品（TO-263-7L）...

ROHM SiC MOSFET 2025-10-17

英飛凌與羅姆攜手推進SiC功率器件封裝兼容性，為客戶帶來更高靈活度

●? ?英飛凌與羅姆簽署諒解備忘錄，約定互為采用特定碳化硅（SiC）半導體產品的客戶提供第二供應商支持●? ?未來，客戶可在英飛凌與羅姆各自的對應產品間輕松切換，從而提升設計與采購的靈活性●? ?此類產品能提高汽車車載充...

英飛凌羅姆 2025-09-26

羅姆與英飛凌攜手推進SiC功率器件封裝兼容性

全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）近日宣布，與英飛凌科技股份公司（總部位于德國諾伊比貝格，以下簡稱“英飛凌”）就建立SiC功率器件封裝合作機制簽署了備忘錄。雙方旨在對應用于車載充電器、太陽能發電、儲能系統及A...

羅姆英飛凌 2025-09-25

175℃極限突破！SiC JFET 讓固態斷路器（SSCB）無懼高溫工況

斷路器是一種用于保護電路免受過流、過載及短路損害的裝置。它不用于保護人員免受電擊，而用于防范此類電擊的裝置被稱為剩余電流裝置（RCD）或接地故障斷路器（GFCI）。該裝置可檢測泄漏電流并切斷電路。機電式斷路器的設計可...

安森美 SiC 2025-09-24

SiC推動電動汽車向800V架構轉型，細數安森美的核心SiC方案

隨著電動汽車(EV)逐漸成為主流，人們對電動汽車的性能、充電時間和續航里程的期望持續攀升。要滿足這些需求，不僅需要在用戶界面層面進行創新，更要深入動力系統架構展開革新。而推動這一演進的關鍵趨勢之一，便是電池系統從400V...

安森美 SiC 2025-09-24

韓國在釜山啟動首個8英寸碳化硅工廠，年產量預計達3萬片晶圓

碳化硅（SiC）在耐高溫、耐電壓和電力效率方面優于傳統硅，全球領導者如英飛凌和 Wolfspeed 正在爭先。現在，韓國也加大了力度——Maeil 商業報紙報道，釜山已開啟了韓國首個 8 英寸碳化硅功率半導體工廠。據報道...

碳化硅 MOSFET 2025-09-18

SiC和GaN技術重塑電力電子行業前景

電力電子行業將進入增長的最后階段，預計到 2025 年評估市場價值將達到 517.3 億美元，到 2030 年將達到 674.2 億美元。5.4% 的穩定復合年增長率源于對能源效率、可再生能源集成和半導體先進技術的需求穩...

SiC GaN 2025-09-15

iDEAL推出具有行業領先性價比的200 V SuperQ? MOSFET系列

?iDEAL半導體近日宣布，其200 V SuperQ? MOSFET系列中的首款產品已進入量產階段，另外四款200 V器件現已提供樣品。SuperQ是硅MOSFET技術在超過25年來的首次重大進步，突破了長期存在的開關...

iDEAL MOSFET 2025-09-05

英飛凌OptiMOS? 6產品組合新增TOLL、TOLG和TOLT封裝的150V MOSFET

隨著全球汽車行業電氣化進程的加速，市場對高效、緊湊且可靠的功率系統的需求持續增長——不僅乘用車領域如此，電動兩輪車領域亦是如此。這些車輛需要特殊的系統支持，例如xEV上的高壓-低壓DC/DC轉換器和電動兩輪車上的牽引逆變...

英飛凌 MOSFET 2025-09-05

iDEAL 半導體宣布推出基于 SuperQ?的 200V MOSFET 系列，具有行業領先的成本×性能

iDEAL 半導體宣布其首批基于 SuperQ?的 200V MOSFET 已進入量產階段，另外還有四個 200V 器件正在進行樣品測試。SuperQ 是過去 25 年來硅 MOSFET 技術的第一個重大進步，突破了長期...

MOSFET 選型MOS 2025-09-04

東芝推出采用TOLL封裝的第3代650V SiC MOSFET

中國上海，2025年8月28日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產品配備...

東芝 SiC MOSFET 2025-08-28

東芝與天岳先進達成SiC功率半導體襯底合作協議

據“天岳先進”官方微信公眾號消息，8月22日，東芝電子元件及存儲裝置株式會社（以下簡稱“東芝電子元件”）與山東天岳先進科技股份有限公司（以下簡稱“天岳先進”）就SiC功率半導體用襯底達成基本合作協議。雙方將在技術協作與商...

東芝天岳先進 2025-08-26

SiC MOSFET 界面陷阱檢測升級：Force-I QSCV 方法詳解

電容-電壓 (C-V) 測量廣泛用于半導體材料和器件表征，可提取氧化物電荷、界面陷阱、摻雜分布、平帶電壓等關鍵參數。傳統基于 SMU 施加電壓并測量電流的準靜態方法適用于硅 MOS，但在?SiC MOS 器件上因電容更大...

202509 SiC MOSFET 2025-08-22

1200V全垂直硅基氮化鎵MOSFET

山東大學和華為技術有限公司在中國使用氟（F）離子注入端接（FIT）在全垂直氮化鎵（GaN）硅基硅（Si）溝槽金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）中實現了1200V擊穿性能[Yuchuan 馬等人，IEEE Ele...

1200V 全垂直 2025-08-13