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2026年MOSFET廠家推薦

2026年MOSFET廠家推薦：聚焦技術實力與解決方案在功率電子設計領域，MOSFET的選擇是決定產品效率、可靠性和成本的關鍵。隨著2026年市場對能源效率、功率密度和智能化要求的進一步提高，工程師面臨的選型挑戰也日益復...

MOSFET MOS管 2026-02-09

MOSFET開關速度不夠導致功率損失及解決方案

MOSFET（場效應晶體管）廣泛應用于現代電子電路，特別是在高效電力電子和開關電源設計中。其高速開關特性使其在很多高頻應用中成為理想的選擇。然而，在某些應用中，由于MOSFET開關速度不足，可能導致功率損失增大，進而影響...

MOSFET 2026-01-04

功率MOS管過熱問題診斷與散熱優化方案

一、MOS管概述MOS管，全稱金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是現代電子電路的核心功率器件。其輸入阻抗可達1012Ω...

MOS管 MOSFET 2025-12-16

MOS管技術詳解與選型應用指南

一、MOS管概述MOS管，全稱金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是現代電子電路的核心功率器件。其通過柵極電壓控制源極與...

MOS管 MOSFET 2025-12-15

MOS管短路保護電路設計實戰解析-ASIM阿賽姆

一、保護電路核心架構主流方案采用MOS管與三極管組合結構。三極管作為檢測元件，當電流異常時快速調整MOS管柵源電壓，形成動態限流機制。該架構響應時間可達毫秒級，在調光器應用中可有效防止燈泡爆裂。二、設計要點與參數計算2....

MOS管 MOSFET 2025-11-29

MOSFET柵極電壓異常或失控的原因與對策

在功率電子系統中，MOSFET 以其高開關速度和低導通損耗而被廣泛應用于電源管理、馬達驅動及DC-DC轉換等領域。然而，FAE在現場調試和失效分析中發現，柵極電壓異常或失控是造成MOSFET失效的常見原因之一。柵極作為控...

MOSFET 2025-10-23

是德示波器如何精準測量第三代半導體SiC的動態特性

第三代半導體材料SiC（碳化硅）憑借其高擊穿電壓、低導通電阻、耐高溫等特性，在新能源汽車、工業電源、軌道交通等領域展現出顯著優勢。然而，SiC器件的高頻開關特性也帶來了動態測試的挑戰：開關速度可達納秒級，電壓電流變化率（...

是德示波器精準測量 2025-04-21

MOSFET選型技巧一

MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管）是電子電路中常用的關鍵器件，尤其在開關電源、電機驅動等領域應用廣泛。對于初學者會遇到不知如何識別G DS極和電路連接錯誤的問題。掌握 MOSFET 的使用技巧，首先要從電路圖...

MOSFET leiditech 2025-03-19

自有SiC Mos已批量應用于主驅，產能達9000片/月

8月19日晚，功率半導體IDM龍頭士蘭微(600460)發布半年度業績報告，2024年上半年營業收入約52.74億元，同比增加17.83%，創出歷史同期新高。公司營業利潤為 14,743 萬元，比 2023 年同期增加虧...

SiC Mos 2024-08-21

技術 | SiC襯底和外延材料對MOSFET器件特性的影響

參考文獻：白志強，4H-SiC功率MOSFETs的可靠性研究【D】，西安電子科技大學，2023三角形缺陷三角形缺陷是SiC外延層中最為致命的一類形貌缺陷，已有大量的文獻報道表明三角形缺陷的形成與3C晶型有關。然而由于生長...

MOSFET 2024-03-09

詳解大功率電源中MOSFET功耗的計算

功率MOSFET是便攜式設備中大功率開關電源的主要組成部分。此外，對于散熱量極低的筆記本電腦來說，這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟，并通過多相、同步整流、降壓型CP...

大功率電源 MOSFET 2023-11-17

盤點國內SiC碳化硅襯底公司

SiC碳化硅是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導體材料，是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。在碳化硅產業鏈中，碳化硅襯底制造是碳化硅產業鏈技術壁壘最高、價值量最大的環節，是未來碳化硅大規模產業...

SiC 2023-10-28

英飛凌確認：兩家中國SiC供應商獲車規認證并大規模出貨

導讀：9月4日，英飛凌德國總部向DIGITIMES證實，已經提前完成來自中國兩家碳化硅（SiC）材料供應商天岳先進（SICC）、天科合達（TankeBlue）的車規認證，而且已向全球客戶出貨。圖：英飛凌5月，芯片大師曾報...

SiC 2023-09-08

東芝推出用于工業設備的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低開關損耗的4引腳封裝

2023年8月31日--東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用有助于降低開關損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產品采用東芝最...

東芝 MOSFET 2023-08-31

【資訊】全球SiC晶圓競爭，進入白熱化

來源：半導體行業觀察隨著英飛凌和 Wolfspeed 爭奪全球最大碳化硅晶圓廠的稱號，全球芯片制造商正在快速采取行動，確保碳化硅功率器件的供應。Onsemi 和 Rohm 也希望通過巨額預付款來提高 SiC 器件的產量，...

SiC 2023-08-09

英飛凌推出TO263-7封裝的新一代1200 V CoolSiC溝槽式MOSFET

英飛凌推出采用TO263-7封裝的新一代車規級1200 V CoolSiC MOSFET。這款新一代車規級碳化矽（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能夠實現雙向充電功能，并顯著降低了車載充電（OBC）和DC-DC...

MOSFET 英飛凌 2023-08-03

ROHM 1200V IGBT成功導入SEMIKRON-Danfoss功率模塊

ROHM Co., Ltd. 常務執行董事CFO伊野和英（左）與SEMIKRON-Danfoss CEO Claus A. Petersen（右）。ROHM SEMIKRON-Danfoss...

ROHM SEMIKRON 2023-05-09

國際領先！新一代SIC晶體生長用材料

半導體產業網訊：隨著導電型SIC襯底的逐漸量產，對工藝的穩定性、可重復性都提出更高的要求。特別是缺陷的控制，爐內熱場微小的調整或漂移，都會帶來晶體的變化或缺陷的增加。后期，更要面臨“長快、長厚、長大”的挑戰，除了理論和工...

多孔碳化鉭 SIC 2023-04-28

SiC MOSFET——降低功率損耗，邁向碳中和

功率器件的興起帶動了電力電子產業的全面革命，功率半導體器件作為電力電子設備的關鍵組成部分，直接影響著這些電力電子設備的成本和效率。電力電子未來發展的趨勢之一是使用更高的開關頻率以獲得更緊密的系統設計，在高開關頻率高功率的...

SiC MOSFET 2023-04-27

東芝SiC MOSFET為您開啟電源新大門

要說半導體圈子現在啥最熱，非第三代半導體莫屬，以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的寬禁帶半導體技術將成為未來半導體發展的新熱點，而這些材料為基材的半導體器件主要應用于和功率及能源相關的技術領域，“碳中和”目標的實...

東芝 SiC 2023-04-27

如何避免MOSFET常見問題和失效模式

前些時分享了東芝的《MOSFET柵極驅動電路應用說明》的文檔，今天再給兄弟們分享一個infineon的文檔《使用功率MOSFET進行設計，如何避免常見問題和故障模式》，依然是我覺得比較好的。原文檔的鏈接如下：https:...

MOSFET 2023-04-25

買買買成就的SiC巨頭

來源：半導體行業觀察在21世紀初，隨著電動汽車、太陽能電池等新能源行業的迅速崛起，半導體材料SiC因其高溫、高壓、高頻等優異性能成為備受關注的研究熱點。而在這個領域，全球范圍內一些大型的SiC巨頭公司開始快速崛起，并通過...

SiC 2023-03-16

MOSFET柵極驅動電路應用說明

最近看到一個東芝的MOSFET的文檔，看了下，還不錯，就把內容復制出來了，分享給大家看下，原文檔下載鏈接是這個：https://max.book118.com/html/2019/0604/501414430100204...

MOSFET 柵極驅動 2023-02-28

政策持續推動需求爆發，SiC在充電樁市場大有可為旺材芯片

來源：碳化硅芯觀察電動汽車發展正步入高速增長階段。2023年開年，行業研究機構伊維經濟研究院發布數據稱，2022年，全球新能源汽車銷量達到1082.4萬輛，同比增長61.6%。其中，全球汽車銷量的主要貢獻來自中國。202...

SiC 2023-02-17

SiC，將拿下30%的功率器件市場

來源：內容來自半導體芯聞（ID:MooreNEWS）綜合，謝謝。據Yole介紹，在未來 5 年內，SiC 功率器件將很快占據整個功率器件市場的 30%。毫無疑問，SiC 行業（從晶體到模塊，包括器件）的增長率非常高。Yo...

SiC 2023-02-17

光電耦合器和MOSFET之間的差異

光電耦合器和MOSFET之間的差異介紹光電耦合器/光耦合器和固態繼電器（光電MOSFET或光耦MOSFET（OCMOS FET））在保持電隔離的同時傳輸信號，但存在一些重要差異。結構差異下圖顯示了光電耦合器和OCMOS ...

光電耦合器 MOSFET 2023-02-01

今年會是SiC半導體和功率模組元年嗎？

來源：國際電子商情近來的新發展則是芯片制造商如何從開發、制造到封裝整合SiC供應鏈。隨著對于先進SiC解決方案的需求不斷增加，特別是在汽車市場，一個新的端對端垂直整合供應鏈正在迅速地形成。碳化硅(SiC)半導...

SIC 2023-01-30

羅姆的第4代SiC MOSFET成功應用于日立安斯泰莫的純電動汽車逆變器

從2025年起將向全球電動汽車供貨，助力延長續航里程和系統的小型化全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）的第4代SiC MOSFET和柵極驅動器IC已被日本先進的汽車零部件制造商日立安斯泰莫株式會社（以下簡稱“日...

電動汽車 sic 2022-12-28

又一SiC相關企業上市，市值超270億！

來源：網絡12月16日，燕東微在上海證券交易所科創板上市，發行價格21.98元/股，發行市盈率為68.39倍。截至成文，燕東微上漲3.64%，報22.78元/股，總市值272.9億元。Source：同花順燕東微是一家集芯...

SiC 2022-12-18

如何使用 LTspice 仿真 SiC MOSFET：良好驅動器的重要性

碳化硅 (SiC) 是一種日益重要的半導體材料，未來它肯定會取代硅用于大功率應用。為了更好地管理 SiC 器件，有必要創建一個足夠的驅動程序，以保證其清晰的激活或停用。通常，要關閉它，“柵極”和“源極”之間需要大約 20...

MOSFET LTspice 2022-11-10

MOSFET選型10步法則

俗話說“人無遠慮必有近憂”，對于電子設計工程師，在項目開始之前，器件選型之初，就要做好充分考慮，選擇最適合自己需要的器件，才能保證項目的成功。功率MOSFET恐怕是工程師們最常用的器件之一了，但你知道嗎？關于MOSFET...

MOSFET 法則 2022-10-27

鴻海9月開始量產1200V SiC MOSFET，并已啟動8吋SiC晶體開發

10月19日消息，在昨日舉行的2022年度鴻海科技日（HHTD22）上，鴻海科技在發布全新電動汽車的同時，也展示了其面向電動汽車的第三代半導體碳化硅（SiC）器件研發成果，不僅已具備量產SiC MOSFET的能力，還啟動...

SiC 2022-10-23

MOSFET結構及其工作原理詳解

MOSFET基本概述 &n...

MOSFET MOS管 2022-10-21

MOSFET選型10步法則

MOSFET 2022-10-16

SiC-MOSFET特征及與Si-MOSFET、IGBT的區別

來源：techclass.rohm功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現低損耗與應用尺寸小型化，一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導體的優勢前面已經介紹過，如低損耗、高速開關、高溫工作等，顯而易見這些優勢...

Si-MOSFET 2022-07-17

SiC已成汽車新賣點，未來5年價格有望降至IGBT 3倍以內

來源：愛集微APP翠展微電子內部人士認為，“SiC的材料性能比Si基更好，要等它的成本下降到足夠低的時候才會普及，我們預計，SiC的成本下降至Si基成本的2倍左右，整個系統的成本也會降下來。”作者｜Andy ...

SiC 2022-07-04

半導體材料與工藝：SiC晶體生長進入「電阻爐」時代！

2022年6月恒普科技推出新一代2.0版SiC電阻晶體生長爐，本次量產推出的爐型是基于恒普上一代6、8英寸電阻爐的全新版本，積極對應市場對SiC電阻晶體生長爐的行業需求。國內SiC晶體生長爐幾乎都是采用感應發熱的方式，感...

SIC 2022-06-19

How SiC is Shifting the Future of EV

來源：旺材芯片傳統的電力電子系統，多由硅（Si）為基礎的半導體元件構成，其中硅基MOEFST以及IGBT應用最廣泛。兩種器件有各自的優缺點，只能高效的應用與各自的特定領域。隨著業界對功率，效率以及環境壓力的進一步追求，...

SiC 2022-05-27

哈爾濱理工大學蔡蔚教授團隊研究成果：SiC 功率模塊封裝技術及展望

碳化硅模塊封裝的主要問題近幾十年來，以新發展起來的第3代寬禁帶功率半導體材料碳化硅（SiC）為基礎的功率半導體器件，憑借其優異的性能備受人們關注。SiC與第1代半導體材料硅（Si）、鍺（Ge）和第2代半導體材料砷化鎵（G...

SiC 2022-05-18

MOSFET 安全工作區域 SOA是什么

如果您想知道或擔心您的 MOSFET 在極端條件下或極端耗散情況下究竟能承受多少功率，那么您應該查看器件的 SOA 數據。在這篇文章中，我們將全面討論 MOSFET 數據表中顯示的安全工作區域 SOA。SOA曲線圖以下是...

MOSFET ;SOA 2022-05-06