Power SiC市場持續(xù)轉(zhuǎn)型。繼2019年至2024年間前所未有的投資浪潮后，Yole Group表示，行業(yè)現(xiàn)正進入調(diào)整周期。

汽車市場放緩導致硅碳需求下降，硅碳供應鏈發(fā)生了轉(zhuǎn)變。 

利用率下降、產(chǎn)能過剩和投資減少的循環(huán)引發(fā)了行業(yè)參與者的擔憂。盡管放緩，SiC仍是電氣化路線圖的核心，預計到2030年設備收入將接近100億美元。

行業(yè)首個重大投資周期由2019-2024年資本支出熱潮推動，造成了顯著的上游產(chǎn)能過剩。

設備資本支出在2023年達到約30億美元的峰值，導致上游硅碳價值鏈出現(xiàn)顯著產(chǎn)能過剩。2025年，上游利用率降至約50%，設備處理約70%。

中國目前是該地區(qū)最大的資本支出份額。

預計這一下滑將持續(xù)到2027–2028年，屆時8英寸生產(chǎn)平臺和下一代溝槽和超結(jié)MOSFET將帶來新的增長。

“SiC已進入必要的糾正階段，”Yole的Taguhi Yeghoyan說?！笆聦嵣?，經(jīng)過五年的大規(guī)模投資，市場必須吸收產(chǎn)能，才能推動下一次擴張?！?/p>

許多新設備資本支出集中在中國大陸，政府的戰(zhàn)略鼓勵本地采購設備。 

截至2024年，中國企業(yè)已占據(jù)約40%的硅晶硅和外晶圓產(chǎn)能，并正迅速擴展器件制造領(lǐng)域。 

雖然設備生態(tài)系統(tǒng)尚未完全自給自足，但國內(nèi)供應商在PVT和HTCVD工具領(lǐng)域取得了顯著進展。

葉霍揚補充道：“中國在硅晶前端能力上迅速趕上，”本地廠商現(xiàn)在在硅晶體生長和外延技術(shù)上正面競爭，盡管國際企業(yè)在稀釋、計量和先進離子植入方面仍保持領(lǐng)先地位。”

PVT（物理蒸汽傳輸）：已建立成熟生態(tài)系統(tǒng)，具備8英寸能力。由Naura領(lǐng)導的開放式私人設備市場預計將大幅收縮，隨后穩(wěn)定下來，2024年至2030年復合年增長率約為-11%。

外延（HTCVD）：歐洲運營商ASM International和AIXTRON領(lǐng)先，其次是NuFlare和TEL。中國廠商Naura、JSG和NASO科技正在積極擴張。

WFE工具：要求針對SiC進行特定適配，用于刻蝕、CMP、離子植入和檢測。市場將在2030年前保持約-7%的復合年增長率，這得益于現(xiàn)有裝機基礎(chǔ)的升級。

燒機系統(tǒng)的過剩產(chǎn)能抵消了測試相關(guān)設備的整體增長，導致復合年增長率僅為3%。

盡管經(jīng)濟低迷，IDM仍持續(xù)在200毫米硅碳容量和先進MOSFET架構(gòu)上進行戰(zhàn)略投資，保持全球領(lǐng)先地位，同時中國國內(nèi)生態(tài)系統(tǒng)逐漸增強。

Yole的Poshun Chiu表示：“經(jīng)過一段加速擴張期，電力硅片行業(yè)正在重新校準，短期放緩掩蓋了向200毫米產(chǎn)量、本地化供應鏈和新設備架構(gòu)轉(zhuǎn)型的長期轉(zhuǎn)變，這些都將定義下一個增長周期。