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FRAM存儲器

　　FRAM是由美國 Ramtron公司生產(chǎn)的非易失性鐵電介質(zhì)讀寫存儲器。 其核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這一特殊材料使得鐵電存貯產(chǎn)品同時擁有隨機存儲器(RAM) 和非易失性存儲器的特性。　　● 采用2048×8位存儲結(jié)構(gòu)；　　● 讀寫次數(shù)高達(dá)1百億次；　　● 在溫度為55℃時，10年數(shù)據(jù)保存能力；　　● 無延時寫入數(shù)據(jù)；　　● 先進(jìn)的高可靠性鐵電存儲方式；　　● 連接方式為高速串行接口（SPI）總線方式，且具有SPI方式0和3兩種方式；　　● 總線頻率高達(dá)5MHz；　　● 硬件上可直接取代EEPROM；　　● 具有先進(jìn)的寫保護(hù)設(shè)計，包括硬件保護(hù)和軟件保護(hù)雙重保護(hù)功能；　　● 低功耗，待機電流僅為10μA；　　● 采用單電源+5V供電；　　● 工業(yè)溫度范圍：-40℃至+85℃；　　● 采用8腳SOP 或DIP封裝形式；　　基于以上特點， FRAM存儲器非常適用于非易失性且需要頻繁快速存儲數(shù)據(jù)的場合。其應(yīng)用范圍包括對寫周期時序有嚴(yán)格要求的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)和使用EEPROM時由于其寫周期長而可能會引起數(shù)據(jù)丟失的工業(yè)控制等領(lǐng)域。

  • FRAM存儲器資訊

Ramtron推出首款符合Grade 1汽車標(biāo)準(zhǔn)的Ramtron FRAM存儲器

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