- 在設計常見的DCDC或DCAC等電路時，我們經常遇到需要橋臂直通保護的要求。IGBT通常具有5~10us的短路耐受時間，足以應付大部分短路工況。然而，對于SiC MOSFET器件來說，問題變得復雜了。因為在相同的電流等級下，SiC MOSFET的短路耐受時間通常比IGBT小很多。這主要是因為SiC MOSFET的芯片尺寸比傳統的硅基器件小很多，同時非常薄的外延層使得發熱位置更加集中（詳細原因闡述見談談SiC MOSFET的短路能力）。這給短路保護設計帶來了巨大的挑戰，即使是微小的系統設計差異也會顯著影響S
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英飛凌 SiC MOSFET 短路行為
- 在新能源革命與工業數字化的浪潮中，功率半導體作為核心“能量管家”，直接決定著電力轉換系統的效率、密度與可靠性。英飛凌作為全球功率器件的領軍者，憑借其深耕碳化硅（SiC）領域的技術積淀，推出了CoolSiC? MOSFET G2系列產品，以全方位的性能突破，重新定義了SiC MOSFET的行業標準，為光伏、儲能、電動汽車充電等關鍵領域注入強勁動力。相比于G1單管器件僅有650V/1200V兩檔電壓等級，G2系列電壓等級更加全面，涵蓋400V/650V/750V/1200V/1400V，以及豐富多樣的封裝形式
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英飛凌 SiC MOSFET
- 引言在飛速發展的電子領域中，選擇合適的 MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導體場效應晶體管）對項目成功至關重要。據預測，到 2026 年半導體行業規模將達到 5952 億美元，對高效、可靠 MOSFET 的需求持續增長。MOSFET 在電源管理、開關應用及信號放大中扮演關鍵角色，已成為現代電子設計中不可或缺的器件。充分理解其規格參數、數據手冊及應用電路，是保證設計實現最優性能與可靠性的關鍵。技術概述MOSFET 是用于放大或切換電子信號的半導體器件。憑借高效率與快速開關特性，它成為眾多電子電路的核心組
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MOSFET 電源管理
- Diodes 公司（Nasdaq：DIOD）推出行業領先的超低RDS（ON）100V MOSFET，擴充其PowerDI8080-5 汽車級*N溝道MOSFET產品組合。與新型40V至80V MOSFET一同推出，所有8mm x 8mm海鷗翼引線器件均設計用于最大限度降低導通損耗、減少熱量產生，并提升整體效率。其應用涵蓋電池電動汽車（BEV）、混合動力汽車（HEV）及內燃機（ICE）平臺中的無刷直流（BLDC）和直流-直流（DC-DC）轉換系統。 工程師可利用額定電壓100V DMTH10H1M
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Diodes PowerDI MOSFET 48V
- 【2026年3月25日, 中國上海訊】中國人工智能服務器電源供應商深圳麥格米特電氣股份有限公司（以下簡稱：麥米電氣）宣布，將在其5.5 kW人工智能（AI）服務器電源中采用由全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）最新推出的CoolMOS? 8超結MOSFET技術。為滿足日益增長的AI服務器需求，麥米電氣依托英飛凌CoolMOS? 8半導體器件，實現了高效率與白金級性能。基于該技術，麥米電氣面向AI服務器及開放計算生態系統開發出一套緊湊
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麥米電氣 英飛凌 CoolMOS 8 MOSFET AI服務器
- 2026年3月17日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出五款全新的1200 V MOSFET功率模塊---VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS-SF200SA120，其目標在于提升汽車、能源、工業及通信系統中高頻應用的功率效率。Vishay VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS
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Vishay SOT-227 1200V SiC MOSFET 功率模塊
- 為順應可再生能源領域中1500V直流母線應用日益增長的趨勢，英飛凌推出XHP? 2系列2300V CoolSiC? MOSFET產品擴充。該系列產品電流規格豐富，最高可達2000A，并提供4kV或6kV的隔離電壓等級，非常適用于高功率應用。結合可靠耐用的.XT擴散焊技術，該產品在使用壽命和可靠性方面均達到同類最佳水平，為高可靠性應用提供了堅實的保障。每款模塊均可提供預涂導熱界面材料版本，以簡化組裝流程，并實現最佳熱性能。產品型號：■ FF1000UXTR23T2M1_B5■ FF100
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英飛凌 再生能源 MOSFET
- 英飛凌推出1200V和2000V CoolSiC? MOSFET 62mm半橋模塊， 結合M1H芯片技術，推出共源配置版本產品型號：■ FF1MR12KM1H■ FF3MR12KM1H■ FF5MR20KM1H產品特性■ 可靠的集成體二極管，提升熱性能■ 極高的耐濕性■ 卓越的柵極氧化物可靠性■ 高宇宙射線耐受強度應用價值■ 惡劣工況下性能優化■ 更低電壓過沖■ 最小化導通損耗■ 高速開關且損耗極
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英飛凌 CoolSiC MOSFET 半橋模塊
- 英飛凌宣布，其碳化硅功率半導體器件被豐田新款純電動車型 bZ4X 選用，旗下 CoolSiC 碳化硅 MOSFET 將應用于該車的車載充電器（OBC）與直流 - 直流轉換器（DC/DC）中。對于歐洲電子工程新聞網的讀者而言，這一消息清晰體現出碳化硅的應用正加速突破牽引逆變器領域，延伸至汽車核心的功率轉換模塊；同時也凸顯出車企正愈發廣泛地采用寬禁帶半導體器件，以實現電動汽車快充提速、續航提升等可量化的性能優化。碳化硅深度融入豐田電動汽車功率電子系統據官方消息，豐田此次為 bZ4X 的車載充電器和直流 - 直
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英飛凌 CoolSiC 碳化硅 MOSFET 豐田 bZ4X
- 在電動汽車、光伏儲能、AI數據中心等領域迎來功率需求爆發式增長的當下，熱管理已成為制約電源產品功率密度與效率提升的核心瓶頸。傳統封裝方案往往在散熱性能與開關特性之間難以兼顧，行業迫切需要兼具創新結構與卓越性能的解決方案。基于這樣的新應用需求，安森美（ONSemi）推出采用T2PAK 頂部冷卻封裝的EliteSiC MOSFET，將業界領先的碳化硅技術與突破性封裝設計深度融合，為汽車和工業高功率應用帶來性能與散熱的雙重飛躍，也折射出寬禁帶半導體行業的發展新方向。1? ?行業趨勢驅動：高功
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202601 MOSFET 安森美 熱管理
- 碳化硅功率半導體在光伏、充電、電動汽車等行業得到了廣泛應用，其潛力毋庸置疑。然而，從當前高功率碳化硅MOSFET來看，仍存在一個難題：即如何實現平衡性能、魯棒性、可靠性和易用性的設計。比導通電阻是衡量SiC MOSFET技術先進性的關鍵參數，但其它標準，例如可靠性，也是制約器件表現的重要因素。對于不同的應用，導通電阻與可靠性之間的折衷也略有差異。因此，合理的器件定義應當保證設計靈活性，以滿足不同的任務需求，無需大量設計工作和設計布局變化。英飛凌CoolSiC?故障率比IGBT更低談到可靠性，人們往往會認為
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英飛凌 MOSFET 柵極氧化層
- 在碳化硅（SiC）技術的應用中，許多工程師對SiC的性能評價存在誤解，尤其是關于“單位面積導通電阻（Rsp）”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章，本文將繼續為您揭開這些誤區的真相（誤區一見：碳化硅何以英飛凌？—— 溝槽柵技術可靠性真相），并介紹英飛凌如何通過技術創新應對這些挑戰。常見誤區2：“SiC的性能主要看單位面積導通電阻Rsp，電阻越小，產品越好。與平面柵相比，溝槽柵SiC的電阻在高溫下漂移更大，這是否會影響可靠性”01多元化的性能評價更全面Rsp并非唯一評價標準雖然Rsp越小
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英飛凌 碳化硅 MOSFET
- Onsemi與FORVIA HELLA延續了長期的戰略合作，正式簽署了一項專注于下一代汽車動力MOSFET技術的新長期協議。該交易重點在于將Onsemi的PowerTrench T10 MOSFET應用于FORVIA HELLA的先進汽車平臺，反映出高效且可擴展的電力設備在車輛電氣化中日益重要。這一公告具有相關意義，因為它強調了一級供應商和半導體廠商如何將功率半導體路線圖與新興汽車架構（包括分區設計和軟件定義車輛）對齊。它還為設備層面的漸進式改進如何影響未來車輛平臺的系統效率和成本目標提供了見解。Powe
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Onsemi FORVIA HELLA 汽車電子 MOSFET
- 簡介CoolSiC MOSFET G2 溝槽式 MOSFET 發揮碳化硅的性能優勢，通過降低能量損耗來提高功率轉換過程中的效率。將 SiC 性能提升到一個新水平，同時滿足所有常見電源方案組合的最高質量標準： AC-DC、DC-DC 和 DC-AC。與 Si 替代品相比，SiC MOSFET 可以在許多應用中提供額外的性能，其中包括光伏逆變器、熱量存儲系統、電動汽車充電、電源、電機驅動、牽引逆變器、板載充電器、DC 對 DC 轉換器等。碳化硅器件必備要素 —— 立足當下布局，引領未來市場豐富的 CoolSi
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英飛凌 CoolSiC MOSFET 650V G2 功率轉換
- 簡介英飛凌OptiMOS? 6 80 V——最新的功率MOSFET技術，通過廣泛的產品組合設定了新的行業基準性能，包括PQFN 3.3x3.3，SuperSO8、雙面散熱PQFN 5x6 以及源極向下 PQFN 3.3x3.3封裝。 OptiMOS? 6 80 V 系列非常適合電信、服務器和太陽能等高頻開關應用。OptiMOS? 6 80 V 的性能改進也體現了其在電池管理系統 (BMS) 中的優勢。關鍵特性l??與 SSO8 中的 5 相比，RDS(on) OptiMOS?減少24%
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英飛凌 OptiMOS 6 MOSFET 電信 電池管理系統
mosfet 介紹
金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [
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