EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
euv
euv 文章 最新資訊
EUV光刻機(jī)將成為算力擴(kuò)張的下一個(gè)瓶頸
- 隨著AI投資狂潮席卷科技行業(yè)，真正限制算力擴(kuò)張的環(huán)節(jié)在哪里？半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)SemiAnalysis創(chuàng)始人給出的答案是：瓶頸一直在變。SemiAnalysis是一家近年來(lái)在科技和投資圈迅速走紅的半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)，其研究廣泛被AI公司、云計(jì)算廠商以及對(duì)沖基金使用。近日，在一次播客訪談中，SemiAnalysis創(chuàng)始人Dylan Patel系統(tǒng)解釋了AI算力擴(kuò)張背后的供應(yīng)鏈邏輯。他指出，過去幾年AI算力的限制因素不斷變化，就像打地鼠一樣，一個(gè)瓶頸被解決，新的瓶頸就會(huì)出現(xiàn)。算力擴(kuò)張的瓶頸不斷變化Dylan Pate
- 關(guān)鍵字： EUV 光刻機(jī) 算力 ASML
阿斯麥宣布裁員 1700 名管理人員七周后，員工仍不知情
- 荷蘭芯片設(shè)備制造商阿斯麥（ASML）希望在 4 月 1 日前獲得工會(huì)批準(zhǔn)。在這家荷蘭芯片設(shè)備巨頭宣布計(jì)劃裁減 1700 個(gè)管理崗位七周后，其員工仍不清楚自己是否會(huì)丟掉工作。此次裁員發(fā)生在阿斯麥創(chuàng)下 327 億歐元年度營(yíng)收紀(jì)錄的背景下。裁員目標(biāo)為阿斯麥技術(shù)與 IT 部門的管理崗位，其中荷蘭 1400 個(gè)、美國(guó) 300 個(gè)，約占公司全球員工總數(shù)的 4%。阿斯麥一名發(fā)言人向荷蘭廣播公司 Omroep Brabant 表示，長(zhǎng)期的不確定性已引發(fā)內(nèi)部不安?！皢T工們完全不知道自己處境如何。他們都在問‘這對(duì)我意味著什么
- 關(guān)鍵字： 阿斯麥 ASML EUV
IMEC研發(fā)新型曝光后烘烤工藝，提速EUV設(shè)備并提升先進(jìn)芯片產(chǎn)能
- 比利時(shí)微電子研究中心（imec）證實(shí)，在極紫外光刻（EUV）的曝光后烘烤（PEB）環(huán)節(jié)，將氧濃度提升至大氣水平以上，可顯著提高金屬氧化物光刻膠（MOR）的感光速度。感光速度加快意味著光刻膠能以更低的 EUV 曝光劑量達(dá)到目標(biāo)圖形尺寸，這將直接提升 EUV 光刻機(jī)的產(chǎn)能，并降低曝光工序成本。此前，行業(yè)并未將曝光后烘烤腔室的氣體成分作為 EUV 光刻的重要優(yōu)化方向，因此該研究成果具有重要意義，但其產(chǎn)業(yè)化前景仍有待觀察。imec 的科研人員發(fā)現(xiàn)，在 EUV 曝光后烘烤環(huán)節(jié)，將氧濃度從空氣環(huán)境中的 21% 提升至
- 關(guān)鍵字： IMEC 曝光后烘烤 EUV 先進(jìn)芯片產(chǎn)能 光刻膠
氣體控制技術(shù)提升極紫外光刻（EUV）晶圓產(chǎn)能
- 比利時(shí)微電子研究中心（imec）證實(shí)，在極紫外光刻（EUV）曝光后的關(guān)鍵步驟中，對(duì)氣體成分進(jìn)行精準(zhǔn)控制，可最大限度降低所需曝光劑量，進(jìn)而顯著提升晶圓產(chǎn)能。具體而言，當(dāng)極紫外光刻曝光后烘烤（post-exposure bake）步驟在高氧濃度環(huán)境下進(jìn)行時(shí)，金屬氧化物光刻膠（MORs）的劑量響應(yīng)性能得到了顯著改善。金屬氧化物光刻膠的技術(shù)優(yōu)勢(shì)金屬氧化物光刻膠（MORs）已成為先進(jìn)極紫外光刻應(yīng)用的核心候選材料，相較于化學(xué)放大光刻膠（CARs），它具備更高的分辨率、更低的線邊緣粗糙度，以及更優(yōu)異的 “劑量 - 尺寸
- 關(guān)鍵字： 氣體控制技術(shù) 極紫外光刻 EUV 晶圓產(chǎn)能 imec
阿斯麥ASML公布EUV光源技術(shù)突破，2030年芯片產(chǎn)能或提升50%
- 2 月 23 日消息，據(jù)路透社今日?qǐng)?bào)道，阿斯麥（ASML）的研究人員表示，他們已找到提升關(guān)鍵芯片制造設(shè)備光源功率的方法，到 2030 年可將芯片產(chǎn)量提高多達(dá) 50%。阿斯麥極紫外（EUV）光源首席技術(shù)官邁克爾?珀維斯（Michael Purvis）在接受采訪時(shí)表示：“這不是花拳繡腿，也不是那種只能在極短時(shí)間內(nèi)演示可行的東西，這是一個(gè)能在客戶實(shí)際生產(chǎn)環(huán)境的所有相同要求下，穩(wěn)定輸出 1000 瓦功率的系統(tǒng)?！眻?bào)道稱，隨著周一公布的這一技術(shù)進(jìn)步，阿斯麥旨在通過改進(jìn)光刻機(jī)中技術(shù)難度最高的部分，進(jìn)一步拉開與所有潛在
- 關(guān)鍵字： 阿斯麥 ASML EUV 光源技術(shù) 芯片 產(chǎn)能
阿斯麥將極紫外光刻機(jī)光源功率提升至1000瓦，助力提升芯片良率、降低制造成本
- 阿斯麥（ASML）宣布將極紫外光刻（EUV）設(shè)備的核心光源功率提升至1000 瓦，這一技術(shù)突破將直接推動(dòng)先進(jìn)制程芯片的生產(chǎn)良率提升，同時(shí)有效降低單顆芯片的制造成本，成為先進(jìn)半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的又一重要技術(shù)進(jìn)展。在極紫外光刻技術(shù)中，光源功率是決定光刻機(jī)生產(chǎn)效率與芯片良率的核心指標(biāo)之一。更高的光源功率能夠讓光刻機(jī)在晶圓曝光過程中，實(shí)現(xiàn)更快的光刻速度與更穩(wěn)定的圖案轉(zhuǎn)移效果：一方面，更高的功率可縮短單晶圓的曝光時(shí)間，提升光刻機(jī)的單位時(shí)間產(chǎn)能；另一方面，穩(wěn)定的高功率光源能減少光刻過程中的圖案偏差、線寬不均勻等問題，大幅
- 關(guān)鍵字： 阿斯麥 極紫外光刻機(jī) 光源功率 芯片良率 ASML EUV
國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備加速崛起
- 據(jù)《日經(jīng)亞洲》報(bào)道，日本研究機(jī)構(gòu)Global Net數(shù)據(jù)顯示，2025年全球芯片設(shè)備廠商前20強(qiáng)中有3家中國(guó)企業(yè)，較2022年美國(guó)出口限制前新增2家。這三家公司分別是北方華創(chuàng)、中微公司和上海微電子。值得注意的是，若將范圍擴(kuò)大至排名前30名的企業(yè)，還將新增兩家中國(guó)企業(yè)：盛美上海和華海清科。北方華創(chuàng)、中微、上海微、盛美上海、華海清科上榜TOP30這一變化既展現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)設(shè)備凸顯群體崛起態(tài)勢(shì)，也印證了美國(guó)出口管制未達(dá)遏制目的，反而倒逼中國(guó)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈自主化加速，激發(fā)了本土產(chǎn)業(yè)韌性。北方華創(chuàng)具體排名中，北方華創(chuàng)的排名
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體設(shè)備 ASML 北方華創(chuàng) 中微公司 上海微電子 DUV EUV
ASML計(jì)劃裁員4%，簡(jiǎn)化技術(shù)部門內(nèi)的決策流程
- 全球最大的先進(jìn)芯片荷蘭制造商ASML在公布其銷售額連續(xù)第十三年實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)后，CEO克里斯托夫·富凱（Christophe Fouquet）在聲明中表示，計(jì)劃裁減約1700個(gè)工作崗位，作為其技術(shù)和IT運(yùn)營(yíng)重組的一部分。此次裁員人員主要涉及管理層，人數(shù)約占員工總數(shù)的4%，大部分裁員將在荷蘭進(jìn)行，美國(guó)也有部分職位被裁減。ASML表示，一些領(lǐng)導(dǎo)職位可能不再需要，同時(shí)將創(chuàng)建新的工程職位以支持正在進(jìn)行和未來(lái)的項(xiàng)目。“雖然這將使一些受影響的同事能夠轉(zhuǎn)移到新的崗位，但我們必須承認(rèn)，有些人將因此離開阿斯麥公司”。此舉旨在加強(qiáng)
- 關(guān)鍵字： ASML DUV EUV
三星首次引入紫外層薄膜是在美國(guó)泰勒工廠
- 三星電子將首次在美國(guó)泰勒晶圓廠推出“極紫外（EUV）薄膜”，這是一種提升先進(jìn)半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)力的關(guān)鍵組件。此前尚不清楚是否會(huì)引入，但通過訂購(gòu)關(guān)鍵設(shè)備幾乎確認(rèn)了申請(qǐng)。根據(jù)22日的行業(yè)報(bào)道，三星電子已在美國(guó)德克薩斯州泰勒工廠訂購(gòu)極紫外涂層設(shè)備。FST將收到價(jià)值250億韓元的極紫外膜剝離與附著設(shè)備及檢驗(yàn)設(shè)備訂單。極紫外膜是安裝在光罩上的超薄保護(hù)元件，用于曝光過程。半導(dǎo)體將光體現(xiàn)在帶有預(yù)先繪制電路的光罩上，并被嵌入晶圓上。通過施加極紫外膜，可以防止細(xì)顆粒和污染物粘附光罩表面，從而減輕產(chǎn)率劣化。為了在暴露設(shè)備中使用極
- 關(guān)鍵字： 三星 紫外層薄膜 美國(guó)泰勒工廠 EUV
中國(guó)EUV技術(shù)實(shí)現(xiàn)突破，半導(dǎo)體競(jìng)賽格局生變
- 隨著計(jì)算技術(shù)的進(jìn)步，越來(lái)越多的先進(jìn)芯片應(yīng)運(yùn)而生。最新一代 3 納米和 2 納米制程芯片的尺寸極小，傳統(tǒng)光源波長(zhǎng)已無(wú)法在如此精細(xì)的尺度上實(shí)現(xiàn)可靠的圖形光刻。這一挑戰(zhàn)并非新題 —— 半導(dǎo)體行業(yè)長(zhǎng)期以來(lái)一直使用深紫外光刻（DUV）技術(shù)在硅片上進(jìn)行光刻加工。但要實(shí)現(xiàn)最先進(jìn)芯片設(shè)計(jì)的納米級(jí)精度，就需要波長(zhǎng)更短的光源。這種光源及對(duì)應(yīng)的光刻技術(shù)被稱為極紫外光刻（EUV）。中國(guó) EUV 原型機(jī)提前問世圖注：更短、更精準(zhǔn)、更纖薄：技術(shù)的巨大飛躍，蔡司（ZEISS）數(shù)據(jù)顯示，EUV 技術(shù)制造的結(jié)構(gòu)精度達(dá) 13.5 納米，比人
- 關(guān)鍵字： EUV 半導(dǎo)體 ASML 蔡司
據(jù)報(bào)道，中國(guó)利用較舊的ASML組件制造EUV原型機(jī)，Eyes 2028芯片制造
- 中國(guó)朝向國(guó)產(chǎn)紫外真空光刻能力的漫長(zhǎng)進(jìn)程似乎正在縮小，近期發(fā)展顯示進(jìn)展速度超乎預(yù)期。據(jù)路透社報(bào)道，消息人士稱中國(guó)已組裝了一臺(tái)使用舊ASML系統(tǒng)組件的EUV原型機(jī)。正如報(bào)道所示，消息人士稱中國(guó)政府目標(biāo)是在2028年前生產(chǎn)使用該原型機(jī)的實(shí)用芯片，盡管2030年被視為更現(xiàn)實(shí)的目標(biāo)。原型機(jī)的存在表明，中國(guó)距離半導(dǎo)體自給自足可能比此前預(yù)期的更近數(shù)年。報(bào)道援引消息人士稱，原型機(jī)于2025年初完成，目前正在進(jìn)行測(cè)試。報(bào)告補(bǔ)充說(shuō)，雖然該機(jī)器已運(yùn)行并具備極紫外光的能力，但尚未生產(chǎn)出可工作的芯片。據(jù)報(bào)道，前ASML工程師參與了
- 關(guān)鍵字： ASML EUV 光刻
ASML CEO警告：過度封鎖或加速中國(guó)技術(shù)自主
- 全球光刻機(jī)巨頭阿斯麥（ASML）首席執(zhí)行官克里克里斯托夫·富凱（Christophe Fouquet）在專訪時(shí)，談到了被禁止向中國(guó)出口所有EUV設(shè)備及最先進(jìn)的深紫外（DUV）光刻設(shè)備，就當(dāng)前西方對(duì)華光刻機(jī)出口限制政策，拋出了一番充滿矛盾的“技術(shù)制衡論”，引發(fā)行業(yè)廣泛關(guān)注。眼下，阿斯麥正面臨嚴(yán)苛的出口管制約束：被禁止向中國(guó)出口所有極紫外（EUV）光刻設(shè)備，以及技術(shù)最先進(jìn)的深紫外（DUV）光刻設(shè)備。他重申其觀點(diǎn)，認(rèn)為“應(yīng)向中國(guó)適度輸出技術(shù)以防其自主研發(fā)形成競(jìng)爭(zhēng)力”；同時(shí)，在他看來(lái)在對(duì)華技術(shù)出口限制問題上，西方
- 關(guān)鍵字： ASML DUV EUV
使用電子噪聲和抗蝕劑模糊模型預(yù)測(cè)隨機(jī)EUV缺陷密度
- 近年來(lái)，首次直接解決了EUV光刻中二次電子噪聲的統(tǒng)計(jì)及其對(duì)缺陷概率的影響[1]。在本文中，我們將考慮一些更新的 EUV 抗蝕劑模糊模型，包括化學(xué)放大 （CAR） 和金屬氧化物 （MOR） 類型。首先，讓我們回顧一下推導(dǎo) EUV 隨機(jī)缺陷概率的過程，同時(shí)考慮二次電子噪聲。光子吸收的特征是經(jīng)典的分裂或變薄泊松分布[2]。假設(shè)每個(gè)吸收的EUV光子釋放的電子數(shù)遵循整數(shù)的均勻分布作為概率質(zhì)量函數(shù)[1]。當(dāng)考慮電子散射時(shí)，由此產(chǎn)生的有效“模糊”將嘈雜的光子吸收曲線替換為以模糊比例參數(shù)為特征的平滑曲線。然而，這只會(huì)更新
- 關(guān)鍵字： 電子噪聲 抗蝕劑 模糊模型 EUV 缺陷密度
4億美元太貴！臺(tái)積電仍拒絕購(gòu)買ASML的High-NA EUV設(shè)備
- 目前，生產(chǎn)尖端半導(dǎo)體必不可少的EUV（極紫外）光刻設(shè)備由荷蘭ASML獨(dú)家供應(yīng)，而臺(tái)積電2nm工藝就是利用現(xiàn)有的EUV設(shè)備實(shí)現(xiàn)晶圓的大規(guī)模量產(chǎn)，并保持較高的良率。但隨著推進(jìn)到更先進(jìn)的次2nm節(jié)點(diǎn) —— 即1.4nm與1nm（分別代號(hào)A14與A10）—— 制造工藝將面臨更多技術(shù)瓶頸。理論上，這些問題可以通過采購(gòu)ASML的最先進(jìn)High-NA EUV設(shè)備來(lái)解決，但最新消息稱臺(tái)積電選擇的方向并非購(gòu)買新設(shè)備，而是轉(zhuǎn)向使用光掩模薄膜（Photomask Pellicles）。什么是High-NA光刻機(jī)？從早期的深紫外
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 ASML High-NA EUV 2nm
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473