IT之家 9 月 3 日消息，日經報道稱，英特爾將與日本產業技術綜合研究所（AIST）在日本建立芯片研發基地，新設施將在三到五年內建成，配備極紫外線光刻（EUV）設備。▲ 圖源：英特爾設備制造商和材料公司將付費使用該設施進行原型設計和測試。據介紹，這將是日本第一個行業成員能夠共同使用極紫外光刻設備的中心。IT之家查詢獲悉，產業技術綜合研究所隸屬經濟產業省，是日本一家設法使用集成科學和工程知識來解決日本社會和經濟發展需要的研究機構，總部位于東京，2001 年成為獨立行政機構的一個新設計的法律機構。
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英特爾 AIST 芯片 EUV
比利時微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室中，利用數值孔徑0.55的極紫外光曝光機，發表了曝光后的圖形化組件結構。在單次曝光后，9納米和5納米（間距19納米）的隨機邏輯結構、中心間距為30納米的隨機通孔、間距為22納米的二維特征，以及間距為32納米的動態隨機存取內存（DRAM）專用布局全部成功成形，采用的是由imec與其先進圖形化研究計劃伙伴所優化的材料和基線制程。透過這些研究成果，imec證實該微影技術的生態系
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imec High-NA EUV DRAM
日本沖繩科學技術大學院大學設計了一種極紫外（EUV）光刻技術，超越了半導體制造業的標準界限。
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EUV
荷商艾司摩爾（ASML）是半導體設備巨頭，臺積電等龍頭公司制造先進芯片，都需采用ASML制造商生產的昂貴極紫外光曝光機（EUV），根據《Tom's Hardware》報導，日本科學家已開發出簡化的EUV掃描儀，可以大幅降低芯片的生產成本。報導指出，沖繩科學技術學院（OIST）Tsumoru Shintake教授提出一種全新、大幅簡化的EUV曝光機，相比ASML開發和制造的工具更便宜，如果該種設備大規模量產，可能重塑芯片制造設備產業的現況。值得關注的是，新系統在光學投影設定中只使用兩面鏡子，與傳統的
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臺積電 EUV ASML
8月6日消息，在近日的財報電話會議上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二臺價值3.83億美元的High NA EUV（極紫外光刻機）。High NA EUV光刻機是目前世界上最先進的芯片制造設備之一，其分辨率達到8納米，能夠顯著提升芯片的晶體管密度和性能，是實現2nm以下先進制程大規模量產的必備武器。帕特·基辛格表示，第二臺High NA設備即將進入Intel位于美國俄勒岡州的晶圓廠，預計將支持公司新一代更強大的計算機芯片的生產。此前，Intel已于去年12月接收了全球首臺High NA EUV光刻
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Intel High NA EUV 光刻機 晶圓 8納米
IT之家 7 月 30 日消息，《電子時報》昨日報道稱，臺積電最快在 2028 年推出的 A14P 制程中引入 High NA EUV 光刻技術。對此，臺積電海外營運資深副總經理暨副共同營運長張曉強表示，仍在評估 High NA EUV 應用于未來制程節點的成本效益與可擴展性，目前采用時間未定。▲ ASML EXE:5000 High NA EUV 光刻機，圖源：ASML上個月，ASML 透露將在 2024 年內向臺積電交付首臺 High NA EUV 光刻機，價值達 3.8
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臺積電 ASML 光刻機 EUV
臺積電依然是 EUV 設備的最大買家。臺積電 2nm 先進制程產能將于 2025 年量產，設備廠正如火如荼交機，尤以先進制程所用之 EUV（極紫外光刻機）至為關鍵，今明兩年共將交付超過 60 臺 EUV，總投資金額上看超過 4000 億元新臺幣。在產能持續擴充之下，ASML 2025 年交付數量增長將超過 3 成，臺廠供應鏈沾光，其中家登積極與 ASML 攜手投入下一代 High-NA EUV 研發，另外帆宣、意德士、公準、京鼎及翔名等有望同步受惠。設備廠商透露，EUV 設備供應吃緊，交期長達 16~20
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EUV
在過去的五年中，EUV 模式設計取得了長足的進步，但高 NA EUV 又重現了舊的挑戰。
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EUV ASML
ASML去年末向英特爾交付了業界首臺High-NA
EUV光刻機，業界準備從EUV邁入High-NA EUV時代。不過ASML已經開始對下一代Hyper-NA
EUV技術進行研究，尋找合適的解決方案，計劃在2030年左右提供新一代Hyper-NA EUV光刻機。據Trendforce報道，Hyper-NA
EUV光刻機的價格預計達到驚人的7.24億美元，甚至可能會更高。目前每臺EUV光刻機的價格約為1.81億美元，High-NA
EUV光刻機的價格大概為3.8億美元，是EUV光刻機的兩倍多
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ASML Hyper-NA EUV 光刻機 臺積電 三星 英特爾
國際設備大廠東京威力科創（TEL）為全球唯一擁有沉積、涂布／顯影、蝕刻、清洗四大連續制程設備之公司，是晶圓片進入EUV曝光前重要步驟。TEL宮城總裁神原弘光指出，隨著芯片設計演進，蝕刻技術不斷朝著3D化方向演進，垂直堆棧發展、更有效利用空間，然而堆棧層數的增加，在成膜次數跟蝕刻時間、次數也會隨之增加，所需的機臺數量同步成長。 EUV大廠擁有近乎100％市占率，TEL在涂布／顯影與之緊密配合，同樣近乎獨占；換言之，只要EUV出貨，TEL亦將同步受惠。TEL更透露，早已在臺設置研發中心，近期更會擴增潔凈室規模
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制程設備 EUV TEL
臺積電2納米先進制程產能將于2025年量產，設備廠正如火如荼交機，尤以先進制程所用之EUV（極紫外光曝光機）至為關鍵，今明兩年共將交付超過60臺EUV，總投資金額上看超過4,000億元。在產能持續擴充之下，ASML2025年交付數量成長將超過3成，臺廠供應鏈沾光，其中家登積極與ASML攜手投入次世代High-NA EUV研發，另外帆宣、意德士、公準、京鼎及翔名等有望同步受惠。 設備業者透露，EUV機臺供應吃緊，交期長達16至20個月，因此2024年訂單大部分會于后年開始交付；據法人估計，今年臺積電EUV訂
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2納米 先進制程 ASML EUV 臺積電
位于日本筑波的高能加速器研究組織（KEK）的一組研究人員認為，如果利用粒子加速器的力量，EUV光刻技術可能會更便宜、更快、更高效。
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摩爾定律 粒子加速器 EUV 光刻技術
最新 EUV 設備的銷售情況對 ASML 的市值產生了明顯影響。
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6月16日消息，ASML去年底向Intel交付了全球第一臺High NA EUV極紫外光刻機，同時正在研究更強大的Hyper NA EUV光刻機，預計可將半導體工藝推進到0.2nm左右，也就是2埃米。ASML第一代Low NA EUV光刻機孔徑數值只有0.33，對應產品命名NXE系列，包括已有的3400B/C、3600D、3800E，以及未來的4000F、4200G、4X00。該系列預計到2025年可以量產2nm，再往后就得加入多重曝光，預計到2027年能實現1.4nm的量產。High NA光刻機升級到了
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ASML 光刻機 高NA EUV 0.2nm
ASML首席財務官達森（Roger Dassen）表示，EUV技術路線發展受歐美限制，且光刻機已接近技術極限，此一技術路線前景不明。積極尋求突破的中國廠商是持續投入資源突破現有限制進行技術跟隨？還是將資源另辟蹊徑尋找新的技術路徑？將面臨艱難的抉擇。 據《芯智訊》報導，臺積電已經訂購了High NA EUV（高數值孔徑極紫外光）光刻機，ASML與臺積電的商業談判即將結束，預計在第2季度或第3季度開始獲得大量 2nm芯片制造相關設備訂單。ASML預測其設備的市場需求有望一路走強至2026年，這主要是受益于各國
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euv 介紹
在半導體行業，EUV一般指EUV光刻，即極紫外光刻。
極紫外光刻（英語：Extreme ultra-violet，也稱EUV或EUVL）是一種使用極紫外（EUV）波長的光刻技術。
EUV光刻采用波長為10-14納米的極紫外光作為光源，可使曝光波長一下子降到13.5nm,它能夠把光刻技術擴展到32nm以下的特征尺寸。
根據瑞利公式（分辨率=k1·λ/NA），這么短的波長可以提供極高 [
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