氮化鎵文章最新資訊

意法半導(dǎo)體集成保護(hù)功能的氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)器

意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）推出兩款半橋氮化鎵（GaN）柵極驅(qū)動(dòng)器，專(zhuān)為電源轉(zhuǎn)換與運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)的高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。產(chǎn)品通過(guò)在單芯片內(nèi)集成核心控制與保護(hù)功能，助力實(shí)現(xiàn)更緊湊、更高效的系統(tǒng)方案。對(duì)于從事工業(yè)驅(qū)動(dòng)或電源級(jí)設(shè)計(jì)的讀者而言，這一發(fā)布體現(xiàn)了寬禁帶器件向高集成度發(fā)展的大趨勢(shì)，控制精度與保護(hù)能力的重要性日益凸顯。面向 GaN 開(kāi)關(guān)的集成控制與保護(hù)STDRIVEG212 與 STDRIVEG612 專(zhuān)為驅(qū)動(dòng)增強(qiáng)型 GaN HEMT 設(shè)計(jì)，提供穩(wěn)定的 5V 柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)。兩款器件分別支持
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英特爾推出全球最薄氮化鎵（GaN）芯粒

4 月 9 日，英特爾代工服務(wù)（Intel Foundry Services）宣布重大技術(shù)突破，成功研發(fā)出全球最薄氮化鎵（GaN）芯粒。其硅襯底厚度僅19 微米，約為人類(lèi)頭發(fā)絲直徑的 1/5。該芯粒基于300 毫米（12 英寸）硅基氮化鎵晶圓制造，采用英特爾自研隱切減薄工藝，在實(shí)現(xiàn)極致超薄形態(tài)的同時(shí)，保持結(jié)構(gòu)完整性與性能穩(wěn)定性。更具突破性的是，團(tuán)隊(duì)首次實(shí)現(xiàn)氮化鎵功率晶體管與硅基數(shù)字邏輯電路的單片集成。通過(guò)將復(fù)雜計(jì)算功能直接嵌入電源芯粒，無(wú)需額外輔助芯片，大幅簡(jiǎn)化系統(tǒng)架構(gòu)并降低組件間能量損耗。性能測(cè)試結(jié)果顯
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意法半導(dǎo)體推出氮化鎵高速半橋柵極驅(qū)動(dòng)器

意法半導(dǎo)體（ST）發(fā)布兩款全新高速半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，可將氮化鎵（GaN）的高效性、熱性能與小型化優(yōu)勢(shì)，廣泛應(yīng)用于各類(lèi)電源及運(yùn)動(dòng)控制領(lǐng)域。STDRIVEG212 與 STDRIVEG612 可向增強(qiáng)型氮化鎵高電子遷移率晶體管（eGaN HEMT）輸出精準(zhǔn)受控的 5V 柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，高端工作電壓分別最高支持 220V 與 600V。兩款驅(qū)動(dòng)器集成度極高，在緊湊的 QFN 封裝內(nèi)集成了高端與低端 5V 線性穩(wěn)壓器（LDO）、高端自舉二極管，以及欠壓鎖定（UVLO）等保護(hù)功能。內(nèi)置的快速啟動(dòng)穩(wěn)壓器可穩(wěn)定驅(qū)動(dòng)器輸出級(jí)
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瑞薩通過(guò)雙向650V GaN開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)了功耗效率提升

瑞薩電子推出業(yè)內(nèi)首款雙向 650V 級(jí)氮化鎵（GaN）開(kāi)關(guān)，旨在簡(jiǎn)化太陽(yáng)能微型逆變器、人工智能數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器等應(yīng)用中的功率轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)。該公司表示，新款 TP65B110HRU 在單顆器件中集成了雙向電流阻斷功能，無(wú)需傳統(tǒng)的背對(duì)背場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）配置。這一研發(fā)成果意義重大，它解決了大功率轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)中長(zhǎng)期存在的能效與復(fù)雜度難題，同時(shí)契合行業(yè)向更高密度、更簡(jiǎn)化架構(gòu)發(fā)展的趨勢(shì)。邁向單級(jí)功率轉(zhuǎn)換據(jù)官方介紹，傳統(tǒng)功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)依賴(lài)單向硅基或碳化硅（SiC）開(kāi)關(guān)，這就需要采用多級(jí)架構(gòu)。以太陽(yáng)能微型逆變器為
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氮化鎵，全面起飛

2026 年 3 月，當(dāng)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)仍在后摩爾定律的迷霧中探索前行時(shí)，氮化鎵（GaN）正以驚人的速度從「替代技術(shù)」蛻變?yōu)椤副匦杓夹g(shù)」。Yole 與集邦咨詢(xún)的最新數(shù)據(jù)為這一判斷提供了堅(jiān)實(shí)注腳：2026 年全球 GaN 功率器件市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)到 9.2 億美元，較 2025 年增長(zhǎng) 58%——這不僅兌現(xiàn)了年初「暴增 50%」的行業(yè)預(yù)測(cè)，更標(biāo)志著寬禁帶半導(dǎo)體正式進(jìn)入大規(guī)模商業(yè)化落地的臨界點(diǎn)。在這場(chǎng)由人工智能、電動(dòng)汽車(chē)和能源轉(zhuǎn)型共同驅(qū)動(dòng)的「功率革命」中，GaN 已不再是硅基器件的配角，而是正在重塑電
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英飛凌推出集成式半橋解決方案CoolGaN Drive HB 600 V G5

全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出CoolGaN? Drive HB 600 V G5產(chǎn)品系列，進(jìn)一步擴(kuò)大了其CoolGaN?產(chǎn)品組合。四款新產(chǎn)品IGI60L1111B1M、IGI60L1414B1M、IGI60L2727B1M和IGI60L5050B1M均采用半橋配置并在其中集成了兩個(gè)600V氮化鎵（GaN）開(kāi)關(guān)，帶有高低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器與自舉二極管，提供緊湊且散熱優(yōu)化的功率級(jí)，進(jìn)一步降低設(shè)計(jì)復(fù)雜度。通過(guò)將諸多關(guān)鍵功能集成到一個(gè)
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TI:氮化鎵賦能人形機(jī)器人高效電機(jī)關(guān)節(jié)

德州儀器(TI)正研發(fā)氮化鎵功率器件，為人形機(jī)器人打造更小型、更高能效的電機(jī)關(guān)節(jié)。隨著全身人形機(jī)器人的興起，支撐其運(yùn)動(dòng)的電機(jī)控制器、功率電子器件和散熱系統(tǒng)，必須提供比以往更強(qiáng)的動(dòng)力、更高的精度和更高的效率。為了實(shí)現(xiàn)與人類(lèi)相近的活動(dòng)范圍，機(jī)器人全身通常需要部署約40 個(gè)伺服電機(jī)—— 一般是永磁同步電機(jī)（PMSM）或無(wú)刷直流電機(jī)（BLDC）。這些電機(jī)分布在身體不同部位，主要集中在頸部、軀干、手臂、腿部、腳趾及其他關(guān)節(jié)（手部除外）。為模擬人類(lèi)的靈巧性，單只機(jī)械手可集成超過(guò) 10 個(gè)額外電機(jī)，用于控制獨(dú)立手指與抓
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人工智能與機(jī)器人技術(shù)推動(dòng)氮化鎵功率器件市場(chǎng)爆發(fā)

氮化鎵（GaN）功率器件正加速拓展至人工智能數(shù)據(jù)中心、機(jī)器人、電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源等多個(gè)行業(yè)，同時(shí)還切入數(shù)字醫(yī)療、量子計(jì)算等新興領(lǐng)域，這一趨勢(shì)推動(dòng)氮化鎵市場(chǎng)從今年到 2030 年實(shí)現(xiàn)顯著增長(zhǎng)。尤其在數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)，采用新型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的氮化鎵電源相比硅基電源，能實(shí)現(xiàn)更高的效率和功率密度，功耗損耗最多可降低 30%，助力打造更高效、更緊湊的數(shù)據(jù)中心架構(gòu)。應(yīng)用于人形機(jī)器人的氮化鎵電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，體積可縮小 40%，還能提升精細(xì)動(dòng)作的控制精度。英飛凌氮化鎵業(yè)務(wù)線高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理約翰內(nèi)斯?朔伊斯沃爾博士在接受《歐洲電子工
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意法半導(dǎo)體推出面向電機(jī)控制的全新氮化鎵（GaN）IC平臺(tái)，助力家電能效升級(jí)

意法半導(dǎo)體近日推出全新的智能功率器件，使家用電器和工業(yè)驅(qū)動(dòng)設(shè)備能夠利用最新的氮化鎵（GaN）技術(shù)，顯著提升能效、增強(qiáng)性能并降低成本。目前市場(chǎng)上已有的GaN電源適配器和充電器可為筆記本電腦和USB-C快充提供高功率輸出，并實(shí)現(xiàn)極高的轉(zhuǎn)換效率，以滿足日益嚴(yán)苛的生態(tài)設(shè)計(jì)法規(guī)要求。而意法半導(dǎo)體此次推出的新型GaN集成電路（IC），首次將該技術(shù)拓展至電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域，適用于洗衣機(jī)、吹風(fēng)機(jī)、電動(dòng)工具以及工廠自動(dòng)化等產(chǎn)品。意法半導(dǎo)體專(zhuān)用產(chǎn)品部總經(jīng)理Domenico Arrigo表示：“我們的全新GaNSPIN系統(tǒng)級(jí)封裝（S
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高密度直流-直流轉(zhuǎn)換器從電網(wǎng)延伸到車(chē)廂再到鐵芯

從以可再生能源為主的電網(wǎng)到人工智能數(shù)據(jù)中心，各領(lǐng)域的電力需求都在持續(xù)攀升，這也對(duì)電力電子器件提出了更高要求 —— 需要在更小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更優(yōu)性能。電力的傳輸需要經(jīng)過(guò)復(fù)雜的直流 - 直流轉(zhuǎn)換流程，電壓等級(jí)會(huì)從電網(wǎng)的高壓逐步降至高端處理器所需的毫伏級(jí)。為應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)，新一代直流 - 直流轉(zhuǎn)換器應(yīng)運(yùn)而生，實(shí)現(xiàn)了多項(xiàng)技術(shù)突破：直流微電網(wǎng)中靈活電力流的新拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。基于SiC和GaN的新型電源開(kāi)關(guān)，用于電動(dòng)汽車(chē)（EV）中的緊湊高頻開(kāi)關(guān)。磁性和被動(dòng)集成的新創(chuàng)新，旨在減少服務(wù)器機(jī)架深層的損耗。用于直流微電網(wǎng)的不同直流-直
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英飛凌推出首款100V車(chē)規(guī)級(jí)晶體管，推動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域氮化鎵（GaN）技術(shù)創(chuàng)新

簡(jiǎn)介英飛凌正式推出CoolGaN 100V G1系列車(chē)規(guī)級(jí)晶體管，并開(kāi)始提供符合AEC-Q101汽車(chē)應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)的預(yù)量產(chǎn)樣品，包括CoolGaN高壓（HV）車(chē)規(guī)級(jí)晶體管及多種雙向開(kāi)關(guān)。此舉彰顯了英飛凌為滿足汽車(chē)行業(yè)不斷變化的需求而持續(xù)提供創(chuàng)新解決方案的承諾——包括從適用于低壓車(chē)載信息娛樂(lè)系統(tǒng)的新型100V GaN晶體管，到面向未來(lái)車(chē)載充電器和牽引逆變器的高壓產(chǎn)品解決方案。產(chǎn)品特色AEC-Q101 獲得資格100 V e模功率晶體管雙側(cè)冷卻封裝無(wú)反向回收裝藥超低功績(jī) 產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)同級(jí)最佳功率密
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難以捉摸的藍(lán)色LED：研究人員最終是如何取得勝利的？

很難想象，首款藍(lán)光 LED 的問(wèn)世時(shí)間竟然晚至 1993 年。這類(lèi)器件看似構(gòu)造簡(jiǎn)單，但表象往往具有迷惑性（見(jiàn)圖 1）。1. 圖像顯示一個(gè)藍(lán)色I(xiàn)nGaN基LED帶金線觸點(diǎn)（0.4 × 0.4毫米）（a）。作為商業(yè)產(chǎn)品包裝的LED（b）。德州儀器工程師詹姆斯·R·比亞德和加里·E·皮特曼于1961年意外制造了第一個(gè)LED燈。當(dāng)時(shí)，他們合作開(kāi)發(fā)了用于X波段雷達(dá)接收器的低噪聲參數(shù)放大器，并發(fā)現(xiàn)了一種安裝在砷化鎵基板上、能發(fā)射紅外光的二極管。1962年，首款商業(yè)LEDSNX-100 GaAs LED（銨氣管）問(wèn)世。
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氮化鎵上車(chē)進(jìn)行時(shí)：從器件特性到系統(tǒng)效率的全面驗(yàn)證

_____2025年12月，匯川聯(lián)合動(dòng)力與英諾賽科共同宣布，采用650V氮化鎵的新一代6.6kW車(chē)載充電系統(tǒng)在長(zhǎng)安汽車(chē)成功裝車(chē)。這標(biāo)志著氮化鎵技術(shù)在中國(guó)新能源汽車(chē)領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步。該系統(tǒng)將車(chē)載充電器與車(chē)載直流變換器高度集成，功率密度達(dá)4.8kW/L，較傳統(tǒng)方案提升30%，重量減輕20%。這意味著，更小體積的電源模塊卻能提供更高功率的充電效率。隨著800V高壓平臺(tái)在電動(dòng)汽車(chē)中的普及，對(duì)電源系統(tǒng)的要求日益提高。技術(shù)的成熟和成本的下降，使得氮化鎵有望在多個(gè)領(lǐng)域替代傳統(tǒng)件可能成為未來(lái)發(fā)展方向。盡管氮化鎵技術(shù)前景廣
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GlobalFoundries與onsemi合作開(kāi)發(fā)200毫米氮化鎵產(chǎn)品組合

Globalfoundries（GF）與OnSemi簽署協(xié)議，采用GF的200mm eMode GaN-on-硅工藝開(kāi)發(fā)和制造先進(jìn)氮化鎵功率產(chǎn)品。初期開(kāi)發(fā)重點(diǎn)將是用于AI數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源、工業(yè)系統(tǒng)以及航空航天、國(guó)防和安全的650伏電力設(shè)備。OnSemi企業(yè)戰(zhàn)略高級(jí)副總裁Dinesh Ramanathan表示：“此次合作將Onsemi的系統(tǒng)和產(chǎn)品專(zhuān)長(zhǎng)與GlobalFoundries先進(jìn)的氮化鎵工藝相結(jié)合，為高速增長(zhǎng)市場(chǎng)交付新的650V電力設(shè)備。”他補(bǔ)充道：“我們計(jì)劃在2026年上半年開(kāi)始向客戶(hù)
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在開(kāi)關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)的注意事項(xiàng)

本文詳細(xì)討論了GaN技術(shù)，解釋了如何在開(kāi)關(guān)模式電源中使用此類(lèi)寬禁帶開(kāi)關(guān)，介紹了電路示例，并闡述了使用專(zhuān)用GaN驅(qū)動(dòng)器和控制器的優(yōu)勢(shì)。而且，文中展示了LTspice?工具，以幫助理解GaN開(kāi)關(guān)在電源中的使用情況。最后，展望了GaN技術(shù)的未來(lái)。
關(guān)鍵字：開(kāi)關(guān)模式電源氮化鎵 GaN ADI