意法半導體（ST）發布兩款全新高速半橋柵極驅動器，可將氮化鎵（GaN）的高效性、熱性能與小型化優勢，廣泛應用于各類電源及運動控制領域。

STDRIVEG212 與 STDRIVEG612 可向增強型氮化鎵高電子遷移率晶體管（eGaN HEMT）輸出精準受控的 5V 柵極驅動信號，高端工作電壓分別最高支持 220V 與 600V。兩款驅動器集成度極高，在緊湊的 QFN 封裝內集成了高端與低端 5V 線性穩壓器（LDO）、高端自舉二極管，以及欠壓鎖定（UVLO）等保護功能。

內置的快速啟動穩壓器可穩定驅動器輸出級供電電壓，確保柵極控制一致性；片上比較器在檢測到過流時會同時關斷兩顆 GaN 器件。智能關斷（SmartSD）功能可自動保持開關關斷足夠長的時間以實現降溫，故障引腳則可上報過流、過熱及欠壓鎖定狀態。

該系列驅動器專為最大化發揮 GaN 技術優勢而設計，尤其適用于運動控制等硬開關應用場景。高端與低端通道傳輸延遲僅 50ns 且高度匹配，高端啟動時間 5μs，具備 ±200V/ns 的 dV/dt 抗擾能力，可支持高轉速運行。

集成的線性穩壓器（LDO）具備大電流驅動能力，柵極泄放與驅動采用獨立通路，泄放電流可達 1.8A/1.2Ω，驅動電流 0.8A/4.0Ω。柵極驅動器輸出架構允許工程師分別設置開通與關斷阻抗，以優化 dV/dt 與 dI/dt 特性，從而省去關斷二極管。這有助于降低物料成本、減小柵極環路電感，并實現更快關斷，提升抗誤導通余量。

STDRIVEG212 與 STDRIVEG612 具備 20V 耐壓邏輯輸入與專用關斷引腳，可在待機時降低功耗，簡化系統設計與集成。EVLSTDRIVEG212 評估板 同時適用于兩款芯片，現已上市。

兩款器件均為工業級產品，工作溫度范圍為 -40℃ 至 125℃，目前已量產，采用 4mm×5mm QFN 封裝，1000 片起訂單價 1.25 美元起。