英飛凌科技股份公司近日宣布推出新型高壓分立器件系列CoolGaN? 650 V G5晶體管，該系列進一步豐富了英飛凌氮化鎵（GaN）產品組合。該新產品系列的適用范圍廣泛，包括USB-C適配器和充電器、照明、電視、數據中心、電信整流器等消費和工業開關電源（SMPS）、可再生能源，以及家用電器中的電機驅動器。最新一代CoolGaN?晶體管可直接替代CoolGaN? 600 V G1晶體管，實現了現有平臺的快速重新設計。新器件改進了性能指標，確保為重點應用帶來具有競爭力的開關性能。與主要同類產品和英飛凌之前的產
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英飛凌 氮化鎵 功率分立器件
1932年，研究人員在George Herbert Jones實驗室，將金屬鎵和氨在900℃至1000℃的高溫下進行反應，成功合成了GaN材料。近一個世紀的時間里，氮化鎵逐漸引領著功率變換領域的新一輪變革。特別是Power Integrations公司近日推出的業界首款1700V氮化鎵開關IC——InnoMux?-2系列產品，不僅刷新了氮化鎵技術的耐壓紀錄，更是以其卓越的性能和廣泛的應用前景，成為了電源管理領域的遙遙領先者。 氮化鎵逐漸成為王者 最佳開關電源技術覆蓋從十瓦至一兆瓦的廣泛
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深耕于高壓集成電路高能效功率變換領域的知名公司Power Integrations近日推出InnoMux?-2系列單級、獨立調整多路輸出離線式電源IC的新成員。新器件采用公司專有的PowiGaN?技術制造而成，是業界首款1700V氮化鎵開關IC。1700V額定耐壓進一步提升了氮化鎵功率器件的先進水平，此前的業界首創產品是Power Integrations于2023年推出的900V和1250V器件。1700V InnoMux-2 IC可在反激設計中輕松支持1000VDC額定輸入電壓，并在需要一個、兩個或三
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自德州儀器官網獲悉，日前，德州儀器公司（TI）宣布已開始在日本會津工廠生產基于氮化鎵(GaN)的功率半導體。隨著會津工廠的投產，結合其在德克薩斯州達拉斯的現有GaN制造能力，德州儀器的內部GaN基功率半導體制造能力將翻四倍。德州儀器技術與制造高級副總裁穆罕默德·尤努斯（Mohammad Yunus）表示，在GaN芯片設計和制造方面擁有十多年的豐富經驗后，TI成功地將200mm GaN技術（這是目前制造GaN的最具可擴展性和成本競爭力的方法）應用于會津工廠的量產。這一里程碑使德州儀器能夠在內部制造更多的Ga
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新聞亮點：●? ?德州儀器增加了GaN制造投入，將兩個工廠的GaN半導體自有制造產能提升至原來的四倍。●? ?德州儀器基于GaN的半導體現已投產上市。●? ?憑借德州儀器品類齊全的GaN集成功率半導體，能打造出高能效、高功率密度且可靠的終端產品。●? ?德州儀器已成功開展在12英寸晶圓上應用GaN制造工藝的試點項目。德州儀器 (TI)近日宣布，公司基于氮化鎵 (GaN) 的功率半導體已在日本會津工廠開始投產。隨著會津工廠投產，
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2023 年全球可再生能源發電量首次超過全球總發電量的 30%創歷史新高，這則消息的背后是技術的不斷創新與突破。一直以來，可再生能源利用的一大問題是缺乏彈性，比如對于光伏而言，只能根據光照進行發電，而無法根據需求而定。不過，隨著儲能技術的推進，微型逆變器和串式逆變器正朝向雙向操作技術方向演進，且隨時可以按需智能地融入電網。一個重要且可預見的趨勢是氮化鎵可作為下一代家庭太陽能生產的重要組成部分，提供更高的功率密度，更小的外部無源元件、從而降低系統成本，增加系統效率，提供智能電網的彈性。作為氮化鎵供應商的先驅
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美國和印度達成協議，將共同在印度建立一家半導體制造廠，助力印度總理莫迪加強該國制造業的雄心計劃。據白宮消息人士稱，擬建的工廠將生產紅外、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導體，這是美國總統拜登和莫迪在特拉華州會晤后發布的。消息人士稱，該工廠的建立將得到印度半導體計劃（ISM），以及Bharat Semi、3rdiTech和美國太空部隊之間的戰略技術伙伴關系的支持。印度在亞洲的戰略地緣政治地位為該國及其在技術領域所能提供的機會提供了新的關注點。在過去十年中，莫迪曾多次表示，他將把印度定位為中國的替代品，并
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第三代半導體材料氮化鎵，傳來新消息：日本半導體材料大廠信越化學為氮化鎵外延生長帶來了有力輔助。2024年9月3日，信越化學宣布研制出一種用于GaN（氮化鎵）外延生長的300毫米（12英寸）QSTTM襯底，并于近日開始供應樣品。圖片來源：信越化學從氮化鎵生產上看，盡管GaN器件制造商可以使用現有的Si生產線來生產GaN，但由于缺乏適合GaN生長的大直徑基板，因此無法從增加材料直徑中獲益。上述的300毫米QST基板具有與GaN相同的熱膨脹系數，可實現大直徑的高質量厚GaN外延生長，并抑制SEMI標準厚度的QS
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根據韓媒報道，9月2日，三星電子在第二季度引入了少量用于大規模生產GaN功率半導體的設備。GaN是下一代功率半導體材料，具有比硅更好的熱性能、壓力耐久性和功率效率。基于這些優勢，IT、電信和汽車等行業對其的需求正在增加。三星電子也注意到了GaN功率半導體行業的增長潛力，并一直在推動其進入市場。去年6月，在美國硅谷舉行的“2023年三星代工論壇”上，該公司正式宣布：“我們將在2025年為消費電子、數據中心和汽車領域推出8英寸GaN功率半導體代工服務。”根據這一戰略，三星電子第二季度在其器興工廠引入了德國愛思
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_____在泰克先進半導體開放實驗室，2024年8月份，我們有幸見證了量芯微（GaN Power）新一代1200V氮化鎵（GaN）功率器件的動態參數測試。量芯微作為全球首家成功流片并量產1200V氮化鎵功率器件的廠商，其最新產品在性能上的顯著提升，不僅展現了技術的進步，也為我們的客戶帶來了新的解決方案。測試概覽今年8月，我們收到了量芯微提供的新一代高壓氮化鎵器件，其額定工作條件提升至1200V/20A（70mΩ），在柵極電壓12V的條件下，輸出電流提升至20A以上。這一性能的提升，使得量芯微的GaN器件在
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前言HUAWEI華為旗下快充產品相當多，除了隨機附送的充電器外，這些年還陸續推出過多口充、超薄快充以及全能充等產品，其中全能充系列涵蓋了快充充電器、車載充電器以及磁吸無線充移動電源等品類，功率也有66W、88W、100W可選。可以說光是這個系列的產品，就相當琳瑯滿目了。華為100W全能充多口充電器P0018是華為近期推出的新品，這款充電器除了配置代表性的干涉型融合端口外，還額外擁有一個獨立的USB-C接口，這便使得充電器具有了同時為兩個華為系設備供電的能力。下面充電頭網就對華為這款新品進行詳細拆解，一起來
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前言HP惠普是知名的國際電腦品牌，平時大家遇到的惠普電源多為大功率大尺寸的筆記本電源適配器，雖說大品牌的產品在用料規格和做工方面沒得說，但終歸不便攜。而隨著快充的普及，近期充電頭網拿到了惠普一款符合當下主流消費者需求的65W氮化鎵快充充電器。這款充電器配置2C1A三個主流USB接口，不僅支持最大65W快充，還支持45W+20W等輸出策略，此外這款充電器還支持國內新興的UFCS融合快充，可以說完全是一款針對國內市場推出的快充產品。下面充電頭網就對其進行拆解，看看做工用料如何。惠普65W氮化鎵快充充電器開箱包
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8月13日，瑞典企業SweGaN宣布，公司生產碳化硅基氮化鎵（GaN on SiC）晶圓的新工廠已開始出貨，產品將用于下一代5G先進網絡高功率射頻應用。資料顯示，SweGaN新工廠位于瑞典林雪平，于2023年3月動工建設，可年產4萬片4/6英寸碳化硅基氮化鎵外延片。SweGaN表示，旗下新工廠開始出貨標志著公司從一家無晶圓廠設計廠商，正式轉型為一家半導體制造商。合作方面，今年上半年，SweGaN與未公開的電信和國防公司簽訂了三份重要的供貨協議，使其訂單量翻了一番，達到1700萬瑞典克朗（折合人民幣約115
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全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）將于8月28日～30日參加在深圳國際會展中心（寶安新館）舉辦的2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會（以下簡稱PCIM Asia）（展位號：11號館D14）。屆時，將聚焦碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導體，展示其面向工業設備和汽車領域的豐富產品陣容及解決方案。同時，羅姆工程師還將在現場舉辦的“寬禁帶半導體器件— 氮化鎵及碳化硅論壇”以及“電動汽車論壇”等同期論壇上發表演講，分享羅姆最新的功率電子技術成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進的碳化硅
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近年來，隨著科技的不斷進步和全球對綠色低碳發展的需求日益增長，半導體行業迎來了前所未有的發展機遇。氮化鎵（GaN）作為一種新型半導體材料，以其高功率、高效率、耐高溫等特性，在消費電子、電動汽車、可再生能源等多個領域展現出巨大的應用潛力。作為全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者，英飛凌在氮化鎵領域持續深耕，通過戰略布局、技術創新、市場應用拓展等不斷鞏固其市場地位。近日，英飛凌在上海慕尼黑展會期間舉辦了一場專門的氮化鎵新品媒體溝通會，會上英飛凌科技大中華區消費、計算與通訊業務市場總監程文濤先生以及英飛凌科技
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