12 月 14 日消息，參考媒體 Light Reading 報道，NXP 恩智浦已做出了關閉亞利桑那州錢德勒 ECHO Fab 晶圓廠的決定，該企業也將退出氮化鎵 (GaN) 半導體 5G PA（功率放大器）芯片的制造。2020 年 9 月投產的 ECHO Fab 當時是最先進的同類生產設施。而在 2027 年第一季度，這座生命周期不到七年的 6 英寸晶圓廠將完成最后一片晶圓的生產。恩智浦在一份郵件中表示：近年來，由于移動運營商投資回報不足，5G 部署進程放緩，全球 5G 基站部署數量遠低于最初預期。鑒
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2025年12月4日，九風山（JFS）實驗室宣布了一項重大技術突破——氮化鎵（GaN）動力模塊的成功開發。這些大約拇指大小的“黑盒子”，每個大約有百萬個縮略圖，可以集成到一個1吉瓦（10億瓦）的超大規模AI計算柜中。一旦部署，整機架預計每年可節省近3億千瓦時電力，約合2.4億元人民幣的電力成本。項目負責人李思超博士表示，該技術已完成概念驗證，即將進入試點規模驗證。預計3至5年內實現量產，目標市場需求潛力達數千億元人民幣。吉瓦級計算技術激增推動AI數據中心日益擴大的能源缺口如今的AI計算中心運行在一個本質上
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航天器必須搭載抗輻射（rad-hard）電子設備，因為輻射極易導致電子器件故障。因此，電源管理器件對于為衛星和航天器上的所有電子設備供電至關重要，尤其是當航天器內有宇航員時。例如，深空任務可能會遭遇背景輻射產生的中子、放射性同位素熱電機（RTGs）以及其他有害核輻射源（圖 1）；而近地及大氣層環境中的設備則會受到銀河宇宙射線（GCRs）及其二次輻射的影響。1. 太空環境會引發一系列嚴酷的影響。此外，太空中的長期輻射效應還會影響宇航員和航天器電子設備。總電離劑量（TID）水平將在組件芯片層級接收，計算有源部
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安森美（onsemi）近日宣布已與英諾賽科（Innoscience）簽署諒解備忘錄，雙方將探索利用英諾賽科成熟的200毫米氮化鎵（GaN）硅基工藝，以擴大 GaN 功率器件的生產規模。該合作將整合安森美在系統集成、驅動器和封裝方面的專業能力，以及英諾賽科成熟先進的 GaN 制造能力，旨在加速推出高性價比、節能高效的解決方案，推動 GaN 技術普及進程。新聞概要：●? ?此次合作將擴展安森美的中低壓GaN功率產品組合，并在全球范圍內擴大GaN制造規模，從而加快產品上市速度并推動更廣泛的應
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onsemi與Innoscience于12月2日簽署了諒解備忘錄（MoU），加快氮化鎵（GaN）電源設備的部署，起步于40–200V電壓產品。安塞米預計采樣將在2026年上半年開始，正如其新聞稿所述。該合作旨在將Onsemi在集成系統方面的專業知識與Innoscience的8英寸氮化鎵技術相結合，支持工業、汽車、電信基礎設施、消費及人工智能數據中心應用的產品。據中國媒體ICrank報道，此次合作融合了互補優勢：Innoscience的晶圓產能支持量產，而安賽米的封裝和系統集成技術則提升器件性能。這一基礎得
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英飛凌科技股份公司近日宣布將為Enphase Energy, Inc.（ENPH）新一代光伏微型逆變器提供其突破性的氮化鎵（GaN）技術。Enphase Energy是一家全球領先的能源技術公司，同時也是光伏及電池系統微型逆變器領域全球領先的供應商。英飛凌的CoolGaN?雙向開關（BDS）技術可大幅提升Enphase IQ9系列微型逆變器的輸出功率、能源效率及系統可靠性，有助于簡化新一代IQ9N-3P?商用微型逆變器的設計復雜性，并降低其安裝和系統平衡成本。采用英飛凌氮化鎵技術的Enphase Ener
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格羅方德（GF）日前宣布，與臺積電就650V和80V氮化鎵（GaN）技術達成技術許可協議。這一戰略布局將加速格羅方德面向數據中心、工業和汽車電源應用的下一代氮化鎵產品的開發，并為全球客戶提供美國本土的氮化鎵產能。Source:?Getty/ Wiyada Arunwaikit隨著傳統硅互補型金屬氧化物半導體（CMOS）技術的性能達到極限，氮化鎵正被認為是一個更優的解決方案，以滿足電源系統對更高效率、功率密度和緊湊性日益增長的需求。格羅方德正在開發全面的氮化鎵產品組合，包括高性能650V和80V技
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半導體行業充滿知名的定律。其中最著名的是英特爾聯合創始人戈登·摩爾 （Gordon Moore） 指出，IC 上的組件數量每年翻一番。許多人還知道羅伯特·德納德 （Robert Denard） 制定的定律：隨著晶體管尺寸的減小，功率密度沒有變化，因為電壓和電流會隨著通道的長度而變化。但請注意，自上世紀九十年代中期以來，丹納德縮放似乎已經崩潰。化合物半導體行業也有法律。也許您聽說過海茨定律，該定律指出，LED 的每流明成本每十年下降十倍，并且對于給定的波長，封裝設備產生的光會增加 20 倍。最近，由于我參與
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垂直 GaN 晶體管有很多話要說。與其水平兄弟產品相比，它在給定的封裝下提供更高的擊穿電壓和電流，同時提供卓越的可靠性并簡化熱管理。然而，初創企業將垂直氮化鎵晶體管商業化的努力失敗了，如今，橫向變體在商業上取得了成功，部分原因是建立了一個“殺手級”應用，即移動設備的快速充電。阻礙卓越幾何形狀的成功是其原生基礎。除了價格高昂之外，GaN 襯底的尺寸也有限，典型直徑僅為 50 mm。這可以防止在受益于規模經濟的成熟 200 毫米生產線上制造設備，以及使用更現代化的加工設備。Vertical Semicondu
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EPC設計了一種用于機器人肢體關節的基于GaN的電機驅動器。眾所周知，EPC91120是一款評估板，采用直徑為 32 毫米的圓形封裝的三相無刷直流電機驅動器，旨在直接內置到機器人電機組件中，特別是與機器狗的一部分的 Unitree A1 電機一起使用。它具有三個EPC23102單片 GaN 半橋 IC、一個板載 STM32G431CBU6 微控制器、電流傳感、電壓傳感、一個磁編碼器接口和 RS485 通信。工作電壓范圍為 15 至 55Vdc，可提供高達 15Arms 的功率和 30Arms 的脈沖（最大
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Power Integrations 最近概述了 1,250 V 和 1,700V PowiGaN 技術在為下一代 AI 數據中心供電方面的實用性，強調了其 PowiGaN 氮化鎵 （GaN） 技術在為下一代 AI 數據中心供電方面的效用。它在圣何塞舉行的 2025 年 OCP 全球峰會上發布的白皮書中進行了介紹，NVIDIA 還在合作中提供了 800V DC 架構的最新信息，以加速向 800V 直流電源和兆瓦級機架的過渡。本文揭示了1,250V PowiGaN H
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氮化鎵（GaN）已成為功率電子市場的主要增長引擎。憑借優越的材料特性，GaN 在高頻、高效率和緊湊型電源應用中具有獨特優勢，推動多個行業領域進入新一輪的技術變革。根據 TrendForce 的預測，GaN 功率器件市場預計將從 2024 年的 3.9 億美元增長到 2030 年的 35.1 億美元，復合年增長率（CAGR）為 44%。氮化鎵技術最初在消費電子產品的快充器中獲得了關注，其高效率和功率密度使得充電器更小、更便攜。如今，氮化鎵應用正迅速擴展到需要更高可靠性和性能的高端工業和汽車領域。關鍵的新興應
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美國加州大學洛杉磯分校 （UCLA） 和密歇根大學安娜堡分校聲稱增強模式 N 極性深凹槽 （NPDR） 氮化鎵 （GaN） 高電子遷移率晶體管 （HEMT） 具有破紀錄的小信號性能 [Oguz Odabasi 等人，IEEE 電子器件快報，2025 年 7 月 3 日在線發表]。特別是，122GHz 的高頻率T截止頻率可實現 9.1GHz-μm f 的高值TxLG盡管柵極長度很短，但品質因數很短 （LG).該團隊認為該器件結構在高頻、高功率應用中很有前途。研究人員認為 N 極性氮化鎵的優勢包括“
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