- 意法半導體（STMicroelectronics）推出兩款半橋氮化鎵（GaN）柵極驅動器，專為電源轉換與運動控制系統的高速開關應用設計。產品通過在單芯片內集成核心控制與保護功能，助力實現更緊湊、更高效的系統方案。對于從事工業驅動或電源級設計的讀者而言，這一發布體現了寬禁帶器件向高集成度發展的大趨勢，控制精度與保護能力的重要性日益凸顯。面向 GaN 開關的集成控制與保護STDRIVEG212 與 STDRIVEG612 專為驅動增強型 GaN HEMT 設計，提供穩定的 5V 柵極驅動信號。兩款器件分別支持
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運動控制 電源 意法半導體 氮化鎵 柵極驅動器 STDRIVEG212 STDRIVEG612
- 4 月 9 日，英特爾代工服務（Intel Foundry Services）宣布重大技術突破，成功研發出全球最薄氮化鎵（GaN）芯粒。其硅襯底厚度僅19 微米，約為人類頭發絲直徑的 1/5。該芯粒基于300 毫米（12 英寸）硅基氮化鎵晶圓制造，采用英特爾自研隱切減薄工藝，在實現極致超薄形態的同時，保持結構完整性與性能穩定性。更具突破性的是，團隊首次實現氮化鎵功率晶體管與硅基數字邏輯電路的單片集成。通過將復雜計算功能直接嵌入電源芯粒，無需額外輔助芯片，大幅簡化系統架構并降低組件間能量損耗。性能測試結果顯
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- 意法半導體（ST）發布兩款全新高速半橋柵極驅動器，可將氮化鎵（GaN）的高效性、熱性能與小型化優勢，廣泛應用于各類電源及運動控制領域。STDRIVEG212 與 STDRIVEG612 可向增強型氮化鎵高電子遷移率晶體管（eGaN HEMT）輸出精準受控的 5V 柵極驅動信號，高端工作電壓分別最高支持 220V 與 600V。兩款驅動器集成度極高，在緊湊的 QFN 封裝內集成了高端與低端 5V 線性穩壓器（LDO）、高端自舉二極管，以及欠壓鎖定（UVLO）等保護功能。內置的快速啟動穩壓器可穩定驅動器輸出級
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- 瑞薩電子推出業內首款雙向 650V 級氮化鎵（GaN）開關，旨在簡化太陽能微型逆變器、人工智能數據中心、電動汽車車載充電器等應用中的功率轉換設計。該公司表示，新款 TP65B110HRU 在單顆器件中集成了雙向電流阻斷功能，無需傳統的背對背場效應晶體管（FET）配置。這一研發成果意義重大，它解決了大功率轉換設計中長期存在的能效與復雜度難題，同時契合行業向更高密度、更簡化架構發展的趨勢。邁向單級功率轉換據官方介紹，傳統功率轉換系統依賴單向硅基或碳化硅（SiC）開關，這就需要采用多級架構。以太陽能微型逆變器為
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瑞薩電子 氮化鎵 雙向開關
- 2026 年 3 月，當全球半導體產業仍在后摩爾定律的迷霧中探索前行時，氮化鎵（GaN）正以驚人的速度從「替代技術」蛻變為「必需技術」。Yole 與集邦咨詢的最新數據為這一判斷提供了堅實注腳：2026 年全球 GaN 功率器件市場規模預計將達到 9.2 億美元，較 2025 年增長 58%——這不僅兌現了年初「暴增 50%」的行業預測，更標志著寬禁帶半導體正式進入大規模商業化落地的臨界點。在這場由人工智能、電動汽車和能源轉型共同驅動的「功率革命」中，GaN 已不再是硅基器件的配角，而是正在重塑電
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- 全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出CoolGaN? Drive HB 600 V G5產品系列，進一步擴大了其CoolGaN?產品組合。四款新產品IGI60L1111B1M、IGI60L1414B1M、IGI60L2727B1M和IGI60L5050B1M均采用半橋配置并在其中集成了兩個600V氮化鎵（GaN）開關，帶有高低側柵極驅動器與自舉二極管，提供緊湊且散熱優化的功率級，進一步降低設計復雜度。通過將諸多關鍵功能集成到一個
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- 德州儀器(TI)正研發氮化鎵功率器件，為人形機器人打造更小型、更高能效的電機關節。隨著全身人形機器人的興起，支撐其運動的電機控制器、功率電子器件和散熱系統，必須提供比以往更強的動力、更高的精度和更高的效率。為了實現與人類相近的活動范圍，機器人全身通常需要部署約40 個伺服電機—— 一般是永磁同步電機（PMSM）或無刷直流電機（BLDC）。這些電機分布在身體不同部位，主要集中在頸部、軀干、手臂、腿部、腳趾及其他關節（手部除外）。為模擬人類的靈巧性，單只機械手可集成超過 10 個額外電機，用于控制獨立手指與抓
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- 氮化鎵（GaN）功率器件正加速拓展至人工智能數據中心、機器人、電動汽車、可再生能源等多個行業，同時還切入數字醫療、量子計算等新興領域，這一趨勢推動氮化鎵市場從今年到 2030 年實現顯著增長。尤其在數據中心市場，采用新型拓撲結構的氮化鎵電源相比硅基電源，能實現更高的效率和功率密度，功耗損耗最多可降低 30%，助力打造更高效、更緊湊的數據中心架構。應用于人形機器人的氮化鎵電機驅動器，體積可縮小 40%，還能提升精細動作的控制精度。英飛凌氮化鎵業務線高級副總裁兼總經理約翰內斯?朔伊斯沃爾博士在接受《歐洲電子工
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- 意法半導體近日推出全新的智能功率器件，使家用電器和工業驅動設備能夠利用最新的氮化鎵（GaN）技術，顯著提升能效、增強性能并降低成本。目前市場上已有的GaN電源適配器和充電器可為筆記本電腦和USB-C快充提供高功率輸出，并實現極高的轉換效率，以滿足日益嚴苛的生態設計法規要求。而意法半導體此次推出的新型GaN集成電路（IC），首次將該技術拓展至電機驅動領域，適用于洗衣機、吹風機、電動工具以及工廠自動化等產品。意法半導體專用產品部總經理Domenico Arrigo表示：“我們的全新GaNSPIN系統級封裝（S
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- 從以可再生能源為主的電網到人工智能數據中心，各領域的電力需求都在持續攀升，這也對電力電子器件提出了更高要求 —— 需要在更小的空間內實現更優性能。電力的傳輸需要經過復雜的直流 - 直流轉換流程，電壓等級會從電網的高壓逐步降至高端處理器所需的毫伏級。為應對這些挑戰，新一代直流 - 直流轉換器應運而生，實現了多項技術突破：直流微電網中靈活電力流的新拓撲結構。基于SiC和GaN的新型電源開關，用于電動汽車（EV）中的緊湊高頻開關。磁性和被動集成的新創新，旨在減少服務器機架深層的損耗。用于直流微電網的不同直流-直
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- 簡介英飛凌正式推出CoolGaN 100V G1系列車規級晶體管，并開始提供符合AEC-Q101汽車應用標準的預量產樣品，包括CoolGaN高壓（HV）車規級晶體管及多種雙向開關。此舉彰顯了英飛凌為滿足汽車行業不斷變化的需求而持續提供創新解決方案的承諾——包括從適用于低壓車載信息娛樂系統的新型100V GaN晶體管，到面向未來車載充電器和牽引逆變器的高壓產品解決方案。 產品特色AEC-Q101 獲得資格100 V e模功率晶體管雙側冷卻封裝無反向回收裝藥超低功績 產品優點同級最佳功率密
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- 很難想象，首款藍光 LED 的問世時間竟然晚至 1993 年。這類器件看似構造簡單，但表象往往具有迷惑性（見圖 1）。1. 圖像顯示一個藍色InGaN基LED帶金線觸點（0.4 × 0.4毫米）（a）。作為商業產品包裝的LED（b）。德州儀器工程師詹姆斯·R·比亞德和加里·E·皮特曼于1961年意外制造了第一個LED燈。當時，他們合作開發了用于X波段雷達接收器的低噪聲參數放大器，并發現了一種安裝在砷化鎵基板上、能發射紅外光的二極管。1962年，首款商業LEDSNX-100 GaAs LED（銨氣管）問世。
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- _____2025年12月，匯川聯合動力與英諾賽科共同宣布，采用650V氮化鎵的新一代6.6kW車載充電系統在長安汽車成功裝車。這標志著氮化鎵技術在中國新能源汽車領域邁出關鍵一步。該系統將車載充電器與車載直流變換器高度集成，功率密度達4.8kW/L，較傳統方案提升30%，重量減輕20%。這意味著，更小體積的電源模塊卻能提供更高功率的充電效率。隨著800V高壓平臺在電動汽車中的普及，對電源系統的要求日益提高。技術的成熟和成本的下降，使得氮化鎵有望在多個領域替代傳統件可能成為未來發展方向。盡管氮化鎵技術前景廣
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- Globalfoundries（GF）與OnSemi簽署協議，采用GF的200mm eMode GaN-on-硅工藝開發和制造先進氮化鎵功率產品。初期開發重點將是用于AI數據中心、電動汽車、可再生能源、工業系統以及航空航天、國防和安全的650伏電力設備。OnSemi企業戰略高級副總裁Dinesh Ramanathan表示：“此次合作將Onsemi的系統和產品專長與GlobalFoundries先進的氮化鎵工藝相結合，為高速增長市場交付新的650V電力設備?！彼a充道：“我們計劃在2026年上半年開始向客戶
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- 本文詳細討論了GaN技術，解釋了如何在開關模式電源中使用此類寬禁帶開關，介紹了電路示例，并闡述了使用專用GaN驅動器和控制器的優勢。而且，文中展示了LTspice?工具，以幫助理解GaN開關在電源中的使用情況。最后，展望了GaN技術的未來。
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