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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 臺(tái)積電、1nm

臺(tái)積電、1nm 文章 最新資訊

張忠謀：大陸對(duì)晶圓廠影響是擴(kuò)大產(chǎn)能

  • 　　臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀昨(22)日表示，中國(guó)大陸積極發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，興建12寸晶圓廠，將使成熟制程產(chǎn)能競(jìng)爭(zhēng)加劇，但臺(tái)積電會(huì)用技術(shù)差異維持領(lǐng)先。 　　張忠謀并提到臺(tái)積電在智慧手機(jī)取得關(guān)鍵領(lǐng)先地位，未來(lái)幾年還可以靠它持續(xù)成長(zhǎng)，但下波成長(zhǎng)動(dòng)能包括高速運(yùn)算、人工智慧、車電及物聯(lián)網(wǎng)也做好布局，有信心在晶圓代工維持領(lǐng)先地位。 　　張忠謀強(qiáng)調(diào)，大陸未來(lái)估計(jì)有超過(guò)10座12寸晶圓廠會(huì)投入生產(chǎn)，包括當(dāng)?shù)丶巴赓Y前往設(shè)廠，對(duì)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最大的影響，恐怕是增加產(chǎn)能，讓28奈米以上的成熟制程競(jìng)爭(zhēng)加劇。 　　目前臺(tái)積電從40
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中芯國(guó)際上海建新12寸廠 為挑戰(zhàn)臺(tái)積電南京廠？

  • 　　中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)在政策的積極扶植下，大肆擴(kuò)張晶圓廠產(chǎn)能，正興建中及提出興建計(jì)劃就有八座十二寸晶圓工廠。中國(guó)最大晶圓代工中芯國(guó)際上海新十二寸廠本月動(dòng)工，擬2018年初投產(chǎn)14納米制程晶圓、月產(chǎn)能七萬(wàn)片，欲強(qiáng)壓全球晶圓代工一哥臺(tái)積電南京廠同年投產(chǎn)的十六納米制程晶圓、月產(chǎn)能二萬(wàn)片。 　　中芯上海新十二寸廠本月動(dòng)工，月產(chǎn)能七萬(wàn)片，欲強(qiáng)壓全球晶圓代工一哥臺(tái)積電南京廠的二萬(wàn)片。 　　2018年初投產(chǎn) 　　中國(guó)“十三五(第十三個(gè)五年)”規(guī)劃，把半導(dǎo)體列為實(shí)踐“中國(guó)制造2025&
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臺(tái)積電宣布7nm芯片開造：已獲得Synopsys認(rèn)證

  • 　　前幾天，三星剛剛宣布開始量產(chǎn)10nm芯片，也許明年的三星Exynos 8895或驍龍830都能用上這項(xiàng)最新技術(shù)。 　　不過(guò)，這一風(fēng)頭還沒享受幾天就被臺(tái)積電給奪走了，這家芯片巨頭表示它們已經(jīng)獲得了新思科技(Synopsys，為全球集成電路設(shè)計(jì)提供電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化軟件工具的主導(dǎo)企業(yè))的認(rèn)證，即將開始測(cè)試7nm制程的移動(dòng)芯片。 　　據(jù)悉，全新的7nm制程芯片在體積上將繼續(xù)瘦身，可以為電池留出更多空間，同時(shí)其性能和功耗表現(xiàn)也會(huì)得到進(jìn)一步提升。眼下，臺(tái)積電已經(jīng)掌握了超低電壓生產(chǎn)技術(shù)，它們完全能勝任7nm芯片的
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臺(tái)積電搶下中芯大客戶FPC指紋識(shí)別芯片大單 8寸廠產(chǎn)能爆滿

  • 　　根據(jù)平面媒體《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》的報(bào)導(dǎo)，中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的晶圓代工龍頭臺(tái)積電，因?yàn)槿涨皳屜略行緡?guó)際大客戶-瑞典FingerprintCards(FPC)指紋識(shí)別芯片大單。由于目前正在產(chǎn)能認(rèn)證階段，若順利將于2017年的第1季投產(chǎn)，也將造成2017年起臺(tái)積電8寸廠產(chǎn)能爆滿的情況。 　　報(bào)導(dǎo)中指出，F(xiàn)PC為中國(guó)指紋識(shí)別芯片最大供應(yīng)商，品牌手機(jī)廠華為、酷派、魅族、中興等一線手機(jī)大廠都是其客戶，市占率高達(dá)七成以上。過(guò)去兩年多來(lái)，F(xiàn)PC都是交由中芯國(guó)際代工，除了被中芯國(guó)際視為重點(diǎn)扶植產(chǎn)品之外，F(xiàn)PC也是中芯國(guó)際的重量級(jí)
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臺(tái)積電攜手新思科技 開發(fā)7納米制程設(shè)計(jì)平臺(tái)

  • 　　半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司新思科技(Synopsys)17日宣布，將與晶圓代工龍頭臺(tái)積電合作推出針對(duì)高效能運(yùn)算(High Performance Compute)平臺(tái)的創(chuàng)新技術(shù)，而這些新技術(shù)是由新思科技與臺(tái)積電合作的7納米制程Galaxy設(shè)計(jì)平臺(tái)的工具所提供。 　　據(jù)了解，此次兩家公司共同開發(fā)的技術(shù)包括：通路銅柱(via pillar)、多源樹合成(TCS)和混合時(shí)脈網(wǎng)格(clock mesh)，以及可配合關(guān)鍵網(wǎng)(critical net)上阻力及電阻的自動(dòng)化匯流排繞線(automated bus routin
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臺(tái)積電不懼三星：自信將奪得A11芯片訂單

  • 　　和上一代產(chǎn)品一樣，iPhone 7/7 Plus 所搭載的A10 芯片仍然采用的是老制程——三星的14nm 工藝和臺(tái)積電的16nm 工藝。不過(guò)，三星已于近日率先宣布10nm 制程已進(jìn)入量產(chǎn)階段，成為業(yè)界第一家。臺(tái)積電對(duì)此反應(yīng)如何?威鋒網(wǎng)消息，臺(tái)積電聯(lián)合CEO 劉德音在媒體采訪中表示，臺(tái)積電先進(jìn)制程持續(xù)領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，他們對(duì)自家技術(shù)非常有信心。 　　按照臺(tái)積電的計(jì)劃，該公司的10nm 制程芯片將于2017 年第一季度出貨，從時(shí)間上看比三星稍晚。但是臺(tái)積電對(duì)此并不擔(dān)心，他們認(rèn)為在爭(zhēng)
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1nm晶體管現(xiàn)身！

  • 　　以物理學(xué)規(guī)則來(lái)看，電晶體的最小尺寸被認(rèn)為是5奈米，但透過(guò)采用碳奈米管制作電晶體閘極，這個(gè)極限已經(jīng)被突破… 　　碳奈米管從過(guò)去幾十年就已經(jīng)用于制作實(shí)驗(yàn)性電晶體，但大多是當(dāng)做電晶體通道(channel);美國(guó)勞倫斯柏克萊國(guó)家實(shí)驗(yàn)室(Lawrence Berkeley National Laboratory)的研究人員則是以奈米碳管制作閘極(gate)，并因此實(shí)現(xiàn)了號(hào)稱全世界最小的電晶體。 　　   　　采用二硫化鉬(molybdenum disulfide)通道與單奈米
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為什么說(shuō)7nm是物理極限？如何看待晶體管制程從14nm縮減到了1nm？

  • 　　適用了20余年的摩爾定律近年逐漸有了失靈的跡象。從芯片的制造來(lái)看，7nm就是硅材料芯片的物理極限。不過(guò)據(jù)外媒報(bào)道，勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)打破了物理極限，采用碳納米管復(fù)合材料將現(xiàn)有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。那么，為何說(shuō)7nm就是硅材料芯片的物理極限，碳納米管復(fù)合材料又是怎么一回事呢?面對(duì)美國(guó)的技術(shù)突破，中國(guó)應(yīng)該怎么做呢? 　　XX nm制造工藝是什么概念? 　　芯片的制造工藝常常用90nm、65nm、40nm、28nm、22nm、14nm來(lái)表示，比如Intel最新的六代酷
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臺(tái)積電或靠7nm制程稱霸全球半導(dǎo)體市場(chǎng)

  • 以制程進(jìn)度分析，臺(tái)積電可望在2017年和2018年，相繼靠著10nm及7nm，稱霸全球半導(dǎo)體市場(chǎng)，并拉開和三星及英特爾二大強(qiáng)敵差距。
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1nm晶體管能否改寫摩爾定律的命運(yùn)？

  • 隨著芯片技術(shù)的發(fā)展，摩爾定律所預(yù)言的發(fā)展軌跡似乎已逼近終點(diǎn)。這意味著，固守傳統(tǒng)思路的芯片制造商將舉步維艱。
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臺(tái)積電要加快開發(fā)微細(xì)半導(dǎo)體 甩開三星

  • 　　全球最大半導(dǎo)體代工企業(yè)中國(guó)臺(tái)灣集成電路制造(簡(jiǎn)稱臺(tái)積電、TSMC)將加快尖端技術(shù)的開發(fā)。該公司計(jì)劃投入300～400人的研發(fā)團(tuán)隊(duì)全面啟動(dòng)將電路線寬縮小至3納米(納米為10億分之1米)的微細(xì)產(chǎn)品開發(fā)。預(yù)計(jì)到2020年以后啟動(dòng)量產(chǎn)。該公司顯示出在技術(shù)開發(fā)速度上要將韓國(guó)三星電子等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手甩在身后的姿態(tài)。 　　臺(tái)積電共同執(zhí)行官(CEO)劉德音近期出席在中國(guó)臺(tái)灣北部新竹市舉行的行業(yè)團(tuán)體會(huì)議時(shí)透露了上述消息。臺(tái)積電的主要業(yè)務(wù)是生產(chǎn)智能手機(jī)用大規(guī)模集成電路(LSI)，包括美國(guó)蘋果和大陸企業(yè)等在內(nèi)，擁有廣泛客戶。劉
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計(jì)算技術(shù)界的重大突破：1nm晶體管誕生

  • 晶體管的制程大小一直是計(jì)算技術(shù)進(jìn)步的硬指標(biāo)。晶體管越小，同樣體積的芯片上就能集成更多，這樣一來(lái)處理器的性能和功耗都能會(huì)獲得巨大進(jìn)步。
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臺(tái)積電10nm 聯(lián)發(fā)科搶頭香

  • 　　晶圓代工龍頭臺(tái)積電已完成10奈米技術(shù)及產(chǎn)能認(rèn)證，第四季率先進(jìn)入量產(chǎn)投片階段，首顆采用臺(tái)積電10奈米量產(chǎn)的晶片，正是聯(lián)發(fā)科即將在明年第一季末推出的旗艦級(jí)手機(jī)晶片Helio X30。 　　聯(lián)發(fā)科希望藉由臺(tái)積電在晶圓代工市場(chǎng)的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)來(lái)打造Helio X30，以對(duì)抗采用三星10奈米生產(chǎn)的高通Snapdragon 830。 　　臺(tái) 積電最新10奈米制程將在第四季開始量產(chǎn)投片，聯(lián)發(fā)科強(qiáng)調(diào)，第一顆采用臺(tái)積電10奈米投產(chǎn)的晶片，就是新一代Helio X30手機(jī)晶片。對(duì)臺(tái)積電而言，10奈米已陸續(xù)獲得客戶新款晶
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7nm制程大戰(zhàn)或提前開打 臺(tái)積電/英特爾/三星將一決勝負(fù)

  • 　　外電傳出臺(tái)積電7納米制程可望提前在2017年進(jìn)入試產(chǎn)，且4月開始接受客戶下單，雖無(wú)法證實(shí)，但業(yè)界認(rèn)為，三星電子(Samsung Electronics)、英特爾(Intel)其實(shí)沒有將真正的重心放在10納米制程，而是視7納米為真正的對(duì)決關(guān)鍵，因此各廠可能都會(huì)陸續(xù)讓7納米制程大戰(zhàn)提前開打。 　　臺(tái)積電、三星、英特爾在晶圓代工領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)頗為微妙，雖然三星在14納米FinFET制程領(lǐng)先臺(tái)積電的16納米量產(chǎn)，且搶下大客戶高通(Qualcomm)，但經(jīng)過(guò)兩年的試煉，三星終究沒拿下蘋果(Apple)處理器訂單，
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全球純晶圓代工業(yè)者40納米以下高階制程銷售額將年增23%

  • 　　根據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights最新修訂的“2016年全球IC市場(chǎng)分析與預(yù)測(cè)”，40納米以下高階制程在純晶圓代工業(yè)者(Pure-Play Foundry)制程中扮演的角色越來(lái)越重要，尤其是如臺(tái)積電、GlobalFoundries、聯(lián)電與中芯國(guó)際(SMIC)等主要業(yè)者，更是在高階制程 的采用上扮演了重要的角色。 　　IC Insights預(yù)估，2016年全球純晶圓代工業(yè)者合計(jì)銷售額為451.02億美元，年增8.1%。其中采用40納米以下高階制程的產(chǎn)品銷售額為194.87億美元
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