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中國寬禁帶芯片企業發展分化:氮化鎵射頻高歌猛進,碳化硅盈利承壓

作者: 時間:2026-05-14 來源: 收藏

2026 年一季度,中國半導體產業(涵蓋 SiC GaN)業績分化明顯。受 5G 基站建設、電動汽車車載充電機(OBC)強勁需求拉動,(GaN RF)企業營收大漲;反觀功率器件廠商,受價格戰加劇、產能擴張帶來的折舊成本攀升影響,盈利壓力持續加大。

領跑;設備、車用開始兌現收益

聞泰科技:乘風 5G 與衛星互聯網

聞泰科技一季度營收同比增長79.05%,領跑行業,核心動力來自子公司氮化鎵業務。作為國內氮化鎵射頻龍頭,其產品已批量供應 5G 宏基站、衛星互聯網終端,疊加軍工電子訂單激增,單季營收突破10 億元。同時,公司碳化硅功率器件已批量供貨頭部車企車載充電機系統,形成第二增長曲線。

揚杰科技:鞏固車用市場,盈利韌性凸顯

揚杰科技一季度營收、凈利潤雙增長,核心得益于車規級碳化硅功率器件突破。首條碳化硅芯片產線實現量產,覆蓋650V–1700V全電壓平臺;車用功率模塊封裝項目投產,獲多家一級供應商訂單。伴隨800V 高壓電動車平臺普及,碳化硅模塊需求旺盛,疊加工業光伏領域穩定訂單,公司碳化硅相關營收同比增長超50%,成為核心盈利引擎。

中微公司:氮化鎵 MOCVD 龍頭,盈利彈性釋放

中微公司一季度凈利潤同比大增197.20%(含處置皮安科技股權一次性收益3.97 億元),扣非凈利潤同比增長60.09%,主業穩健。公司氮化鎵 MOCVD 設備國內市占率領先,受益于氮化鎵射頻、Mini LED、功率器件產能擴張,訂單飽滿;碳化硅 / 氮化鎵功率器件 MOCVD 設備進入客戶驗證,預計下半年批量出貨,打開長期增長空間。

碳化硅襯底與 IDM 廠商:折舊與價格戰拖累業績

天岳先進:碳化硅襯底轉虧

國內碳化硅襯底龍頭天岳先進一季度營收同比下滑10.41%,凈虧損6051 萬元(去年同期盈利)。核心原因:行業價格戰持續,6 英寸襯底價格同比大跌超 30%8 英寸產線擴產推高單位成本,毛利率持續為負。不過,6/8 英寸襯底總出貨量環比增長3.58%,預計隨產能利用率提升、良率改善,盈利逐步修復。

三安光電:傳統與新興業務雙重承壓

三安光電一季度營收、凈利潤大幅下滑,處于業務轉型陣痛期:傳統LED 業務需求疲軟、價格下跌,營收同比下滑超40%碳化硅襯底、射頻濾波器等新業務仍處產能擴張期,湖南碳化硅工廠折舊高企、客戶認證周期長,盈利滯后。盡管如此,碳化硅器件通過部分車企認證、射頻濾波器小批量供貨通信基站,長期成長邏輯不變。

斯達半導:折舊激增拖累利潤

斯達半導一季度營收同比下滑6%,凈利潤大跌74.32%。主因:全資芯片制造子公司多條產線投產、尚處爬坡期,折舊費用同比大增 7543 萬元,固定資產攤銷同步上升;疊加電動車需求短期疲軟、碳化硅模塊價格小幅下滑,利潤空間被擠壓。不過,公司碳化硅模塊已批量供貨國內頭部車企,后續隨產能利用率提升、成本下降,業績有望在下半年回暖。

分化格局延續:技術突破與成本控制成關鍵

2026 年一季度,中國第三代半導體企業業績分化,本質是終端需求、技術成熟度、產能擴張節奏共同作用的結果。

短期來看,氮化鎵射頻受益 5G 持續建設、衛星互聯網擴容,高景氣延續;碳化硅領域,800V 電動車平臺、工業光伏加速滲透,利好早獲車規認證的企業;碳化硅襯底價格戰或將持續,規模 + 技術優勢企業更具競爭力。

長期來看,半導體是中國半導體產業縮小國際差距的關鍵賽道。在政策持續支持、下游應用擴容背景下,企業需聚焦三大核心:技術突破(如提升碳化硅襯底良率、增強氮化鎵器件可靠性)、成本控制(提高產能利用率、發揮規模效應)、客戶認證(尤其車規、工業級),方能在競爭加劇的市場中站穩腳跟。



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