美國國際貿易委員會（ITC）全體委員會維持了其于2025年12月作出的初步裁定，確認英諾賽科（Innoscience）侵犯了英飛凌的一項氮化鎵（GaN）技術專利，并下令對英諾賽科實施進口和銷售禁令。不過，ITC委員會的最終裁決及其頒布的相關禁令，仍需經過為期60天的美國總統審查期后才能生效。

而作為對終裁的回應，英諾賽科宣布，ITC在第337?TA?1414號調查中作出最終裁定，確認英諾賽科當前的GaN功率器件產品未侵犯英飛凌的相關專利，并可不受限制地繼續在美國進口和銷售。

原文如下：

ITC全體委員一致同意英諾賽科現有產品未侵犯英飛凌美國第9,070,755號專利(涉及電極設計)和第9,899,481號專利(涉及封裝設計)。

委員會僅認定第9,899,481號專利中的兩項權利要求有效且僅被英諾賽科早已停止生產和銷售的歷史舊產品侵權。因此，相關的進口和銷售禁令對英諾賽科在美國的現有業務不具有實質影響。英諾賽科將繼續不間斷地向美國及全球客戶供應其現有的GaN功率產品。

ITC的最終裁定確認，英諾賽科的產品源于獨立自主的技術創新，并徹底挫敗了英飛凌試圖通過缺乏根據的訴訟手段限制合法競爭的企圖。功率半導體行業的未來應由更優異的產品所塑造，而非毫無根據的訴訟伎倆。

除美國市場的相關裁定外，英飛凌與英諾賽科在德國也存在專利相關訴訟：英飛凌已向慕尼黑第一地方法院（Landgericht München I）就三項專利和一項實用新型專利的侵權問題提起訴訟。其中，早在2024年8月，該法院已裁定英諾賽科侵犯了英飛凌所指控的首項專利，另有一項專利和一項實用新型專利的庭審定于2026年6月舉行。

回顧案件時間線

· 2024年7月26日，美國Infineon Technologies Americas Corp. of El Segundo, California、奧地利Infineon Technologies Austria AG of Villach, Austria向美國ITC提出337立案調查申請，主張對美出口、在美進口和在美銷售的該產品違反了美國337條款（侵權美國注冊專利號9,899,481、8,686,562、9,070,755、8,264,003），請求美國ITC發布有限排除令、禁止令。

中國江蘇Innoscience (Suzhou) Technology Company, Ltd. of China英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司、中國江蘇Innoscience (Suzhou) Semiconductor Co., Ltd. of China英諾賽科（蘇州）半導體有限公司、中國廣東Innoscience (Zhuhai) Technology Company, Ltd. of China英諾賽科（珠海）科技有限公司、美國Innoscience America, Inc. of Santa Clara, CA為列名被告。

· 2024年8月27日，美國國際貿易委員會（ITC）投票決定對特定半導體器件及其下游產品（Certain Semiconductor Devices and Products Containing the Same）啟動337調查（調查編碼：337-TA-1414）。

· 2024年11月5日，美國國際貿易委員會（ITC）發布終裁：對本案行政法官于2024年10月10日作出的初裁（No.7）不予復審，即將列名被告Innoscience(Suzhou) Technology Co., Ltd.更正為Innoscience (Suzhou) Technology Holding Co., Ltd。

· 2025年4月30日，美國國際貿易委員會（ITC）發布終裁：對本案行政法官于2025年4月3日作出的初裁（No.27）不予復審，即基于申請方撤回，終止本案對美國注冊專利號8,264,003的所有申訴和對美國注冊專利號9,899,481第9項申訴的調查。

· 2025年5月20日，美國國際貿易委員會（ITC）發布終裁：對本案行政法官于2025年4月30日作出的初裁（No.46）不予復審，即基于申請方撤回，終止本案對美國注冊專利號8,686,562所有申訴的調查。

· 2026年2月2日，美國國際貿易委員會（ITC）發布終裁：對本案行政法官于2025年12月2日作出的最終初裁（Final ID）進行部分復審，即關于美國注冊專利號9,899,481橫向晶體管器件（lateral transistor devices）的權利要求、侵權情況、申請方是否滿足美國國內產業的技術和經濟要素要求、有效性。當事各方、相關政府機構及其他利害關系人，可就建議救濟措施、公共利益和保證金提交意見，書面材料不晚于2026年2月17日提交。

英諾賽科的反擊

2025年1月16日，英諾賽科及其全資附屬公司英諾賽科（蘇州）半導體有限公司曾向中國江蘇省蘇州市中級人民法院提起訴訟，指控英飛凌科技（中國）有限公司、英飛凌科技（無錫）有限公司及蘇州芯沃科電子科技有限公司侵犯其兩項專利，涉及金額和法律影響引發行業關注。

此次訴訟涉及的兩項專利分別為202311774650.7號和202211387983.X號專利。這兩項專利均與GaN功率器件及其制備方法相關，是英諾賽科在氮化鎵領域的重要技術成果。

英飛凌方隨后以管轄權為由提出異議，主張案件應由其他法院審理，但蘇州中院一審駁回其請求。英飛凌不服上訴至最高人民法院，經審理查明，芯沃科公司作為蘇州兩案的適格被告，其住所地位于江蘇省蘇州市，屬于一審法院管轄范圍，因此一審法院具有管轄權?；诖?，2025 年5月11日，最高人民法院駁回了英飛凌的上訴請求，維持了兩案管轄權異議一審裁定。

今年4月24日，英諾賽科宣布收到北京知識產權法院發來的兩件專利行政訴訟勝訴判決，北京知識產權法院全面維持了英諾賽科公司的兩件氮化鎵技術核心發明專利的有效性，駁回英飛凌公司的無效訴訟請求，英諾賽科在這兩項關鍵行政訴訟中再次取得了重大勝利。