600V 超結(jié) MOSFET 面向電動汽車、開關(guān)電源及光伏逆變器應(yīng)用

來源:萬高半導(dǎo)體(Alpha & Omega Semiconductor,AOS)
萬高半導(dǎo)體(AOS)推出的 AOTL037V60DE2 型 600V MOSFET,是該公司基于 MOS E2 平臺實現(xiàn)量產(chǎn)的首款器件。該平臺及其衍生產(chǎn)品旨在滿足大功率開關(guān)電源(SMPS)與逆變系統(tǒng)的應(yīng)用需求,可為服務(wù)器、工作站、通信整流器、光伏逆變器、電機驅(qū)動及工業(yè)電源系統(tǒng)等廣泛場景帶來更高效率、更高功率密度、更低整體系統(tǒng)成本與更強的可靠性。
該器件適用于圖騰柱功率因數(shù)校正(PFC)、LLC 諧振變換器、相移全橋(PSFB)以及臨界導(dǎo)通模式 H-4 / 回旋逆變器等拓撲結(jié)構(gòu)。它基于萬高先進的 MOS E2 工藝平臺制造,結(jié)構(gòu)經(jīng)過專門優(yōu)化,可適配軟開關(guān)拓撲,實現(xiàn)極低的開關(guān)損耗。
該器件還集成了性能穩(wěn)定的本征體二極管,具備更低的反向恢復(fù)電荷(QRR),可在硬換流場景下可靠工作,例如在短路、啟動瞬態(tài)等異常工況下,續(xù)流體二極管的反向恢復(fù)過程。其他先進特性包括:強大的非鉗位感性開關(guān)(UIS)能力、浪涌電流承受能力、更寬的安全工作區(qū)(SOA),以及抗自導(dǎo)通特性。
AOTL037V60DE2 采用 TOLL 封裝,最大導(dǎo)通電阻 RDS (ON) 為 37 毫歐。目前該產(chǎn)品已實現(xiàn)批量供貨,交期 16 周,1000 片起訂單價為 5.58 美元。












評論