美國NASA的Artemis II任務已成功返回地球，此次任務不僅完成了超越地球軌道的探索，還為深空環境下的機載電子設備提供了重要的實際驗證。任務的成功凸顯了抗輻射半導體設計在太空船可靠性中的關鍵作用。

全球半導體巨頭英飛凌發布報告稱，其抗輻射半導體在任務期間保持了無故障的運行狀態。這些由英飛凌IR HiRel部門開發的專用元件，成功支持了獵戶座太空艙的電源管理、系統控制和數據通信等核心功能。英飛凌IR HiRel資深副總裁Mike Mills指出，隨著太空任務愈加復雜且電氣化需求增加，半導體技術的突破已成為太空探索的核心。

英飛凌在太空領域的技術積累可追溯至1970年代，其組件已廣泛應用于衛星系統、國際空間站和早期NASA任務中。其抗輻射產品通過了MIL-PRF-38535 Class V和ESA ESCC等多項嚴格認證，能夠有效應對高能粒子輻射的威脅。

此外，英飛凌還積極推進第三代半導體氮化鎵（GaN）在太空領域的應用。其內部制造的100 V氮化鎵晶體管已通過JANS標準認證，標志著寬能隙裝置在軌道應用上的重要進展。氮化鎵技術具有降低開關損耗和提高功率密度的優勢，可顯著減輕系統重量，為嚴格的太空船設計提供更優解決方案。英飛凌將繼續通過系統級優化，滿足未來深空任務的需求。