臺積電、1nm 文章 最新資訊
臺積電營收將超英特爾 短期內(nèi)毫無反超的可能
- 你還記得英特爾第一次成為全球半導體銷售第一是哪一年么?筆者查閱了資料,應該是1992年,那一年英特爾終于超越了日本巨頭NEC占據(jù)了半導體的頭把交椅,而這一坐就是24年。直到2017年三星憑借存儲器價格高漲連奪兩年第一后,2019年又被英特爾重新奪回,不過2021年三星再次依靠存儲行業(yè)的暴漲拿回了領(lǐng)頭羊位置,而到2022年年終結(jié)算的時候,英特爾可能不僅保不住第一的位置,甚至連第二的位置都很難守住。因為按照中國臺灣媒體的報道,臺積電(TSMC)依靠快速增長的營收,正在無限逼近英特爾,很有可能在三季度實現(xiàn)在營收
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西門子擴展多款 IC 設(shè)計解決方案對臺積電先進工藝的支持
- 獲得臺積電技術(shù)認證的西門子EDA 產(chǎn)品包括 Calibre?nmPlatform——用于 IC 簽核的領(lǐng)先物理驗證解決方案;以及 Analog FastSPICE? 平臺——專為納米級模擬、射頻(RF)、混合信號、存儲器和定制數(shù)字電路提供快速電路驗證。這兩個產(chǎn)品系列目前均已獲得臺積電 N4P 和 N3E 工藝認證。作為臺積電 N3E 工藝的定制設(shè)計參考流程 (CDRF) 的一部分,Analog FastSPICE 平臺還可支持可靠性感知仿真,包括老化、實時自熱效應和高級可靠性功能。 Calibr
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臺積電魏哲家出席日本3DIC材料研發(fā)中心開幕
- 晶圓代工龍頭臺積電總裁魏哲家24日出席「臺積電日本3DIC研究開發(fā)中心」開幕啟用典禮,日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)相萩生田光一亦出席致詞。該中心由臺積電設(shè)立,并與揖斐電(Ibiden)、新光電氣、信越化學等日本逾20家廠商合作,總投資金額達370億日圓,日本政府透過新能源及產(chǎn)業(yè)技術(shù)統(tǒng)合開發(fā)機構(gòu)(NEDO)出資190億日圓。臺積電在日本茨城縣筑波市產(chǎn)業(yè)技術(shù)總合研究所設(shè)立的臺積電日本3DIC研究開發(fā)中心24日開幕啟用,由于日本已開放臺灣人士以商務(wù)簽證入境且免隔離,魏哲家與臺積電先進封裝技術(shù)暨服務(wù)副總經(jīng)理廖德堆一同出席,說明臺
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是德科技與新思科技共同合作,支持臺積電 N6RF 設(shè)計參考流程
- 是德科技(Keysight Technologies Inc.) 是推動全球企業(yè)、服務(wù)供應商和政府機構(gòu)網(wǎng)路連接與安全創(chuàng)新的技術(shù)領(lǐng)導廠商,該公司日前宣布其 Keysight PathWave RFPro 與新思科技(Synopsys)定制化編譯器設(shè)計環(huán)境已完成整合,以便支持臺積電(TSMC)最新的 6 納米 RF(N6RF)設(shè)計參考流程。對于集成電路(IC)設(shè)計人員來說,EDA 工具和設(shè)計方法至關(guān)重要。最新的 TSMC N6RF 設(shè)計參考流程,為設(shè)計人員提供重要指引,使其能夠利用臺積電先進的 N6RF 互補
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密度僅提升10% 臺積電2nm工藝擠牙膏:Intel要贏回來了
- 在技術(shù)論壇上,臺積電首次全面公開了旗下的3nm及2nm工藝技術(shù)指標,相比3nm工藝,在相同功耗下,2nm速度快10~15%;相同速度下,功耗降低25~30%。 然而性能及功耗看著還不錯,但臺積電的2nm工藝在晶體管密度上擠牙膏,只提升了10%,按照摩爾定律來看的話,新一代工藝的密度提升是100%才行,實際中也能達到70-80%以上才能算新一代工藝。 臺積電沒有解釋為何2nm的密度提升如此低,很有可能跟使用的納米片電晶體管(Nanosheet)技術(shù)有關(guān),畢竟這是新一代晶體管結(jié)構(gòu),考驗很多。 密度提
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臺積電、Intel、三星狂買ASML EUV光刻機
- 臺積電在北美技術(shù)論壇上公布了新的制程路線圖,定于2025年量產(chǎn)2nm工藝,其采用Nanosheet(納米片電晶體)的微觀結(jié)構(gòu),取代FinFET。期間,臺積電甚至規(guī)劃了5種3nm制程,包括N3、N3E、N3P、N3S和N3X,要在2025年前將成熟和專業(yè)化制程的產(chǎn)能提高50%,包括興建更多的晶圓廠。顯然,作為產(chǎn)能提升以及興建晶圓廠的關(guān)鍵核心設(shè)備,EUV光刻機少不了要采購一大批。臺積電表示,計劃在2024年引入ASML的新一代EUV極紫外光刻機。此前,Intel曾說自己是第一個訂購ASML下一代EUV光刻機的
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臺積電高管:將在2024年引入阿斯麥最新極紫外光刻機
- 6月17日消息,據(jù)外媒報道,臺積電高管周四表示,該公司將在2024年引入荷蘭廠商阿斯麥的最新一代光刻機。 臺積電研發(fā)高級副總裁米玉杰在硅谷舉行的技術(shù)研討會上表示,“展望未來,臺積電將在2024年引入高數(shù)值孔徑的極紫外光刻機,為的是開發(fā)客戶所需相關(guān)基礎(chǔ)設(shè)施和模式解決方案,進一步推動創(chuàng)新。” 米玉杰并未透露新一代光刻機引入后何時用于大規(guī)模生產(chǎn)芯片。阿斯麥推出的第二代極紫外線光刻機能用于制造尺寸更小、處理速度更快的芯片。臺積電競爭對手英特爾公司此前表示,將在2025年之前開始使用新一代光刻機生產(chǎn)芯片,并
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臺積電加碼采購 本土廠利多
- 晶圓代工龍頭臺積電積極擴建3奈米及更先進制程晶圓廠,同時擴大后段封測廠投資,除了看好5G及高效能運算(HPC)芯片采用InFO或CoWoS等先進封裝技術(shù)已成主流趨勢,也預期3DIC封裝架構(gòu)能夠延續(xù)摩爾定律。臺積電加強供應鏈本土化并擴大后段設(shè)備采購,包括萬潤、辛耘、弘塑、鈦升等業(yè)者直接受惠。臺積電在先進制程及先進封裝的投資齊頭并進。在晶圓廠投資部份,F(xiàn)ab 18廠已完成3奈米前期產(chǎn)能建置,并完成支持HPC運算及智能型手機應用的完整平臺,為下半年量產(chǎn)做好準備。臺積電2奈米晶圓廠Fab 20建廠計劃已啟動,并采
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臺積電2nm制程工藝取得新進展 2nm競爭賽道進入預熱模式
- 據(jù)國外媒體報道,推進3nm制程工藝今年下半年量產(chǎn)的臺積電,在更先進的2nm制程工藝的研發(fā)方面已取得重大進展,預計在明年年中就將開始風險試產(chǎn) ——?也就意味著臺積電2nm制程工藝距量產(chǎn)又更近了一步。業(yè)界估計,臺積電2nm試產(chǎn)時間點最快在2024年,并于2025年量產(chǎn),之后再進入1nm以及后續(xù)更新世代的“埃米”制程。臺積電去年底正式提出中科擴建廠計劃,設(shè)廠面積近95公頃,總投資金額達8000億至10000億元新臺幣,初期可創(chuàng)造4500個工作機會。以投資規(guī)模及近百公頃設(shè)廠土地面積研判,除了規(guī)劃2nm廠
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臺積電5月合并營收1857.05億 續(xù)創(chuàng)單月營收歷史新高
- 晶圓代工龍頭臺積電公告5月合并營收1857.05億元,續(xù)創(chuàng)單月營收歷史新高。雖然外在環(huán)境變量沖擊消費性電子產(chǎn)品終端銷售動能,但包括車用芯片、工業(yè)自動化、高效能運算(HPC)等需求續(xù)強,臺積電產(chǎn)能利用率維持滿載,第二季營收表現(xiàn)有機會超越業(yè)績展望高標。臺積電先進制程及成熟制程產(chǎn)能全線滿載,5奈米及4奈米新增產(chǎn)能開出,加上平均晶圓銷售價格上漲,新臺幣兌美元匯率趨貶,5月合并營收達1857.05億元,較4月營收1725.61億元成長7.6%,與去年同期1123.60億元相較成長65.3%,改寫單月營收歷史新高紀錄
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臺積電、1nm介紹
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