臺積電、1nm 文章 最新資訊
?半導體迎資本支出下修潮,美光、臺積電后輪到誰?
- 受疫情、全球芯片需求放緩等因素影響,半導體市場遭遇“寒風”沖擊,產(chǎn)業(yè)進入調(diào)整時期,包括美光、臺積電等在內(nèi)多家大廠紛紛下修資本支出計劃,涉及存儲器、晶圓代工兩大領域。01存儲芯片市場挑戰(zhàn)前所未見?美光、南亞科削減投資計劃今年9月30日美光科技表示,目前存儲芯片市場的挑戰(zhàn)是“前所未見”的,但是公司管理層相信,企業(yè)規(guī)模優(yōu)勢將幫助美光度過這一難關。展望未來,美光認為未來的存儲芯片需求和公司經(jīng)營將面臨更嚴重的困難,美光將削減投資計劃。據(jù)悉,此前美光已經(jīng)大幅削減了資本開支,現(xiàn)在預計2023財年的資本開支規(guī)模將是80億
- 關鍵字: ?半導體 美光 臺積電
臺積電也開始削減投入
- 市場習慣于臺積電一次次提高預期、打破常規(guī)。但這周四(10 月 13 日),這些人失望了。在當天舉行的營收電話會議上,臺積電告訴全世界它們也將無法幸免于行業(yè)可預見的疲軟。三季報里的臺積電依舊是全球產(chǎn)值最大、技術最先進的晶圓廠,攫取行業(yè)最多的利潤。它們季度毛利率達到創(chuàng)紀錄的 60.4%。先進工藝(7 納米及 5 納米制程)占總收入的比重進一步提高到 54%(前值 51%),再加上新臺幣貶值有利于出口,臺積電三季度凈利潤增長近 80%、達到約 92.68 億美元。這些成績對現(xiàn)在的臺積電來講沒什么太多好說的。市場
- 關鍵字: 臺積電
臺積電確認南京廠16/28納米獲美一年設備授權(quán)許可
- 據(jù)外媒消息,臺積電已獲得為期一年的繼續(xù)訂購美國芯片制造設備以在中國擴張的許可證,而臺積電在第三季度法說會上也證實這一消息,臺積電表示,已獲得美國一年許可用于南京工廠生產(chǎn)28nm和16nm制程的產(chǎn)品。臺積電將在完全遵守所有規(guī)章制度的情況下為所有客戶提供服務。另外,外界關注臺積電海外建廠計劃。臺積電總裁魏哲家表示,5納米制程需求強勁,美國亞利桑那州5納米廠建廠計劃符合進度。“南京廠擴產(chǎn)計劃也依規(guī)劃進行,盡管7納米需求趨緩,不過高雄廠建廠也依進度進行。日本廠同樣依進度進行,符合客戶需求?!蔽赫芗艺f道。另外關于歐
- 關鍵字: 臺積電 南京廠 16/28納米 設備授權(quán)許可
消息稱AMD CEO蘇姿豐將親自造訪臺積電:商談2nm和3nm芯片產(chǎn)能
- 據(jù)國外媒體報道,AMD首席執(zhí)行官(CEO)蘇姿豐和公司其他C級高管希望在9月底或11月初前往臺灣地區(qū),探索與當?shù)睾献骰锇榈暮献鳌LK姿豐前往臺灣地區(qū)的主要原因似乎是與臺積電會面,與臺積電CEO魏哲家討論N3 Plus(N3P)和2nm級(N2)制造技術的使用以及未來的短期和長期訂單,使AMD獲得足夠的基于3nm和2nm級等未來節(jié)點的晶圓分配。AMD近年來取得的顯著成功很大程度上歸功于臺積電利用其極具競爭力的工藝技術大批量生產(chǎn)芯片的能力。AMD的CPU和GPU產(chǎn)品線才剛開始向5nm制程節(jié)點切換,并且臺積電的2
- 關鍵字: AMD 蘇姿豐 臺積電 2nm 3nm 芯片
臺灣省花蓮縣發(fā)生6.9級地震 芯片又要漲價?臺積電回應
- 9月17日21時41分,在中國臺灣花蓮縣(北緯23.05度,東經(jīng)121.21度)發(fā)生6.5級地震,震源深度10千米?! ∵@是今年以來我國最大地震,對當?shù)卦斐闪似茐男杂绊?,花蓮大橋斷成?shù)截,民眾卡在橋上,截至18日晚11時,地震造成1人死亡、142人受傷?! 〕巳藛T安全之外,地震還有可能對企業(yè)生產(chǎn)造成影響,特別是臺灣省內(nèi)有多家全球芯片工廠及面板廠,這次是否會導致全球芯片大漲價?這要看廠商的受影響程度?! ∪蜃畲笠彩亲钕冗M的晶圓代工廠臺積電已經(jīng)回應,18日下午地震發(fā)生后,公司已按照內(nèi)部程序,對于南部廠
- 關鍵字: 芯片 臺積電 地震
臺積電2nm預計2025年量產(chǎn)
- 據(jù)臺媒《經(jīng)濟日報》報道,晶圓代工廠臺積電2nm制程將于2025年量產(chǎn),市場看好進度可望領先對手三星及英特爾。臺積電先進制程進展順利,搭配FINFLEX架構(gòu)的3nm將在今年下半年量產(chǎn),升級版3nm(N3E)制程將于3nm量產(chǎn)一年后量產(chǎn),即2023年量產(chǎn)。先進封裝部分,首座全自動化3DFabric晶圓廠預計于2022年下半年開始生產(chǎn)。雖然在3nm世代略有保守,但無論如何,F(xiàn)inFET寬度都已經(jīng)接近實際極限,再向下就會遇到瓶頸。所以外資法人預估臺積電2nm先進制程將采用環(huán)繞式閘極場效電晶體GAAFET高端架構(gòu)生
- 關鍵字: 臺積電 2nm
臺積電計劃關閉部分EUV光刻機:先進工藝過剩
- EUV光刻機是半導體制造中的核心設備,只有ASML公司才能生產(chǎn),單臺售價約10億人民幣,之前三星、臺積電等公司還要搶著買,然而今年半導體形勢已經(jīng)變了,EUV光刻機反而因為耗電太多,臺積電計劃關閉省電。來自產(chǎn)業(yè)鏈的消息人士手機晶片達人的消息稱,由于先進制程產(chǎn)能利用率開始下滑,而且評估之后下滑時間會持續(xù)一段周期,臺積電計劃從年底開始,將部分EUV 設備關機,以節(jié)省EUV設備巨大的耗電支出。據(jù)了解臺積電目前擁有大約80臺EUV光刻機,主要用于7nm、5nm及以下的先進工藝,今年9月份還會量產(chǎn)3nm工藝,都需要E
- 關鍵字: EUV光刻機 臺積電
臺積電魏哲家:3 納米即將量產(chǎn),2 納米保證 2025 年量產(chǎn)
- IT之家 8 月 30 日消息,據(jù)中國臺灣經(jīng)濟日報,臺積電總裁魏哲家今日現(xiàn)身 2022 臺積電技術論壇并提到,臺積電 3 納米思考良久維持 FF 架構(gòu)并即將量產(chǎn),至于 2 納米也可和在座各位保證 2025 年量產(chǎn)會是最領先技術。據(jù)悉,臺積電 2 納米技術和 3 納米技術相比,功效大幅往前推進。在相同功耗下,速度增快 10~15%,或在相同速度下,功耗降低 25~30%。值得一提的是,聯(lián)發(fā)科全球副總裁兼無線通信事業(yè)部總經(jīng)理徐敬全 JC Hsu 在演講期間展示合作簡報,魏哲家眼尖發(fā)現(xiàn)“效能僅提升 2
- 關鍵字: EDA 3nm 臺積電
Credo正式推出基于臺積電5nm及4nm先進制程工藝的全系列112G SerDes IP產(chǎn)品
- ?Credo Technology(納斯達克股票代碼:CRDO)近日正式宣布推出其基于臺積電5nm及4nm制程工藝的112G PAM4 SerDes IP全系列產(chǎn)品,該系列能夠全面覆蓋客戶在高性能計算、交換芯片、人工智能、機器學習、安全及光通信等領域的廣泛需求,包括:超長距(LR+)、長距(LR)、中距(MR)、超極短距(XSR+)以及極短距(XSR)。?Credo IP產(chǎn)品業(yè)務開發(fā)助理副總裁Jim Bartenslager表示, “Credo先進的混合信號以及數(shù)字信號處理(DSP)1
- 關鍵字: Credo 臺積電 5nm 4nm SerDes IP
力拚臺積電押寶3納米GAAFET技術,三星3年內(nèi)良率成關鍵
- 韓國媒體表示,韓國三星計劃3年內(nèi)創(chuàng)建GAAFET技術3納米節(jié)點,成為芯片代工業(yè)界的游戲規(guī)則破壞者,追上全球芯片代工龍頭臺積電?!禕usinessKorea》指出,GAAFET技術是新時代制程,改善半導體晶體管結(jié)構(gòu),使柵極接觸晶體管所有四面,而不是目前FinFET制程三面,使GAAFET技術生產(chǎn)芯片比FinFET更精確控制電流。市場研究調(diào)查機構(gòu)TrendForce報告指出,2021年第四季臺積電全球芯片代工產(chǎn)業(yè)以高達52.1%市場占有率狠甩韓國三星,為了追上臺積電,三星押注GAAFET技術,并首先用于3納米
- 關鍵字: 三星 GAAFET 臺積電
全球最大芯片制造商臺積電(TSMC)公布創(chuàng)紀錄利潤,緩解了市場對半導體行業(yè)逆風的擔憂
- 全球最大的芯片制造商臺積電(TSMC)公布,第二季度實現(xiàn)了創(chuàng)紀錄的凈利潤。然而,臺積電 CEO CC Wei 表示,該公司的部分資本支出將“推遲到2023年”強勁的業(yè)績和前景(但對支出持謹慎態(tài)度)突顯出,在人們擔心價格上漲和消費者需求受到影響之際,芯片制造商正謹慎行事。2019年6月5日,星期三,臺積電在新竹的總部掛出了“臺積電”的標牌。全球最大的芯片制造商臺積電(TSMC)公布第二季度凈利潤達到創(chuàng)紀錄水平,這有助于緩解市場對高通脹導致的需求疲軟和部分半導體供過于求的擔憂。以下是截至6月30日的3個月的一
- 關鍵字: 臺積電 市場分析
臺積電、1nm介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條臺積電、1nm!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對臺積電、1nm的理解,并與今后在此搜索臺積電、1nm的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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