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IHS iSuppli (IHS-US) 最新研究報告指出，受惠于動態(tài)隨機存取內(nèi)存 (DRAM) 整體出貨量彈升 10.8%，今年全球的 DRAM 模塊市場成長仍將持續(xù)增長，且連續(xù)兩年都呈現(xiàn)雙位數(shù)成長。 ......
據(jù)IHS iSuppli公司的研究，包括蘋果iPad等流行平板設(shè)備在內(nèi)的多種應(yīng)用，正在增加使用嵌入NOR閃存，該市場2011年預(yù)計增長8%，達到39.6億個。 ......
全球NANDFlash市場需求在5月進入冰河期，不僅快閃記憶卡和隨身碟應(yīng)用需求大幅降溫，甚至傳出平板電腦及智慧型手機大廠亦出現(xiàn)砍單情況，記憶體零售和系統(tǒng)端需求明顯降溫，市場五窮六絕跡象顯現(xiàn)，使得記憶體模組廠營收恐再次......
2009年，Ramtron與IBM公司達成代工FRAM芯片的協(xié)議，按照雙方原來的計劃，準(zhǔn)備在2010年使用IBM的0.18微米制程制作出首批FRAM樣品芯片。然而，IBM公司在后來的研發(fā)制造過程中遇到許多問題，無法成......
據(jù)韓國電子新聞報導(dǎo)，韓國半導(dǎo)體業(yè)者在衡量存儲器芯片業(yè)者競爭力高低的微細制程比重大占優(yōu)勢，維持在全球DRAM市場的主導(dǎo)權(quán)，尤其40納米等級微細制程擴大，使韓國企業(yè)市占率隨之?dāng)U大，在2011年第1季寫下不錯成績，其它DR......
據(jù)韓國電子新聞報導(dǎo)，韓國半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)位于京畿道利川的工廠發(fā)生氣體外泄事故。19日晚間約10點50分，在維修D(zhuǎn)RAM半導(dǎo)體產(chǎn)線蒸鍍設(shè)備過程中，海力士合作廠2位員工因操作不當(dāng)，使設(shè)備內(nèi)殘留的液化氣體外泄......
日本爾必達存儲器正致力于通過小額設(shè)備投資實現(xiàn)大幅增產(chǎn)的“高明投資”方式。該公司預(yù)計2011財年(2011年4月～2012年3月)的DRAM需求增幅將達到50%/年，但卻打算以較上財年減少30%的設(shè)備投資額(800億日......
NOR Flash內(nèi)存方案領(lǐng)導(dǎo)供貨商Spansion(NYSE CODE)宣布已開始生產(chǎn)1Gb和512Mb的Spansion GL NOR Flash內(nèi)存，相較于其他NOR產(chǎn)品，其讀取性能提升45%并具備最快編程速度......
存儲器是隨著計算機而發(fā)展起來的一種專用電子部件，用于保存數(shù)據(jù)和程序，傳統(tǒng)上計算機的主存儲器稱Memory，外部設(shè)備用存儲器稱Storage(常用磁盤、磁帶)。上世紀(jì)50年代中期，主存曾用磁芯存儲器，60年代中期以來，......
DRAM產(chǎn)業(yè)景氣到底復(fù)蘇沒?同樣一個問題問上游芯片制造商和下游模組廠，可能會得到兩極化的答案，再看看國際大廠財報，對比一下臺灣DRAM廠財報，可能也會一頭霧水;現(xiàn)在DRAM價格比起2010年第4季水準(zhǔn)，或許大幅改善，......
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