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日本爾必達(dá)存儲(chǔ)器(Elpida Memory)宣布，將從2011年5月開(kāi)始全面量產(chǎn)采用30nm工藝的DRAM。生產(chǎn)基地是該公司的廣島工廠和臺(tái)灣瑞晶電子(Rexchip Electronics)的工廠。廣島工廠已經(jīng)開(kāi)始......
面對(duì)臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)勢(shì)力節(jié)節(jié)敗退，存儲(chǔ)器模塊龍頭廠金士頓(Kingston)創(chuàng)辦人孫大衛(wèi)表示，如果政府什么事都不做，臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)沒(méi)有未來(lái)，且所有三星電子(Samsung Electronics)有涉獵的產(chǎn)業(yè)都會(huì)面......
日本爾必達(dá)公司宣布開(kāi)發(fā)出25nm制程2Gb密度DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品，這款產(chǎn)品可支持DDR3-1866規(guī)格，并兼容1.35V工作電壓條件下的DDR3L-1600工作模式。預(yù)計(jì)芯片樣品將于今年7月份開(kāi)始向外出售，芯片的量......
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，全球第二大電腦內(nèi)存芯片生產(chǎn)商海力士周四發(fā)布了2011年第一季度財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示，今年第一季度海力士實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)2735.4億韓元(約合2.538億美元)，比去年同期大幅下降66%，這主要是受到個(gè)人電腦需求......
Maxim推出DS3660具有1024字節(jié)無(wú)痕存儲(chǔ)器的安全管理器，器件可安全存儲(chǔ)敏感數(shù)據(jù)。片上無(wú)痕存儲(chǔ)器包含8個(gè)128字節(jié)存儲(chǔ)區(qū)，基于用戶指定的篡改事件，這些存儲(chǔ)區(qū)可由終端用戶選擇清除。此外，DS3660還具有內(nèi)置1......
北京訊，包括賽普拉斯半導(dǎo)體公司(NASDAQ:CY)和瑞薩電子公司(TSE: 6723)在內(nèi)的QDR聯(lián)盟日前宣布推出業(yè)界最快的四倍數(shù)據(jù)率(QDR) SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。這些新型存儲(chǔ)器將被命名為QDRII+......
據(jù)美臺(tái)商會(huì)(US-Taiwan Business Council)的一份報(bào)告稱，鎂光公司可能會(huì)收購(gòu)其參與合資的臺(tái)灣內(nèi)存公司華亞的剩余股份，使之成為自己的全資控股子公司。報(bào)告稱：“美國(guó)內(nèi)存芯片廠商 鎂光與南亞和華亞兩家......
由于智能型手機(jī)等行動(dòng)裝置應(yīng)用驅(qū)動(dòng)NANDFlash需求成長(zhǎng)，加上日本強(qiáng)震造成東芝(Toshiba)5、6月NAND Flash供貨銳減50%，美光(Micron)看好NANDFlash產(chǎn)業(yè)將持續(xù)供不應(yīng)求，除與英特爾(......
據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，內(nèi)存調(diào)研公司集邦科技發(fā)布最新研究數(shù)據(jù)，今年四月上旬NAND閃存芯片價(jià)格創(chuàng)下了7個(gè)月以來(lái)的新高水平，一定程度上反映了繼上月日本地震海嘯災(zāi)害中斷相關(guān)供應(yīng)鏈后芯片價(jià)格的總體情況。 ......
東芝宣布其開(kāi)發(fā)出了“全球首款”(該公司)采用19nm工藝的64Gbit NAND型閃存。將從2011年4月底開(kāi)始樣品供貨，2011年第三季度(2011年7～9月)開(kāi)始量產(chǎn)。此次開(kāi)發(fā)的64Gbit NAND芯片是2bi......
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