據(jù)韓媒ETNews報(bào)道，三星電子設(shè)備解決方案（DS）事業(yè)部正商討恢復(fù)下一代半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)與設(shè)施投資，核心聚焦下一代NAND閃存、化合物半導(dǎo)體、先進(jìn)封裝及基板三大前沿領(lǐng)域，此舉標(biāo)志著三星在存儲(chǔ)業(yè)務(wù)企穩(wěn)后，正式重啟中長(zhǎng)期技術(shù)布局。

此次討論核心圍繞研發(fā)方向敲定與設(shè)施投資時(shí)間規(guī)劃兩大關(guān)鍵議題，相關(guān)方案正處于內(nèi)部細(xì)化階段。此前三星因優(yōu)先修復(fù)DRAM與HBM業(yè)務(wù)競(jìng)爭(zhēng)力，暫緩了部分新業(yè)務(wù)推進(jìn)；隨著2024年下半年起存儲(chǔ)業(yè)務(wù)持續(xù)改善，DRAM良率、HBM產(chǎn)能利用率穩(wěn)步提升，疊加市場(chǎng)需求回暖，核心存儲(chǔ)業(yè)務(wù)已重回穩(wěn)定軌道，為新業(yè)務(wù)研發(fā)釋放內(nèi)部資源。

在下一代NAND閃存領(lǐng)域，三星重點(diǎn)推進(jìn)V10NAND研發(fā)，目標(biāo)堆疊層數(shù)突破400層，較當(dāng)前量產(chǎn)的286層V9NAND實(shí)現(xiàn)大幅躍升，以此提升單晶圓存儲(chǔ)容量，適配AI時(shí)代高密度存儲(chǔ)需求。自2024年4月V9NAND的TLC版本量產(chǎn)后，三星NAND量產(chǎn)制程已停滯超兩年，此次V10研發(fā)重啟將補(bǔ)齊其閃存技術(shù)迭代節(jié)奏。

化合物半導(dǎo)體方面，三星將加速氮化鎵（GaN）與碳化硅（SiC）產(chǎn)線落地。其中8英寸GaN產(chǎn)線計(jì)劃2026年第二季度投產(chǎn)，SiC產(chǎn)線目標(biāo)2028年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，目前已啟動(dòng)供應(yīng)鏈搭建與設(shè)備采購(gòu)籌備，計(jì)劃投入1000-2000億韓元采購(gòu)MOCVD等核心設(shè)備，搶占新能源汽車、儲(chǔ)能等功率半導(dǎo)體市場(chǎng)機(jī)遇。

先進(jìn)封裝及基板業(yè)務(wù)也被納入重啟重點(diǎn)，三星正同步推進(jìn)封裝技術(shù)研發(fā)與配套基板產(chǎn)能規(guī)劃，以適配HBM與邏輯芯片整合需求，強(qiáng)化在AI芯片封裝領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力。