AI數(shù)據(jù)中心用電需求快速增長(zhǎng)。傳統(tǒng)供電架構(gòu)采用體積龐大的低頻變壓器，效率低、占地大，難以適配下一代數(shù)據(jù)中心高壓直流配電需求。

Navitas Semiconductor與洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院推出全新解決方案。

2026年APEC展會(huì)上，兩家機(jī)構(gòu)聯(lián)合發(fā)布了一款250kW固態(tài)變壓器（SST）方案，在德克薩斯州圣安東尼奧首次公開(kāi)亮相。該方案由 EPFL 電力電子實(shí)驗(yàn)室依托 HeatingBits 項(xiàng)目研發(fā)。

核心技術(shù)是單級(jí)模塊化橋式整流SST拓?fù)洌苯訌?.3kV交流電轉(zhuǎn)換為800V直流電，輸出功率250kW。去掉了傳統(tǒng)低頻變壓器這一中間環(huán)節(jié)，供電鏈路的體積和復(fù)雜度都大幅降低。

器件層面，方案采用Navitas GeneSiC系列碳化硅器件，包括3,300V超高壓和1,200V高壓SiC溝槽輔助平面MOSFET及SiC模塊。SiC相比傳統(tǒng)硬器件，在高壓、高頻場(chǎng)景下?lián)p耗更低，支撐了整套方案在效率和可靠性上的設(shè)計(jì)裕量。

EPFL電力電子實(shí)驗(yàn)室主任Drazen Dujic教授對(duì)此評(píng)價(jià)，這一固態(tài)變壓器平臺(tái)在中壓交流電網(wǎng)與800V直流數(shù)據(jù)中心架構(gòu)之間，提供了一個(gè)具備電氣隔離、靈活可擴(kuò)展的高效接口，同時(shí)也構(gòu)成了先進(jìn)分布式控制研究的真實(shí)實(shí)驗(yàn)環(huán)境。他還指出，借助Navitas SiC器件組合，EPFL得以在系統(tǒng)效率和設(shè)計(jì)裕量之間實(shí)現(xiàn)最優(yōu)平衡。

為什么是800V直流？

數(shù)據(jù)中心配電正經(jīng)歷結(jié)構(gòu)性轉(zhuǎn)變。高壓直流配電線(xiàn)路損耗更低、轉(zhuǎn)換級(jí)數(shù)更少，在超大規(guī)模AI算力集群中優(yōu)勢(shì)突出。800V是下一代數(shù)據(jù)中心架構(gòu)的重要方向，核心挑戰(zhàn)在于高效緊湊地完成中壓交流到800V直流的轉(zhuǎn)換。固態(tài)變壓器單級(jí)拓?fù)浯蛲ㄟ@一環(huán)節(jié)，減少多級(jí)轉(zhuǎn)換帶來(lái)的效率損耗與硬件堆疊。

該技術(shù)從實(shí)驗(yàn)室原型走向數(shù)據(jù)中心落地仍需工程化推進(jìn)。本次發(fā)布證明，SiC器件可支撐高壓大功率固態(tài)變壓器實(shí)用化，高壓直流配電技術(shù)路徑更加清晰。