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資騰亮相SEMICON China展示CMP超潔凈刷輪,助力先進制程良率提升

作者: 時間:2026-04-15 來源: 收藏

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科技將亮相S國際半導(dǎo)體展,展示CMP(Chemical Mechanical Polishing,化學(xué)機械研磨) 超潔凈空氣PVA刷輪。針對埃米時代對晶圓潔凈度與穩(wěn)定性的更高要求,該刷輪可有效降低微粒與制 程殘留,縮短預(yù)清潔時間,并減少晶圓空片用量,同時實現(xiàn)100%去離子水透水率,全面強化與先進封 裝良率。 于2026年3月25日至27日參加S國際半導(dǎo)體展,并在上海新國際博覽中心N3館 3187號展臺展 示多項解決方案。 

總經(jīng)理陳國榮表示:“隨著半導(dǎo)體制程邁向更先進的埃米時代,材料與設(shè)備技術(shù)的整合能力將成為產(chǎn)業(yè)發(fā) 展的關(guān)鍵。我們將持續(xù)導(dǎo)入全球創(chuàng)新技術(shù),并通過本地化技術(shù)服務(wù),協(xié)助客戶打造更高效、更可持續(xù)的半導(dǎo)體 制造環(huán)境。” 

晶圓表面工程需要在納米級缺陷控制、材料保護與量產(chǎn)成本之間取得平衡,是影響先進制程與先進封裝良率的 重要因素。在先進制程中,平整度不僅決定電路圖案能否“印得準(zhǔn)”,更直接影響先進封裝芯片堆疊時是否 能“貼得緊”,是決定半導(dǎo)體制造良率的重要環(huán)節(jié)。 

針對先進制程挑戰(zhàn),資騰本次展出的CMP超潔凈空氣PVA刷輪,在實際制程測試中可有效降低微粒與制程殘留物, 并縮短預(yù)清潔時間(break-in time),減少晶圓空片(dummy wafer)的用量;同時實現(xiàn)100%去離子水透水率, 在清洗過程中有效降低用水量,從而減少CMP制程用水,進一步提升產(chǎn)線稼動率,降低資源消耗。該刷輪采用 空氣發(fā)泡技術(shù),材料具備無淀粉殘留特性,擁有業(yè)界最低金屬粒子與液體微粒子檢出量,可減少化學(xué)殘留與細 菌滋生。

除了CMP潔凈制程技術(shù)外,資騰還展示了多項與環(huán)境可持續(xù)發(fā)展相關(guān)的制程解決方案。其中,IFC中性去光阻液 具備高效去除有機揮發(fā)物且對人體無害的特性;Morikawa VOCs液化回收系統(tǒng)則通過壓縮冷凝技術(shù)回收制程排 放氣體,回收效率可達99.9%,協(xié)助晶圓廠降低排放并提升資源利用效率。

同時,資騰也在積極拓展新興應(yīng)用領(lǐng)域,包括硅光子設(shè)備與AI服務(wù)器雙相浸沒式冷卻技術(shù)。通過整合設(shè)備、材 料與自動化技術(shù),資騰持續(xù)為半導(dǎo)體與先進電子產(chǎn)業(yè)提供多元化制程解決方案。 


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