AI算力競(jìng)賽持續(xù)升級(jí)，高帶寬記憶體（HBM）正式邁入新一輪技術(shù)分水嶺。 隨AMD與三星半導(dǎo)體宣布擴(kuò)大策略合作，鎖定HBM4與下一代AI存儲(chǔ)器解決方案開(kāi)發(fā)，市場(chǎng)關(guān)注焦點(diǎn)已不再局限于DRAM堆疊本身，而是轉(zhuǎn)向「Base Die（邏輯基底芯片）」設(shè)計(jì)能力。 創(chuàng)意近期完成HMB4 PHY及控制IC之測(cè)試片（Testchips），可對(duì)標(biāo)「首家內(nèi)存廠HBM4樣品」; 半導(dǎo)體業(yè)界推測(cè)，隨著Base Die往先進(jìn)制程推進(jìn)，內(nèi)存大廠將越發(fā)依賴ASIC業(yè)者奧援。

AMD與三星合作，核心在于下一代Instinct MI455X GPU導(dǎo)入HBM4，同步整合EPYC處理器與Helios機(jī)架級(jí)架構(gòu)，從芯片到系統(tǒng)全面優(yōu)化AI運(yùn)算效能。 三星強(qiáng)調(diào)，其HBM4采用第6代10納米級(jí)DRAM與4納米邏輯Base Die，并結(jié)合晶圓代工與先進(jìn)封裝能力，提供一站式解決方案。

供應(yīng)鏈消息透露，創(chuàng)意已完成臺(tái)積電3納米制程之HBM4 PHY及控制IC測(cè)試片，達(dá)到12Gbps超高速傳輸速度，并預(yù)計(jì)于4月22日臺(tái)積電技術(shù)論壇中展出; 此外，創(chuàng)意更著手準(zhǔn)備HBM4E（16Gbps）PHY，采用臺(tái)積電SoIC-X face-to-face封裝平臺(tái)，并整合TSV（硅穿孔）技術(shù)。

業(yè)界研判，三星逐步擴(kuò)大HBM供應(yīng)版圖，并藉由Base Die自制能力強(qiáng)化差異化優(yōu)勢(shì)。 SK海力士，雖在HBM3與HBM3E市占領(lǐng)先，并與NVIDIA維持緊密合作，但在HBM4 Base Die邏輯設(shè)計(jì)與系統(tǒng)整合能力上相對(duì)保守。 市場(chǎng)預(yù)期，隨HBM4設(shè)計(jì)復(fù)雜度攀升，海力士恐需重新強(qiáng)化與ASIC業(yè)者合作關(guān)系。

法人分析，創(chuàng)意長(zhǎng)期深耕先進(jìn)制程ASIC設(shè)計(jì)，并與臺(tái)積電生態(tài)系緊密連結(jié)，在HBM Base Die開(kāi)發(fā)具備優(yōu)勢(shì); 若海力士為提升競(jìng)爭(zhēng)力，回頭擁抱臺(tái)廠，將有助補(bǔ)齊邏輯設(shè)計(jì)與系統(tǒng)整合能力缺口。 此外，臺(tái)積電在SoIC與CoWoS先進(jìn)封裝布局領(lǐng)先，亦將成為HBM4競(jìng)局的重要支撐。