據《金融時報》報道，因美中兩國的監管壁壘持續讓英偉達對中國市場的芯片銷售前景蒙上陰影，該公司已暫停生產面向中國市場的人工智能芯片，并將臺積電的制造產能調配至其下一代 Vera Rubin 芯片平臺。

此次從 H200 芯片向 Vera Rubin 架構的產能轉移，意味著在經歷了數月來美國出口審批的不確定性以及中國可能出臺的限制措施后，英偉達認為短期內 H200 芯片在中國市場難有可觀需求。

監管不確定性催生戰略轉向

H200 是英偉達的一款早期一代 AI 處理器，原本是為符合美國先進半導體出口管制規定而設計。今年早些時候發布的 Vera Rubin 則是英偉達最新的芯片架構，專為支持更復雜的人工智能系統打造，預計將獲得 OpenAI、谷歌等美國頭部科技企業的強勁需求。

美國政府不斷收緊對中國的先進半導體出口限制，而中國方面也釋放出可能限制相關進口、扶持本土芯片企業的信號。

一位知情人士表示：“與其在不確定中等待，英偉達必須著手推進有把握落地的項目，尤其是其高端產品目前還面臨供應短缺的問題。從某種程度上來說，這一調整或能加快 Vera Rubin 平臺的交付與落地進程。”

英偉達此前曾同時向美國和中國政府游說，希望獲準向中國銷售 H200 芯片。去年 12 月，美國總統唐納德?特朗普釋放出批準相關銷售的信號后，英偉達便開始擴大產能，為承接中國客戶的訂單做準備。

該公司原本預計中國市場對 H200 芯片的需求將超 100 萬片，供應鏈合作方也已籌備最早于 3 月開始交付。今年 1 月初，英偉達首席執行官黃仁勛還表示，市場對該款芯片的需求 “極高”，公司已完成供應鏈的擴產布局。

出口審批有限，H200 芯片對華出貨仍陷停滯

后續美國政府相關部門為防范中國將先進芯片用于危害美國國家安全的用途，提出了更嚴格的保障措施，導致 H200 芯片的出口審批進程陷入停滯。與此同時，中國方面也在考慮限制采購 H200 芯片，以此鼓勵本土人工智能開發者采用國內半導體企業生產的處理器。

在上周的財報電話會議上，英偉達首席財務官科萊特?克雷斯表示，盡管美國政府已發放許可證，允許向中國 “小批量” 出口 H200 芯片，但公司目前尚未從這些審批中獲得任何營收。

她坦言：“我們無法確定這些芯片是否能獲準進入中國市場。”

美國商務部一名官員上月向路透社透露，即便已拿到出口許可證，英偉達至今仍未向中國客戶售出任何一片 H200 芯片。盡管特朗普政府在今年 1 月正式批準英偉達向中國銷售該款芯片，但審批流程中設置的各項約束條款，仍讓芯片出貨工作遲遲無法推進。

目前英偉達已生產約 25 萬片 H200 芯片，若美中兩國最終僅批準小批量的訂單需求，現有庫存或已能滿足市場需要。

本月下旬，中國國家主席習近平將與美國總統唐納德?特朗普舉行會晤，這也引發了市場對先進芯片出口管制政策或將重新審議的猜測。若相關限制措施放寬，英偉達重新調配供應鏈產能、恢復 H200 芯片生產預計需要長達 3 個月的時間。

Vera Rubin 平臺重構 AI 供應鏈格局

此次向 Vera Rubin 平臺的產能轉向，也正在重構整個人工智能半導體的供應鏈體系。

據韓國媒體報道，三星電子和 SK 海力士正成為英偉達 Vera Rubin 架構下一代 AI 加速器的高帶寬內存（HBM）核心供應商。

兩家企業將為英偉達供應第六代高帶寬內存 HBM4，該產品被英偉達視為支撐其下一代 AI 加速器性能的關鍵核心組件。

韓國媒體援引行業消息人士的話稱，美光科技目前未被列入 Vera Rubin 旗艦加速器的供應商名單，但未來或可為魯賓系列的中階產品供應內存。

存儲廠商爭奪下一代 AI 加速器供應鏈席位

英偉達在 AI 加速器市場的主導地位，也讓各大存儲廠商爭奪其 HBM 供應鏈席位的競爭愈發激烈。

據悉，Vera Rubin 平臺將搭載 16 堆疊的 HBM4，總內存容量可達 576GB，高于超威（AMD）下一代 MI450 加速器規劃的 432GB 內存容量。

有消息稱，三星電子已通過英偉達 HBM4 認證測試的關鍵階段，而 SK 海力士仍在與英偉達合作開展優化工作，完成最后的測試流程。

由于 HBM4 從 DRAM 晶圓投片到封裝完成，整個生產周期通常需要 6 個多月，行業觀察人士預計，這兩家韓國企業最早將于本月啟動 HBM4 的大規模量產。

英偉達方面拒絕對上述報道置評，臺積電在接受路透社采訪時也同樣不予回應。