隨著AI功能逐漸向邊緣端發(fā)展，它們將推動更多的AI應(yīng)用，而且這些應(yīng)用將越來越需要更強大的分析能力和智能，以便讓系統(tǒng)在本地即可做出操作決策，無論是部分還是完全自主的，就像在自動駕駛汽車中一樣。

機器學(xué)習(xí)有兩個基本階段：訓(xùn)練和推理。人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，旨在模仿大腦的工作方式，首先要面對大量的已知數(shù)據(jù)（例如狗和貓的圖片），這樣才能學(xué)會識別每個物體的樣子以及它們的不同之處。然后，經(jīng)過訓(xùn)練的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)或模型就可以利用所學(xué)到的知識，對呈現(xiàn)在面前的新數(shù)據(jù)進行推理以推斷出新的事物，比如，確定一個圖像是狗還是貓。

目前大多數(shù)訓(xùn)練都是在數(shù)據(jù)中心進行的，但也有少數(shù)是在邊緣端進行。像谷歌、Facebook、亞馬遜、蘋果和微軟這樣的大公司都擁有海量的用戶數(shù)據(jù)，因此可以為他們的服務(wù)器農(nóng)場提供足夠多的數(shù)據(jù)，進行工業(yè)規(guī)模的AI訓(xùn)練，以便改進其算法。訓(xùn)練階段需要非常快的處理器，例如GPU或Google TPU（張量處理器）。

邊緣設(shè)備收集到數(shù)據(jù)（例如建筑物圖片或面部照片）后，將其傳送到推理引擎進行分類時，就會發(fā)生推理。基于云端的AI因為其固有的延遲缺點，對許多應(yīng)用來說是不可接受的。例如，自動駕駛汽車需要對其看到的對象做出實時決策，對基于云端的AI架構(gòu)來說，這是不可能實現(xiàn)的。

隨著AI功能逐漸向邊緣端發(fā)展，它們將推動更多的AI應(yīng)用，而且這些應(yīng)用將越來越需要更強大的分析能力和智能，以便讓系統(tǒng)在本地即可做出操作決策，無論是部分還是完全自主的，就像在自動駕駛汽車中一樣。

傳統(tǒng)的CPU不是很擅長這類任務(wù)，而且高端GPU耗能很大且價格昂貴。邊緣端推理就要求更便宜、功率更低的芯片，可快速通過神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)來識別一個動物，識別一張臉，鎖定一個腫瘤，或?qū)⒌抡Z翻譯成英語。

如今，有超過30家公司正在研發(fā)專用的AI硬件，以用于智能手機、平板電腦和其他邊緣設(shè)備中，來提高完成這些專業(yè)計算任務(wù)的效率。

據(jù)市場分析預(yù)測，從2017到2021年，全球AI芯片市場將以高達54%的年復(fù)合增長率而增長。這一增長的關(guān)鍵驅(qū)動因素就在于能夠滿足機器學(xué)習(xí)要求的強大硬件性能。

消除存儲器瓶頸

所有AI處理器都依賴于數(shù)據(jù)集，即代表“學(xué)過的”對象類別（比如圖像和聲音等）的模型，來識別對象。每個對象的識別和分類都需要多次訪問內(nèi)存。當今工程師面臨的最大挑戰(zhàn)是如何克服現(xiàn)有架構(gòu)中的內(nèi)存訪問速度和功耗瓶頸，以獲得更快的數(shù)據(jù)訪問，同時降低數(shù)據(jù)存取的能源成本。

通過盡可能靠近AI處理器內(nèi)核來存放訓(xùn)練數(shù)據(jù)，可以獲得最快的速度和最大能效。但是，目前的設(shè)計所采用的存儲架構(gòu)都是幾年前還沒有其他實用解決方案時創(chuàng)建的，仍然是快速但小容量的嵌入式SRAM與大容量但較慢的外部DRAM的傳統(tǒng)組合。當訓(xùn)練模型以這種方式存儲時，嵌入式SRAM、外部DRAM和神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)之間頻繁和大規(guī)模的數(shù)據(jù)交換會增加能耗及傳輸延遲。此外，SRAM和DRAM都是易失性存儲器，限制了在待機狀態(tài)實現(xiàn)節(jié)能的能力。

圖1：存儲器位于AI架構(gòu)的中心

利用高密度、高速和低功耗的非易失性存儲器將整個訓(xùn)練模型直接存儲在AI處理器裸片上，這樣就可以實現(xiàn)更高的能效和速度。通過啟用以存儲器為中心的新架構(gòu)，整個訓(xùn)練模型或知識庫就可以放在芯片上，直接連接到神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，這樣就有潛力實現(xiàn)大規(guī)模節(jié)能和性能大幅提升，從而大大延長電池壽命并提供更好的用戶體驗。今天，已經(jīng)有幾種新一代存儲器技術(shù)正在競相實現(xiàn)這一目標。

ReRAM的潛力

針對AI應(yīng)用的理想非易失性嵌入式存儲器應(yīng)該具備如下特點：容易制造，易于集成到熟知的CMOS工藝的后端，可輕松擴展到高級節(jié)點，可以大批量供應(yīng)，并且能夠滿足這些應(yīng)用對能耗和速度的要求。

電阻式RAM（ReRAM）比磁性RAM（MRAM）或相變存儲器（PCM）方案具有更強的可擴展性能，這在考慮14、12甚至7nm晶圓工藝時是一個重要的因素。其他技術(shù)都要求比ReRAM更復(fù)雜和昂貴的制造工藝，而且還更耗能。

圖2：ReRAM可以填補存儲器技術(shù)的空白

例如，Crossbar公司的ReRAM納米絲技術(shù)可以在不影響性能的情況下縮小到10nm以下。ReRAM基于簡單的器件結(jié)構(gòu)，采用適合CMOS工藝的材料和標準制造流程，可在現(xiàn)有CMOS晶圓廠生產(chǎn)。由于它是一種低溫、后端工藝集成，因此可以在CMOS邏輯晶圓上集成多層ReRAM陣列，以構(gòu)建3D ReRAM存儲空間。

AI需要最佳的每瓦性能，尤其對于小功率的邊緣設(shè)備。ReRAM的能效可達到DRAM的五倍——每納焦高達1,000位讀取——同時表現(xiàn)出比DRAM更好的整體讀取性能，高達12.8GB/s，而隨機延遲小于20ns。

以內(nèi)存為中心的架構(gòu)

科學(xué)家們一直在探索各種新穎的大腦啟發(fā)思維范式，試圖通過模仿中樞神經(jīng)系統(tǒng)的神經(jīng)元和突觸交互的方式來實現(xiàn)更高的能效。基于ReRAM技術(shù)的人工神經(jīng)突觸是一種非常有前途的方法，可用于在神經(jīng)形態(tài)結(jié)構(gòu)中實現(xiàn)這些高密度和可縮放的突觸陣列。通過在邊緣端啟用AI，ReRAM有可能在當前和全新的AI探索中發(fā)揮重要作用。

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