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臺灣地震后DRAM價格溫和可控！

上周，臺灣遭遇了一場嚴重的地震，而隨后兩天有關(guān)內(nèi)存制造商拒絕公布DRAM合約價格的報道引發(fā)了人們對DRAM市場的擔憂。然而，根據(jù)行業(yè)研究機構(gòu)TrendForce的一份報告顯示，地震對DRAM市場的影響已經(jīng)在短短一周內(nèi)得到...

DRAM 2024-05-15

三星CXL全球首創(chuàng)，3D DRAM路線圖公布

據(jù)報道，三星推出了一款名為 CXL 分層內(nèi)存混合內(nèi)存模塊 (CMM-H TM：CXL Memory Module-Hybrid for Tiered Memory) 的新型 Compute ...

3D DRAM 2024-04-07

美光將于2025年量產(chǎn)1-gamma制程DRAM

9月4日消息，據(jù)中國臺灣媒體報道，中國臺灣美光董事長盧東暉近日接受采訪時表示，美光有多達 65% 的 DRAM 產(chǎn)品在中國臺灣生產(chǎn)，其中臺日團隊一起研發(fā)新一代的 1-gamma 制程，是美光第 1 代采用極紫外光（EUV...

DRAM 2023-09-04

瑞薩推出用戶端時脈驅(qū)動器和第3代RCD

瑞薩電子推出第三代DDR5暫存時脈驅(qū)動器（RCD）和第一代用戶端時脈驅(qū)動器（CKD）用于新興的服務(wù)器及用戶端DDR5 DRAM。藉由這些新的驅(qū)動器IC，瑞薩成為一家為雙列直插式存儲器模塊（DIMM）、主板和嵌入式應(yīng)用...

DRAM DIMM 2023-08-03

三星電子將開發(fā)4F2 DRAM存儲單元，加速3D DRAM商業(yè)化

隨著摩爾定律推進速度放緩，DRAM工藝也步入了技術(shù)瓶頸期，DRAM的擴展速度明顯放緩。因此，3D DRAM成為存儲廠商迫切想突破DRAM工藝更高極限的新路徑。近日，據(jù)韓媒The Elec報道，三星電子...

三星 DRAM 2023-05-29

CXL 2.0 DRAM，全球首款！

來源：內(nèi)容來自三星，謝謝。先進半導體技術(shù)的全球領(lǐng)導者三星電子今天宣布，開發(fā)出業(yè)界首款支持 Compute Express Link (CXL) 2.0 的 128 GB DRAM。三星與英特爾密切合作，在英特爾至強平臺上...

DRAM 2023-05-14

3D DRAM，Chiplet芯片微縮化的“續(xù)命良藥”

來源：ASPENCORE在邊緣計算領(lǐng)域里，對DRAM帶寬的要求遠高于容量，此時采用Chiplet方式集成3D DRAM存儲方案，就可以同時提供高帶寬和低功耗。今年2月，在正式加入UCIe?(Universal Chipl...

DRAM 2023-05-05

12納米后，DRAM怎么辦？

來源：內(nèi)容由半導體行業(yè)觀察（ID：icbank）編譯自semiwiki ，謝謝。追求更小的 DRAM 單元尺寸（cell size)仍然很活躍并且正在進行中。對于 D12 節(jié)點，DRAM 單元尺寸預計接近 0...

DRAM 2023-01-18

突破| 繞過EUV光刻機來實現(xiàn)DRAM芯片自主開發(fā)，這家存算一體芯片公司成功實現(xiàn)

來源：問芯VoiceDRAM 技術(shù)一直發(fā)展到 10nm 制程以下，導入 ASML 獨門秘技極紫外線 EUV 光刻機已是業(yè)界共識。現(xiàn)今韓系存儲大廠三星、SK 海力士，以及美系存儲大廠美光都朝此方向前進; 三星的 14nm ...

DRAM 2022-06-19

3D DRAM技術(shù)是DRAM的的未來嗎？

5月25日，有消息傳出，華為將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開發(fā)的 3D DRAM 技術(shù)。隨著“摩爾定律”走向極限，DRAM芯片工藝提升將愈發(fā)困難。3D&n...

DRAM 3D 2022-05-30

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LPDDR6 DRAM