- ?二維材料憑借其原子級厚度、無懸掛鍵的表面以及優異的電學和光電特性,正成為延續和超越摩爾定律的核心候選材料。其最新發展趨勢主要體現在以下幾個方面:1)?面向“More Moore”的極致尺寸微縮與新架構(CFET/MCT):在亞2納米甚至1納米節點,傳統的硅基晶體管面臨嚴重的短溝道效應和遷移率退化。二維半導體(如MoS2、WSe2等)由于即使在原子級厚度下仍能保持良好的靜電控制和高遷移率,被視為理想的溝道材料。器件架構正向多通道晶體管(MCTs)、環柵(GAA)結構以及互補場效應晶體管
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ektronix 二維材料器件 測量
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