- Mentor Graphics公司(納斯達克代碼：MENT)日前宣布它已完成其用于臺積電16納米FinFET制程的數字成套工具。臺積電16納米參考流程包含一些新功能，用于Olympus-SoC?布局與布線系統的16納米設計，以及Calibre?物理驗證和可制造性設計(DFM)平臺。
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Mentor FinFET
- 隨著上海自貿區掛牌時間的臨近，本周自貿熱卷土重來：龍頭股外高橋及陸家嘴連續收出兩個漲停板，且漲勢有向縱深方向擴散的跡象。此前，市場人士就已獲悉，允許國外企業在華銷售游戲機將是上海自貿區藍圖的一部分;本月23日晚間，百視通發布的與微軟在上海自貿區組建合資公司的公告，更是令自貿區相關游戲機概念的炒作熱潮一觸即發，百視通昨日就強勢漲停。
分析人士表示，百視通與微軟在上海自貿區設立合資公司的舉措表明，實行了十三年的游戲機禁令將在上海自貿區正式終結;在此背景下，預計與游戲機生產相關的軟硬件公司，如水晶光電
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紅外LED CMOS
- 銅柱凸點和微焊點將改變倒裝芯片的市場和供應鏈。之所以這樣說，是因為除了移動產品用處理器和內存外，其他CMOS半導體也需要在比現在更小的芯片面積上實現更多的I/O個數以及更高的帶寬，并采取更好的散熱措施。
目前全球倒裝芯片市場規模為200億美元，以年增長率為9%計算，到2018年將達到350米億美元。在加工完成的倒裝芯片和晶圓中，銅柱凸點式封裝的年增長率將達到19%。到2014年，已形成凸點的晶圓中將有50%使用銅柱凸點，從數量上來說，銅柱凸點式封裝將占到倒裝芯片封裝市場的2/3。
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CMOS 倒裝芯片
- FinFET稱為鰭式場效晶體管，由于晶體管的形狀與魚鰭的相似性而得到該命名。這是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管。FinFET是對場效晶體管的一項創新設計，變革了傳統晶體管結構，其控制電流通過的閘門被設計成類似魚鰭的叉狀3D架構，將原來的單側控制電路接通與斷開變革為兩側。
FinFET這樣創新設計的意義，在于改善了電路控制并減少漏電流，縮短了晶體管的閘長，對于制程流程、設備、電子設計自動化、IP與設計方法等產生重要影響與變革。FinFET技術升溫，使得半導體業戰火重燃，尤其是以Fi
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FinFET 半導體制造
- 半導體業界已發展出運用FinFET的半導體制造技術，對制程流程、設備、電子設計自動化、IP與設計方法產生極大變化。特別是IDM業者與晶圓代工廠正競相加碼研發以FinFET生產應用處理器的技術，促使市場競爭態勢急速升溫。
過去數10年來，互補式金屬氧化物半導體(CMOS)平面電晶體一直是電子產品的主要建構材料，電晶體幾何結構則一代比一代小，因此能開發出高效能且更便宜的半導體晶片。
然而，電晶體在空間上的線性微縮已達極限，電晶體縮小到20奈米(nm)以下，會降低通道閘極控制效果，造成汲極(Dr
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半導體 FinFET
- 高介電常數(High-k) 金屬閘極應用于先進互補式金氧半導體(CMOS) 技術的關鍵挑戰是什么?
高介電常數/金屬閘極(HKMG) 技術的引進是用來解決標準SiO2/SiON 閘極介電質縮減所存在的問題。雖然使用高介電常數介電質能夠持續縮減等效氧化物厚度(EOT)，整合這些材料需對NMOS及PMOS 元件采用不同的金屬閘極。為了以最低臨界電壓(從而為最低功率)操作元件，NMOS元件必須使用低工作函數金屬而PMOS 元件則必須使用高工作函數金屬。即便有許多種金屬可供挑選，但其中僅有少數具有穩定的
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ASM CMOS
- 日前，SeMind舉辦了圓桌論壇，邀請半導體設計與制造的專家齊聚一堂，共同探討未來晶體管、工藝和制造方面的挑戰，專家包括GLOBALFOUNDRIES的高級技術架構副總裁Kengeri SUBRAMANI ，Soitec公司首席技術官Carlos Mazure，Intermolecular半導體事業部高級副總裁兼總經理Raj Jammy以及Lam公司副總裁Girish Dixit。
SMD ：從你們的角度來看，工藝升級短期內的挑戰是什么?
Kengeri ：眼下，我們正在談論的28nm到2
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FinFET 3D
- 鰭式電晶體(FinFET)將成晶圓廠新角力戰場。為卡位16/14納米市場商機，臺積、聯電和格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)正傾力投資FinFET技術，并各自祭出供應鏈聯合作戰策略，預計將于2014～2015年陸續投入量產，讓晶圓代工市場頓時硝煙彌漫。
FinFET制程將成晶圓廠新的角力戰場。為卡位16/14納米市場商機，并建立10納米發展優勢，臺積電、聯電和格羅方德正傾力投資FinFET技術，并已將開戰時刻設定于2014?2015年;同時也各自祭出供應鏈聯合作戰策略，期抗衡英特爾和三星
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FinFET 晶圓
- 東芝公司（Toshiba Corporation） （TOKYO:6502）已經擴充了其200mA單輸出CMOS-LDO穩壓器陣容。該系列產品專為移動 ...
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移動設備 CMOS-LDO
- 電壓的準確測量需要盡量減小至被測試電路之儀器接線的影響。典型的數字電壓表 (DVM) 采用 10M 電阻器網絡以把負載效應保持在不顯眼的水平，即使這會引起顯著的誤差，尤其是在包含高電阻的較高電壓電路中。
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凌力爾特 LTC6090 CMOS 放大器 電阻器
- 臺灣第3季IC封測產業產值可較第2季成長4.5%。展望第3季臺灣半導體封裝測試產業趨勢，IEK ITIS計劃預估，第3季臺灣封裝及測試業產值分別可達新臺幣757億元和336億元，分別較第2季微幅成長4.6%和4.3%。
IEK ITIS計劃指出，展望第3季，高階智慧型手機市場反應趨弱，封測廠蒙上一層陰影;第3季智慧型手機、平板電腦以及大型數位電視終端產品需求可能趨緩，汰舊換新動能略有轉弱，整體電子業庫存調整時間可能拉長。
展望今年全年IC封裝測試產業表現，IEK ITIS計劃指出，雖然高階
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IC封測 CMOS
- 英格蘭錫爾--(美國商業資訊)--世界領先的系統到芯片集成電路設計咨詢公司之一的英盛德認為，FinFET技術使用的日趨盛行將為集成電路設計商帶來新的挑戰，因為這些設計商希望從新構架帶來的尺寸優勢中受益。
工程部副總裁Kevin Steptoe解釋說：“最近，在德州召開的設計自動化大會(Design Automation Conference)上，展廳中討論FinFET技術的聲音不絕于耳。同樣，我們發現我們的客戶——包括消費、電腦和圖形行業領域的最知名企業&md
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集成電路設計 FinFET
- 根據美國商業資訊報導，世界領先的系統到晶片積體電路設計顧問公司之一的英盛德(Sondrel)認為，FinFET技術使用的日趨盛行將為積體電路設計商帶來新的挑戰，因為這些設計商希望從新構架帶來的尺寸優勢中受惠。
工程部副總裁Kevin Steptoe解釋說：「最近，在德州召開的設計自動化大會(Design Automation Conference)上，展場中討論FinFET技術的聲音不絕于耳。同樣，我們發現我們的客戶——包括消費、電腦和圖形產業領域的最知名企業&mdash
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Sondrel FinFET
- CMOS圖像傳感器能夠快速發展，一是基于XMOS技術的成熟，二是得益于固體圖像傳感器技術的研究成果。進入20世紀90年代，關于CMOS圖像傳感器的研究工作開始活躍起來。蘇格蘭愛丁堡大學和瑞典Linkoping大學的研究人員分別進行了低成本的單芯片成像系統開發，美國噴氣推進實驗室研究開發了高性能成像系統，其目標是滿足NASA對高度小型化、低功耗成像系統的需要。他們在CMOS圖像傳感器研究方面取得了令人滿意的結果，并推動了CMOS圖像傳感器的快速發展。
當前研究開發CMOS圖像傳感器的機構很多，其中
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CMOS 圖像傳感器
- 一線晶圓廠正紛紛以混搭20納米制程的方式，加速14或16納米鰭式電晶體(FinFET)量產腳步。包括IBM授權技術陣營中的聯電、格羅方德 (GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預計在2014年以14納米FinFET前段閘極結合20納米后段金屬導線制程的方式達 成試量產目標;而臺積電為提早至2015年跨入16納米FinFET世代，初版方案亦可望采用類似的混搭技術，足見此設計方式已成為晶圓廠進入 FinFET世代的共通策略。
聯華電子市場行銷處處長黃克勤提到，各家廠商在16/
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晶圓 FinFET
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