cmos finfet 文章最新資訊

三星領(lǐng)先臺(tái)積 14納米進(jìn)化

　　三星21日宣布成功試產(chǎn)第1顆導(dǎo)入3D 鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)的14納米測(cè)試芯片，進(jìn)度領(lǐng)先臺(tái)積電，顯示在蘋(píng)果「去三星化」趨勢(shì)已定下，三星力拚臺(tái)積電的野心只增不減。　　韓聯(lián)社報(bào)導(dǎo)，三星與安謀(ARM)、益華(Cadence)、明導(dǎo)(Mentor)與新思(Synopsis)共同合作，成功試產(chǎn)出旗下第1顆采用FinFET技術(shù)的14納米測(cè)試芯片。　　三星系統(tǒng)芯片部門(mén)主管表示，14納米FinFET制程技術(shù)可提升電子裝置效能并降低耗電量，進(jìn)一步改善行動(dòng)環(huán)境，這也是IBM之后，第2家搭載安謀處理器架構(gòu)
關(guān)鍵字：三星 FinFET 14納米

中芯國(guó)際背照式成像傳感技術(shù)取得突破

　　中芯國(guó)際宣布在背照式CMOS成像傳感技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展，首款背照式CMOS成像傳感測(cè)試芯片一次流片即獲得成功，在低照度下同樣獲得高質(zhì)量的清晰圖像。這標(biāo)志著中芯國(guó)際自主開(kāi)發(fā)的背照式CMOS成像傳感芯片全套晶圓工藝核心技術(shù)接近成熟，步入產(chǎn)業(yè)化階段，更好地滿(mǎn)足高端智能移動(dòng)終端的需要。該技術(shù)將于2013年與客戶(hù)伙伴進(jìn)行試產(chǎn)。　　背照式CMOS成像傳感芯片工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)的成功，有助于中芯國(guó)際進(jìn)一步拓展晶圓代工業(yè)務(wù)，支持國(guó)內(nèi)外客戶(hù)500萬(wàn)像素以上高分辨率智能手機(jī)用圖像傳感芯片、以及高性能視頻影像傳感芯片
關(guān)鍵字：中芯國(guó)際傳感芯片 CMOS

中芯國(guó)際背照式成像傳感技術(shù)取得突破

中芯國(guó)際集成電路制造有限公司("中芯國(guó)際"，紐約證交所代碼：SMI，香港聯(lián)交所代碼：981)，中國(guó)規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路代工廠，日前宣布在背照式 CMOS 成像傳感技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展，首款背照式 CMOS 成像傳感測(cè)試芯片一次流片即獲得成功，在低照度下同樣獲得高質(zhì)量的清晰圖像。
關(guān)鍵字：中芯國(guó)際 CMOS

一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的低功耗振蕩器電路設(shè)計(jì)

摘要：給出了一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的低功耗振蕩器電路的設(shè)計(jì)方法，該電路由RC充放電回路、偏置電路組成。與傳統(tǒng)振蕩器電路相比，該電路具有精度高、電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單以及輸出占空比可調(diào)等優(yōu)點(diǎn)。采用0．35 mu;m BCD工藝并利用Cad
關(guān)鍵字：振蕩器電路低功耗 RC振蕩器 CMOS

低功耗LNA設(shè)計(jì)

摘要：為了應(yīng)對(duì)低功耗電路設(shè)計(jì)要求，提出了一個(gè)在低功耗要求下CMOS低噪聲放大器的設(shè)計(jì)方法。使用該方法在0.18μm CMOS集成工藝下，設(shè)計(jì)一款低噪聲放大器，并在ADS中進(jìn)行前仿真。
關(guān)鍵字： CMOS 放大器 LNA 201212

一種全集成型CMOS LDO的設(shè)計(jì)

引言隨著便攜式電子設(shè)備的廣泛使用，系統(tǒng)集成度越來(lái)越高。對(duì)于數(shù)／模混合的片上系統(tǒng)中，數(shù)字電路對(duì)模擬電路的 ...
關(guān)鍵字：全集成 CMOS LDO

全球半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)額2012年將首次衰退

　　今年經(jīng)濟(jì)景氣比原來(lái)預(yù)估差，使我們只得再度下修全球半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)額，預(yù)估今年?duì)I業(yè)額為3030億美元(8.82兆臺(tái)幣)，較2011年3100億美元衰退2.3%。從2009年后，每年全球半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)額皆呈成長(zhǎng)，2012年是首次衰退，所幸2013年可望恢復(fù)成長(zhǎng)。　　2012年半導(dǎo)體的6大應(yīng)用市場(chǎng)中，只有無(wú)線通訊應(yīng)用市場(chǎng)呈現(xiàn)成長(zhǎng)，資料處理、消費(fèi)電子、工業(yè)、有線通訊以及汽車(chē)等5大應(yīng)用市場(chǎng)，皆呈衰退。　　明年將可恢復(fù)成長(zhǎng) 　　資料處理是半導(dǎo)體最大的應(yīng)用市場(chǎng)，PC(PersonalComputer，個(gè)人電腦)是資
關(guān)鍵字：平板電腦 CMOS.DRAM

CMOS與CCD圖像傳感器技術(shù)性能對(duì)比

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： CMOS CCD 圖像傳感器

波士頓半導(dǎo)體收購(gòu)日本半導(dǎo)體廠設(shè)備

　　波士頓半導(dǎo)體設(shè)配公司 (Boston Semi Equipment, LLC)宣布整入全套 200mm CMOS 制造晶圓廠設(shè)備。此套晶圓廠設(shè)備內(nèi)含超過(guò) 500 項(xiàng)目前還在日本用于生產(chǎn)線中的設(shè)備。此套設(shè)備目前用于 0.25 微米制程，實(shí)際上具有 0.18 微米的生產(chǎn)力。設(shè)備的重新?tīng)I(yíng)銷(xiāo)也即將開(kāi)始。　　擔(dān)任 Boston Semi Equipment CEO 的 Bryan Banish 說(shuō)道：“這是 Boston Semi Equipment 的一次重要收購(gòu)，不僅更確認(rèn)并擴(kuò)大我們?cè)谇岸味?/li>
關(guān)鍵字： LLC CMOS 200mm

為汽車(chē)應(yīng)用而優(yōu)化的CMOS收音機(jī)IC解決方案

高增長(zhǎng)的經(jīng)濟(jì)體如巴西、印度尼西亞、印度和中國(guó)已出現(xiàn)新興中產(chǎn)階級(jí)和快速增長(zhǎng)的汽車(chē)市場(chǎng)。這些市場(chǎng)要求汽車(chē)...
關(guān)鍵字： CMOS 收音機(jī)IC 汽車(chē)應(yīng)用

高動(dòng)態(tài)范圍CMOS圖像傳感器在汽車(chē)視覺(jué)系統(tǒng)中的應(yīng)用

1. 簡(jiǎn)介隨著汽車(chē)安全重要性的凸顯，行車(chē)輔助系統(tǒng)（Driving Assistance System，DAS）在汽車(chē)領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。在這類(lèi)應(yīng)用中，圖視覺(jué)系統(tǒng)是必不可少的一個(gè)組成部分，其必須快速、精確地感知各種路況，進(jìn)而提前預(yù)
關(guān)鍵字： CMOS 動(dòng)態(tài)范圍圖像傳感器汽車(chē)視覺(jué)

科學(xué)家首次研制成功單電子半加器

　　據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)11月21日?qǐng)?bào)道，研究人員一直在努力降低硅基計(jì)算組件的尺度，以滿(mǎn)足日益增長(zhǎng)的小規(guī)模、低能耗計(jì)算需求。這些元件包括晶體管和邏輯電路，它們都被用于通過(guò)控制電壓來(lái)處理電子設(shè)備內(nèi)的數(shù)據(jù)。在一項(xiàng)新研究中，韓國(guó)、日本和英國(guó)科學(xué)家組成的科研小組僅用5個(gè)晶體管就制造出一個(gè)半加器，它是所有邏輯電路中最小的一種。這也是首次成功制成基于單電子的半加器(HA)。相關(guān)研究報(bào)告發(fā)表在最新一期《應(yīng)用物理快報(bào)》上。　　研究人員稱(chēng)，單電子半加器是單電子晶體管多值邏輯電路家族中最小的運(yùn)算模塊，所有的邏輯電路都由眾多半
關(guān)鍵字：半加器晶體管 CMOS

一種用于CIS的快速低噪聲CMOS緩沖器

摘要：基于TSMC 0.13μm CMOS工藝，設(shè)計(jì)了一種用于CMOS圖像傳感器(CIS)的快速低噪聲緩沖器。該緩沖器的面積相對(duì)較低，輸出級(jí)采用改進(jìn)式AB類(lèi)輸出級(jí)，不僅保證了建立速度，而且還能抑制由于電路結(jié)構(gòu)不對(duì)稱(chēng)而帶來(lái)的噪聲。
關(guān)鍵字： CIS 緩沖器 CMOS 201211

ASM：邁入FinFET將需要全方位ALD方案

　　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在轉(zhuǎn)換到3D結(jié)構(gòu)，進(jìn)而導(dǎo)致關(guān)鍵薄膜層對(duì)高速原子層沉積(ALD)的需求日益升高。過(guò)去在平面元件中雖可使用幾個(gè) PVD 與 CVD 步驟，但就閘極堆疊的觀點(diǎn)而言，過(guò)渡到 FinFET 元件將需要全方位的 ALD 解決方案。　　就 FinFET 而言，以其尺寸及控制關(guān)鍵元件參數(shù)對(duì)后閘極 (gate last) 處理的需求來(lái)說(shuō)，在 14 奈米制程必需用到全 ALD 層。半導(dǎo)體設(shè)備大廠 ASM International (ASMI) 針對(duì)此一趨勢(shì)，與《電子工程專(zhuān)輯》談到了ALD 技術(shù)在先進(jìn)半導(dǎo)
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 FinFET ALD