基于ARM和CPLD的開放式數控系統設計,針對新一代開放式數控系統的特征要求,提出一種基于ARM和CPLD、以Windows CE為操作系統的開放式數控系統方案。介紹了系統的軟硬件平臺開發,重點討論了系統核心部分中斷控制的實現方案,包括Windows CE系統中斷服務、應用程序中斷響應和CPLD程序。
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數控系統 設計 開放式 CPLD ARM 基于 通信協議
據《自然》雜志報道,IBM的科學家當日宣布,他們用微型硅電路取代銅線實現了芯片間通訊,在通過光脈沖而不是電子信號進行芯片通訊上取得重大突破。
這種設備被稱為‘納米光子雪崩光電探測器’(nanophotonic avalanche photodetector),是同類產品中速度最快的一個,并且顯著降低了能耗,將對未來電子行業發展產生重大影響。
IBM的設備利用了當前芯片生產中使用的鍺元素的雪崩效應。與陡峭山體的雪崩一樣,最初出現的光脈沖只釋放了一小部分電荷載體,隨后這
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IBM 芯片 通訊
國內芯片方案廠商福州瑞芯微剛剛推出了RK2808芯片方案,這是一款可以用于手機、MID、電子書等設備的芯片。這款芯片率先開始支持Android系統,采用65納米制程構建,其最大的賣點是支持Android系統下的720p視頻回放,在Android方案播放HD較弱的背景下,這也是目前這方面最 強的芯片方案。另外,從官網的介紹還看到支持WinCE平臺。
該方案特點如下:
* 65納米工藝
* ARM+DSP 雙核結構,ARM 600M,DSP 550M
*
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瑞芯微 芯片 RK2808 Android
SA60 和LMD18245 分別是美國Apex 公司和NS 公司推出的面向中小型直流電機的全橋功率輸出電路。它們既具有在外接少量元件的情況下實現電機的功率驅動、控制以及提供保護等功能的共性,又具有各自特色。下面就其引腳、功
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及其 應用 芯片 驅動 電機 功率 直流
美國密歇根大學近日宣布,其研究人員已經成功開發出了一款體積僅有9立方毫米的太陽能驅動傳感器系 統,可以從周圍環境中獲得電能,幾乎永無休止的工作下去。該傳感器的尺寸僅有2.5x3.5x1mm,9mm³的體積僅是目前市場上同類設備的1/1000,不過其內部包含了一套完整的傳感器系統,包括 ARM Cortex-M3處理器,太陽能電池板和薄膜儲電電池。由于此類傳感器的工作特點,它絕大部分時間都處在休眠狀態,此時其功耗僅有同類產品的 1/2000。以此計算,其整個工作過程中的平均功耗僅有1納瓦(10
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ARM Cortex-M3 處理器
基于UCC27321高速MOSFET驅動芯片的功能與應用,1 引言 隨著電力電子技術的發展,各種新型的驅動芯片層出不窮,為驅動電路的設計提供了更多的選擇和設計思路,外圍電路大大減少,使得MOSFET的驅動電路愈來愈簡潔,.性能也獲得到了很大地提高。其中UCC27321
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1 AD5933芯片概述 1.1 主要性能 AD5933是一款高精度的阻抗測量芯片,內部集成了帶有12位,采樣率高達1MSPS的AD轉換器的頻率發生器。這個頻率發生器可以產生特定的頻率來激勵外部電阻,電阻上得到的響應信號被ADC
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5933 AD 阻抗測量 芯片
據國外媒體報道,飛思卡爾半導體向美國國際貿易委員會(USITC)投訴,稱日本松下公司和液晶電視制造商Funai電子在電視機和媒體播放器等產品中,侵犯了其芯片專利權。
投訴中稱,松下、Funai和JVC Kenwood等公司,以及百思買、沃爾瑪等零售商店侵犯了飛思卡爾的知識產權。在國際貿易委員會的網站上可以找到關于本次投訴的公告,但目前還無法獲得投訴的全文拷貝。
總部設在德州奧斯丁的飛思卡爾公司的發言人Robert Hatley表示松下、Funai和JVC Kenwood銷售了侵犯飛思卡爾專
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飛思卡爾 芯片
引言
本文對基于ARM處理器的高性能星載容錯計算機系統進行了方案研究和論證,該系統應用于北京航空航天大學在研的學生小衛星。該小衛星設計壽命1個月,用于實現新概念微小衛星平臺在軌實驗、驗證重力梯度桿技術和空間成像技術。項目分為星載計算機、姿態測量、軌道測量、有效載荷、電源、空間展開機構、結構和地面站八個分系統。根據總體任務要求,星上電子系統采用一體化設計,需要完成任務總體提出的各項功能,并滿足體積、功耗、可靠性和成本等指標。由于低成本的要求,星上的多種設備和器件將選用商業器件,并需要適應空間帶電粒
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ARM 處理器 LPC2478 計算機系統
近年,LED技術在照明等領域廣泛應用,LED產業也在中國快速走熱,但很多企業在技術上缺乏競爭力,預期利潤不高,大量的資本進入這個市場勢必造成利潤攤薄,引起無序競爭,行業洗牌或在今年。
多位業內專家也表示,LED產業已現過熱苗頭,需警惕產能過剩問題;另外國外巨頭的強勢進入,國內廠商在新一輪競爭中應加快技術開發和專利保護。
或透支未來3~5年產能
2月2日,國家首批新型工業化產業示范基地授牌,其中光電產業基地占據3席,LED產業成為國家發展的重點產業。與此同時,LED初始投資1億元就可建
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LED MOCVD 芯片
據臺積電公司負責開發的高級副總裁蔣尚義透露,他們計劃于2012年第三季度開始試產22nm HP(高性能)制程的芯片產品,并將于2013年第一季度開始試產22nm LP(低功耗)制程的芯片產品。蔣尚義是在日前于日本橫濱召開的一次半導體產業論壇會議上透露這些信息的。
會上蔣尚義還透露了臺積電28nm制程推進計劃的細節,據他表示,臺積電將于今年6月底前開始試產28nm低功耗制程(LP)產品,基于這種制程產品將采用SiON+多晶硅材料制作管子的柵極絕緣層和柵極;隨后的9月份臺積電計劃啟動首款基于HKMG
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臺積電 40nm 芯片
市場研究公司IC Insights預計,今年半導體產業資本支出中的2/3將由支出前十位的公司包攬,包括Samsung、Intel、TSMC和Toshiba。今年支出前十位的廠商的投資總額預計增長67%,而產業整體支出增長額預計為51%。
“如果不算Intel,排名前十中的其他9家公司支出額將增長91%。”IC Insights總裁Bill McClean指出。然而,盡管許多公司計劃在今年將產能翻倍,但仍然無法阻止IC價格的上漲和供應短缺的局面發生,尤其是下半年。
大
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Samsung DRAM 芯片 半導體
據國外媒體報道,英特爾本周證實,由于客戶需求匱乏,與臺積電的合作將暫時擱淺。這意味著雙方短期內不會推出聯合開發的凌動芯片。
英特爾凌動芯片業務掌門羅伯特·克魯科(Robert Crooke)在接受采訪時說,“我認為我們從與臺積電的合作中獲得了許多重要經驗。我們并沒有放棄,這類合作不會很快見到成效。”
英特爾約1年前宣布,該公司將與臺積電合作,生產客戶定制的凌動芯片。這一交易被認為是英特爾對定制ARM架構芯片日趨普及作出的回應。英特爾與臺積電的合作將允許
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英特爾 凌動 芯片
首季以來,由于大陸提前拉貨,芯片市場供應吃緊頻傳,上游晶圓代工與下游封測一路喊缺,不過重覆下單的疑慮在年后顯然仍未消散,半導體業界人士指出,由于各家IC設計業者急著搶產能,隨著第3到第4季需求逐漸走弱,已讓晶圓代工廠對于下半年浮現疑慮。
由于景氣回溫較市場想象來的迅速,加上大陸需求暢旺,讓第1季呈現淡季不淡情況,甚至旺到讓整個產業鏈供應吃緊,對業者來說都不敢過于樂觀,依照過去幾年的景氣循環,在訂單涌現后,就意味著未來恐怕會出現訂單減少的問題。業界人士表示,由于首季以來,晶圓代工產能吃緊,要1,0
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IC設計 晶圓代工 芯片
據國外媒體報道,由于全球經濟復蘇推動需求增長,而許多芯片公司由于價格壓力和投資障礙無法建設單獨的芯片工廠,亞洲外包芯片廠商預計今年業績將會大幅增長。
分析師預計,逐漸增長的外包訂單,尤其是來自日本NEC和富士通的訂單,將會顯著提升臺積電和聯華電子等外包芯片廠商的業績。NEC和富士通此前均自行生產芯片,然而由于陷入虧損的困境,分析師預計這些公司將采用外包的方式來節約生產成本。
富士通去年宣布了“輕晶圓廠(fab-lite)”策略,這意味著富士通將外包生產,而不是建
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arm 芯片介紹
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