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5nm 工藝 文章 最新資訊

小米最強(qiáng)旗艦芯片！玄戒O2繼續(xù)使用臺積電3nm工藝

  • 1月28日消息，去年5月，小米正式推出自主研發(fā)的旗艦SoC——玄戒O1，這顆芯片由玄戒團(tuán)隊自主設(shè)計，采用臺積電第二代3nm工藝，CPU和GPU都采用了Arm方案，多核跑分成績超過9000分，躋身行業(yè)第一梯隊。但小米并未大范圍在其自家產(chǎn)品上應(yīng)用玄戒O1，僅小米15S Pro及小米平板7 Ultra等少量產(chǎn)品搭載。小米創(chuàng)辦人雷軍曾在接受采訪時表示，研芯片需要有三到四年的研發(fā)周期，第一代是在驗證技術(shù)，所以預(yù)定數(shù)量少，下一步我們會全部自研四合一的域控制，為將來小米自研芯片上車做好準(zhǔn)備。進(jìn)入2026年，小米玄戒O2
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臺積電3nm與5nm產(chǎn)能持續(xù)滿載

  • 據(jù)臺媒《工商時報》報道，有芯片設(shè)計業(yè)者透露，臺積電3nm與5nm產(chǎn)能持續(xù)滿載，產(chǎn)能利用率（UTR）明年上半年將達(dá)到近100%水平， 其中3nm制程訂單更是被大廠訂滿，比如手機(jī)芯片巨頭高通、蘋果、聯(lián)發(fā)科，在高性能計算（HPC）領(lǐng)域則有英偉達(dá)Rubin等加持，市場需求也超預(yù)期。3nm將成為臺積電營收關(guān)鍵驅(qū)動力。報道稱，目前多家廠商新一代旗艦級手機(jī)芯片競爭已經(jīng)開打，蘋果A19系列、高通第五代驍龍8至尊版、聯(lián)發(fā)科天璣9500均是基于臺積電N3P制程打造。此外，還有多新款PC處理器，比如蘋果M5、高通驍龍X2 El
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臺積電3nm與5nm產(chǎn)能滿載

  • 據(jù)臺媒《工商時報》9月27日報道，臺積電3nm與5nm制程的產(chǎn)能利用率（UTR）預(yù)計在明年上半年接近100%。其中，3nm制程訂單已被蘋果、高通、聯(lián)發(fā)科等大廠訂滿，市場需求超出預(yù)期。在高性能計算（HPC）領(lǐng)域，英偉達(dá)Rubin GPU、AMD MI355X等芯片也將采用3nm制程，成為臺積電營收增長的重要驅(qū)動力。供應(yīng)鏈透露，臺積電5nm以下先進(jìn)制程同樣供不應(yīng)求，多家大廠爭相投片，預(yù)計明年上半年產(chǎn)能將接近滿載。這為臺積電提供了明年報價調(diào)漲的底氣，以緩解海外工廠運(yùn)營對毛利率的稀釋影響。此外，臺積電美國晶圓廠管
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英特爾14A工藝：依賴外部客戶 不成功便成仁

  • 隨著英特爾暫緩向客戶推廣該公司的18A制造工藝（1.8納米級），轉(zhuǎn)而將精力轉(zhuǎn)向下一代14A制造工藝（1.4納米級），英特爾14A的工藝進(jìn)展就成為業(yè)界關(guān)注的新焦點(diǎn)。該節(jié)點(diǎn)預(yù)計將于2027年做好風(fēng)險生產(chǎn)準(zhǔn)備，并于2028年做好量產(chǎn)準(zhǔn)備。 英特爾在半導(dǎo)體代工領(lǐng)域的未來極有可能取決于下一代英特爾14A工藝節(jié)點(diǎn)能否獲得蘋果和英偉達(dá)等主要客戶的認(rèn)可，首席執(zhí)行官陳立武強(qiáng)調(diào)了客戶合作在14A工藝研發(fā)過程中的重要意義，并警告說如果沒有重大承諾，英特爾可能會停止 14A 的開發(fā)，并有可能退出代工業(yè)務(wù)。如果英特爾真的
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CellWise 以 23.7 億瑞典克朗的價格出售其海外工廠的控制股權(quán)

  • 2025 年 6 月 13 日，CellWise 發(fā)布了一份關(guān)于重大資產(chǎn)出售的草案報告摘要，稱其計劃將其全資子公司 Silex Sweden 的控制權(quán)轉(zhuǎn)讓給包括 Bure 和 Creades 在內(nèi)的七家買家。具體而言，CellWise 的全資子公司將向 Silex Sweden 轉(zhuǎn)讓 441,0115 股——相當(dāng)于交易后總股本的 45.24%——以現(xiàn)金形式進(jìn)行。根據(jù)公告，該交易的定價為23.75億瑞典克朗。交易前，CellWise 通過其子公司持有 Silex Sweden 的 100%股權(quán)，使 Sile
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X-FAB 擴(kuò)展 180nm 工藝，推出新的 SPAD 隔離類別

  • X-FAB 硅晶圓廠 SE 在其 180nm XH018 半導(dǎo)體工藝中發(fā)布了一種新的隔離類別，該工藝支持更緊湊和高效的單光子雪崩二極管（SPAD）實(shí)現(xiàn)。新的隔離類別可以實(shí)現(xiàn)更緊密的功能集成、更高的像素密度和更高的填充因子，從而減小芯片面積。SPAD 是許多新興應(yīng)用中的關(guān)鍵組件，包括自動駕駛汽車的激光雷達(dá)、3D 成像、AR/VR 系統(tǒng)的深度感知、量子通信和生物醫(yī)學(xué)傳感。X-FAB 已經(jīng)在其 180nm XH018 平臺上提供多個 SPAD 器件，其有效面積從 10 μm 到 20 μm 不等。這包括一個近紅
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聚合物波導(dǎo)提高了 CPO 共封裝光學(xué)

  • 日本的研究人員開發(fā)了一種聚合物波導(dǎo)，其性能與現(xiàn)有復(fù)雜芯片封裝中的共封裝光學(xué)（CPO）方法相似。這可以降低將光學(xué)連接添加到芯片封裝中的成本，以減少功耗并提高數(shù)據(jù)速率。CPO 系統(tǒng)需要激光源才能運(yùn)行，該激光源可以是直接集成到硅光子芯片（PIC）中，也可以是外部提供。雖然集成激光源允許更多連接，但確保一致性可靠性可能具有挑戰(zhàn)性，這可能影響整體系統(tǒng)魯棒性。另一方面，在 CPO 中使用外部激光源（ELS）可以提高系統(tǒng)可靠性。由日本國立先進(jìn)工業(yè)科學(xué)技術(shù)研究所的 Satoshi Suda 博士領(lǐng)導(dǎo)的研究團(tuán)隊測試了在玻璃
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臺積電可能對1.6nm工藝晶圓漲價5成

  • 隨著臺積電準(zhǔn)備在今年晚些時候開始采用其 N2（2nm 級）工藝技術(shù)制造芯片，關(guān)于 N2 晶圓定價以及后續(xù)節(jié)點(diǎn)定價的傳言已經(jīng)出現(xiàn)。我們已經(jīng)知道，據(jù)報道，臺積電計劃對使用其 N30,000 技術(shù)加工的晶圓收取高達(dá) 2 美元的費(fèi)用，但現(xiàn)在《中國時報》報道稱，該公司將對“更先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)”收取每片晶圓高達(dá) 45,000 美元的費(fèi)用，據(jù)稱這指向該公司的 A16（1.6nm 級）節(jié)點(diǎn)。2nm 生產(chǎn)成本高“臺積電的 2nm 芯片晶圓代工價格已飆升至每片晶圓 30,000 美元，據(jù)傳 [更多] 先進(jìn)節(jié)點(diǎn)將達(dá)到 45,000
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芯片的先進(jìn)封裝會發(fā)展到4D？

  • 電子集成技術(shù)分為三個層次，芯片上的集成，封裝內(nèi)的集成，PCB板級集成，其代表技術(shù)分別為SoC，SiP和PCB（也可以稱為SoP或者SoB）芯片上的集成主要以2D為主，晶體管以平鋪的形式集成于晶圓平面；同樣，PCB上的集成也是以2D為主，電子元器件平鋪安裝在PCB表面，因此，二者都屬于2D集成。而針對于封裝內(nèi)的集成，情況就要復(fù)雜得多。電子集成技術(shù)分類的兩個重要依據(jù)：1.物理結(jié)構(gòu)，2.電氣連接(電氣互連)。目前先進(jìn)封裝中按照主流可分為2D封裝、2.5D封裝、3D封裝三種類型。2D封裝012D封裝是指在基板的表
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工藝沒搞定！蘋果取消iPhone 17 Pro系列屏幕抗刮抗反射涂層

  • 4月29日消息，據(jù)MacRumors報道，蘋果原計劃為iPhone 17 Pro的屏幕配備抗刮抗反射涂層，目前已經(jīng)取消。消息稱，蘋果在擴(kuò)大顯示屏涂層工藝方面遇到了問題。此前考慮到Apple生產(chǎn)的數(shù)百萬臺設(shè)備，為iPhone顯示屏添加防反射涂層的過程太慢了，因此即使它只計劃用于Pro機(jī)型，今年似乎仍然不可行。三星早在Galaxy S24 Ultra上就開始使用Gorilla Glass Armor面板，也是同類型技術(shù)，可以將反射減少75%，在強(qiáng)光、燈光下保持屏幕清晰可見。目前市面上流行的一種AR貼膜就使用了
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臺積電公布N2 2nm缺陷率：比3/5/7nm都要好

  • 4月26日消息，在近日舉辦的北美技術(shù)論壇上，臺積電首次公開了N2 2nm工藝的缺陷率(D0)情況，比此前的7nm、5nm、3nm等歷代工藝都好的多。臺積電沒有給出具體數(shù)據(jù)，只是比較了幾個工藝缺陷率隨時間變化的趨勢。臺積電N2首次引入了GAAFET全環(huán)繞晶體管，目前距離大規(guī)模量產(chǎn)還有2個季度，也就是要等到年底。N2試產(chǎn)近2個月來，缺陷率和同期的N5/N4差不多，還稍微低一點(diǎn)，同時顯著優(yōu)于N7/N6、N3/N3P。從試產(chǎn)到量產(chǎn)半年的時間周期內(nèi)，N7/N6的綜合缺陷率是最高的，N3/N3P從量產(chǎn)開始就低得多了，
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英特爾18A工藝雄心遇挫？旗艦2納米芯片據(jù)稱將外包給臺積電生產(chǎn)

  • 財聯(lián)社4月23日訊（編輯 馬蘭）據(jù)媒體報道，英特爾正委托臺積電使用其2納米制程生產(chǎn)Nova Lake CPU。考慮到英特爾自己擁有18A工藝，且一直宣傳該工藝勝過臺積電的2納米技術(shù)，這份代工合同可能透露出一些引人深思的訊號。英特爾聲稱將為客戶提供最好的產(chǎn)品，而這可能是其將Nova Lake生產(chǎn)外包給臺積電的一個原因。但業(yè)內(nèi)也懷疑，既然18A工藝已經(jīng)投入了試生產(chǎn)，英特爾將生產(chǎn)外包可能是由于產(chǎn)能需求的驅(qū)動，而不是性能或回報等方面的問題。還有傳言稱，英特爾可能采取雙源戰(zhàn)略：既使用臺積電的2納米技術(shù)生產(chǎn)旗艦產(chǎn)品，
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展望2nm工藝的可持續(xù)性

  • 隨著半導(dǎo)體制造復(fù)雜性的不斷增加，相關(guān)的排放量正在以驚人的速度增長。TechInsights Manufacturing Carbon Module?數(shù)據(jù)顯示，位于俄勒岡州的下一代 2nm 晶圓廠將生產(chǎn) ~30 萬 MtCO2e 每年消耗超過 400 GWh 的電力。鑒于對電力和范圍 2 排放的依賴，晶圓廠選址也起著重要作用，位于臺灣的同等晶圓廠每年產(chǎn)生的排放量幾乎是其三倍。有勝利。具有高晶體管密度的精細(xì)工藝可以大大減少每個晶體管的輻射。半導(dǎo)體制造的碳中和是可能的，但正如我們將要展示的那樣，這需要
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英特爾突破關(guān)鍵制程技術(shù)：Intel 18A兩大核心技術(shù)解析

  • 半導(dǎo)體芯片制程技術(shù)的創(chuàng)新突破，是包括英特爾在內(nèi)的所有芯片制造商們在未來能否立足AI和高性能計算時代的根本。年內(nèi)即將亮相的Intel 18A，不僅是為此而生的關(guān)鍵制程技術(shù)突破，同時還肩負(fù)著讓英特爾重回技術(shù)創(chuàng)新最前沿的使命。那么Intel 18A為何如此重要？它能否成為助力英特爾重返全球半導(dǎo)體制程技術(shù)創(chuàng)新巔峰的“天命人”？RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)與PowerVia背面供電技術(shù)兩大關(guān)鍵技術(shù)突破，會給出世界一個答案。攻克兩大技術(shù)突破 實(shí)力出色RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，是破除半
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5nm 工藝介紹

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