已經異常火爆的“阿凡達”和目前上映不久的“蘇乞兒”等3D影片的大熱都令大眾對3D技術更為關注，而2012年的南非世界杯也會采用3D技術轉播，使業內人士一致認為3D顯示將成為未來的主流顯示方式，但是談到普及還為時尚早，因為成本的制約和技術還尚未成熟等因素普及3D顯示還需要突破層層關卡，在本文中筆者在這里先為大家介紹三種目前需要使用輔助設備才可以實現3D效果的前沿技術。
已經異常火爆的“阿凡達”和目前上映不久的“蘇乞
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顯示 3D
PCI總線目標接口芯片PCI9052及其應用,摘要：PCI9052是PLX公司繼PCI9050之后新推出的一種低成本的PCI總線目標接口芯片,它傳輸速率高,數據吞吐量大,可避免用戶直接面對復雜的PCI總線協議。文中主要介紹了PLX公司的PCI總線目標接口芯片的功能與應用,并給出了
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PCI9052 及其 應用 芯片 接口 總線 目標 PCI
據《自然》雜志報道，IBM的科學家當日宣布，他們用微型硅電路取代銅線實現了芯片間通訊，在通過光脈沖而不是電子信號進行芯片通訊上取得重大突破。
這種設備被稱為‘納米光子雪崩光電探測器’(nanophotonic avalanche photodetector)，是同類產品中速度最快的一個，并且顯著降低了能耗，將對未來電子行業發展產生重大影響。
IBM的設備利用了當前芯片生產中使用的鍺元素的雪崩效應。與陡峭山體的雪崩一樣，最初出現的光脈沖只釋放了一小部分電荷載體，隨后這
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IBM 芯片 通訊
國內芯片方案廠商福州瑞芯微剛剛推出了RK2808芯片方案，這是一款可以用于手機、MID、電子書等設備的芯片。這款芯片率先開始支持Android系統，采用65納米制程構建，其最大的賣點是支持Android系統下的720p視頻回放，在Android方案播放HD較弱的背景下，這也是目前這方面最 強的芯片方案。另外，從官網的介紹還看到支持WinCE平臺。
該方案特點如下：
* 65納米工藝
* ARM+DSP 雙核結構，ARM 600M,DSP 550M
*
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瑞芯微 芯片 RK2808 Android
SA60 和LMD18245 分別是美國Apex 公司和NS 公司推出的面向中小型直流電機的全橋功率輸出電路。它們既具有在外接少量元件的情況下實現電機的功率驅動、控制以及提供保護等功能的共性,又具有各自特色。下面就其引腳、功
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基于UCC27321高速MOSFET驅動芯片的功能與應用,1 引言
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1 AD5933芯片概述
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據國外媒體報道，飛思卡爾半導體向美國國際貿易委員會(USITC)投訴，稱日本松下公司和液晶電視制造商Funai電子在電視機和媒體播放器等產品中，侵犯了其芯片專利權。
投訴中稱，松下、Funai和JVC Kenwood等公司，以及百思買、沃爾瑪等零售商店侵犯了飛思卡爾的知識產權。在國際貿易委員會的網站上可以找到關于本次投訴的公告，但目前還無法獲得投訴的全文拷貝。
總部設在德州奧斯丁的飛思卡爾公司的發言人Robert Hatley表示松下、Funai和JVC Kenwood銷售了侵犯飛思卡爾專
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來自Armdevices網站的報道，高通公司日前展示了其下一代智能手機平臺MSM7X30，整體性能有了很大提升。早在去年11月高通就公布了這款新品，在2月份舉辦的MWC2010移動通信世界大會中，高通將MSM7X30平臺置入到演示機中，對手機的3D性 能、圖像處理、視頻播放等多種功能進行了展示。
MSM7X30內置有720P視頻解碼芯片，支持HDMI輸出。從視頻中可以看到該芯片組支持多畫面視頻播放，3D性能也很不錯，在使用Flash 10.1播放在線視頻時回放比較流暢，特別是高通制作的一個照片墻
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近年，LED技術在照明等領域廣泛應用，LED產業也在中國快速走熱，但很多企業在技術上缺乏競爭力，預期利潤不高，大量的資本進入這個市場勢必造成利潤攤薄，引起無序競爭，行業洗牌或在今年。
多位業內專家也表示，LED產業已現過熱苗頭，需警惕產能過剩問題;另外國外巨頭的強勢進入，國內廠商在新一輪競爭中應加快技術開發和專利保護。
或透支未來3~5年產能
2月2日，國家首批新型工業化產業示范基地授牌，其中光電產業基地占據3席，LED產業成為國家發展的重點產業。與此同時，LED初始投資1億元就可建
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LED MOCVD 芯片
韓國廠商三星電子日前在位于首爾瑞草區的公司大樓內舉行了“Full HD 3D LED背光液晶電視發布會”，展出46寸和55寸兩款。
三星電子3D LED電視的最大優點是可以將2D普通畫面變成3D畫面進行觀看。三星電子電視事業部總經理尹富根表示：“在轉播體育賽事的時候，用該款電視觀看，會讓人感覺非常真實，不亞于用3D手法拍攝的節目。”
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據臺積電公司負責開發的高級副總裁蔣尚義透露，他們計劃于2012年第三季度開始試產22nm HP(高性能)制程的芯片產品，并將于2013年第一季度開始試產22nm LP(低功耗)制程的芯片產品。蔣尚義是在日前于日本橫濱召開的一次半導體產業論壇會議上透露這些信息的。
會上蔣尚義還透露了臺積電28nm制程推進計劃的細節，據他表示，臺積電將于今年6月底前開始試產28nm低功耗制程(LP)產品，基于這種制程產品將采用SiON+多晶硅材料制作管子的柵極絕緣層和柵極;隨后的9月份臺積電計劃啟動首款基于HKMG
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市場研究公司IC Insights預計，今年半導體產業資本支出中的2/3將由支出前十位的公司包攬，包括Samsung、Intel、TSMC和Toshiba。今年支出前十位的廠商的投資總額預計增長67%，而產業整體支出增長額預計為51%。
“如果不算Intel，排名前十中的其他9家公司支出額將增長91%。”IC Insights總裁Bill McClean指出。然而，盡管許多公司計劃在今年將產能翻倍，但仍然無法阻止IC價格的上漲和供應短缺的局面發生，尤其是下半年。
大
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Samsung DRAM 芯片 半導體
據國外媒體報道，英特爾本周證實，由于客戶需求匱乏，與臺積電的合作將暫時擱淺。這意味著雙方短期內不會推出聯合開發的凌動芯片。
英特爾凌動芯片業務掌門羅伯特·克魯科(Robert Crooke)在接受采訪時說，“我認為我們從與臺積電的合作中獲得了許多重要經驗。我們并沒有放棄，這類合作不會很快見到成效。”
英特爾約1年前宣布，該公司將與臺積電合作，生產客戶定制的凌動芯片。這一交易被認為是英特爾對定制ARM架構芯片日趨普及作出的回應。英特爾與臺積電的合作將允許
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