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臺積電、1nm 文章 最新資訊

臺灣研發(fā)投入榜：臺積電富士康聯(lián)發(fā)科成三大巨頭

  • 　　在全球科技產(chǎn)業(yè)，中國臺灣地區(qū)有著舉足輕重的地位，尤其是在蘋果產(chǎn)業(yè)鏈中扮演極其重要角色。日前臺灣行政機構(gòu)公布的數(shù)據(jù)顯示，在2015年臺灣企業(yè)研發(fā)投 入排行榜中，臺積電、富士康和聯(lián)發(fā)科占據(jù)了前三名，而且研發(fā)投入遠遠高于后續(xù)的公司。另外排名前五的公司中，有四家是蘋果供應(yīng)商。 　　據(jù)臺灣 電子時報網(wǎng)站4月18日報道，臺灣行政機構(gòu)經(jīng)濟相關(guān)部門，對于臺灣上市制造業(yè)公司在2015年的科技研發(fā)投入進行了統(tǒng)計和排序。其中，全世界最大的半導(dǎo)體 代工廠商臺積電，排名第一，去年的研發(fā)投入為655億元新臺幣，相當(dāng)于20億美元
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臺積電下修半導(dǎo)體展望 28nm制程是營收主力

  • 　　臺積電昨(14)日公布首季每股純益2.5元，為六季來低點。本季雖有中低階智能手機客戶拉貨助攻，估營收季增5.7%至7.1%，毛利率挑戰(zhàn)六季來高點、達49%至51%，營益率也會優(yōu)于上季，但整體成長動能略低于市場預(yù)期。 　　臺積電坦言，全球經(jīng)濟不佳，高階智能手機買氣鈍化、半導(dǎo)體庫存還在調(diào)整中影響，本季成長動能略低于預(yù)期。臺積電并下修今年全球半導(dǎo)體成長率由2%至1%;晶圓代工整體產(chǎn)值年成長5%，臺積電維持今年營收年增率介于5%至10%的目標。 　　臺積電昨天舉行法說會，由兩位共同執(zhí)行長暨總經(jīng)理劉德音、魏
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臺積電釋出中低端手機拉貨強勁訊息 聯(lián)發(fā)科成最大贏家

  • 　　臺積電釋出本季中低階智能手機拉貨動能強勁的訊息，聯(lián)發(fā)科是最大的贏家。法人估，聯(lián)發(fā)科上季淡季相對不淡后，本季手機芯片出貨量將較上季顯著成長兩成，加上聯(lián)發(fā)科已積極降低營業(yè)費用，有助拉高凈利率表現(xiàn)。 　　法人指出，臺積電本季展望略低于預(yù)期，除了PC較預(yù)期弱之外，智能手機市況低迷也是原因之一。整體來看，智能手機市場不是全面性偏弱，而是高階機種較差、中低階則仍強。手機芯片供應(yīng)鏈指出，由芯片廠角度來看，目前出貨動能以聯(lián)發(fā)科較強，蘋果、海思則相對較弱。 　　手機芯片供應(yīng)鏈指出，截至目前止，智能手機市場呈現(xiàn)&ld
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Gartner:全球晶圓代工市場排行榜 SMIC傲人成長

  • 　　國際市調(diào)機構(gòu)顧能(Gartner)今日發(fā)布去年晶圓代工市場排名統(tǒng)計，臺積電仍穩(wěn)居龍頭，市占率由前年的53.8%，增至54.3%;聯(lián)電則被格羅方德(GlobalFoundries)超越，排名退居第三，市占率降到9.3%。 　　由于臺積電今年16奈米放量推進，公司信心十足全球市占率會再向上提前，估計今年市占率將沖破55%，拉大和其他公司差距。 　　顧能統(tǒng)計，去年半導(dǎo)體晶圓代工市場持續(xù)成長，不過成長率已趨緩，年增4.4%，產(chǎn)值達488億美元，終結(jié)連續(xù)三年兩位數(shù)成長表現(xiàn)。 　　顧能表示，去年終端市場成長
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臺積電將在7nm制程拉開與三星、英特爾差距 稱霸半導(dǎo)體

  • 　　臺積電法說會本周四(14日)登場，揭開半導(dǎo)體族群法說會序幕。半導(dǎo)體設(shè)備廠透露，臺積電在16納米拉開與三星差距，10納米超車英特爾之后，預(yù)料本次法說會，將宣告加速7納米制程腳步，向全球展現(xiàn)其半導(dǎo)體先進制程領(lǐng)先群倫的氣勢。 　　相較英特爾宣布2020年才產(chǎn)出7納米制程產(chǎn)品，凸顯臺積電將在于今年下半年以10納米制程試產(chǎn)聯(lián)發(fā)科等相關(guān)產(chǎn)品之后，未來在7納米一舉拉開與兩只700磅大猩猩(指三星與英特爾)差距，稱霸全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。 　　臺積電近期已指示相關(guān)設(shè)備廠，加速7納米生產(chǎn)線建置。從臺積電罕見在3月初于美西
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臺積電16nm通吃蘋果/高通/聯(lián)發(fā)科芯片訂單 展現(xiàn)超強整合能力

  • 　　臺積電先進制程火力全開，本季除以16納米制程大舉投片蘋果A10處理器外，也針對聯(lián)發(fā)科和高通等手機芯片拓展中低階客戶，提供更具成本效能的16納米FFC制程，并導(dǎo)入臺積電籌備已久的整合型扇出型封裝(InFO)對外接單，展現(xiàn)從設(shè)計、制造到后段封裝超強的整合能力。 　　臺積電不對單一客戶置評。外資估算，臺積電今年為蘋果A10處理器出貨的12寸晶圓上看20萬片，營收貢獻是去年的五倍，預(yù)估臺積電第3季合并營收季增率可達15%，成長動能相當(dāng)強勁。 　　不過，由于206南臺強震后引發(fā)的晶圓產(chǎn)能卡位戰(zhàn)已告一段落，市
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ARM、臺積電擴大布局數(shù)據(jù)中心芯片市場 然軟件生態(tài)系是關(guān)鍵

  • 　　ARM瞄準數(shù)據(jù)中心與高效能運算(HPC)市場，與臺積電聯(lián)手針對尖端7納米FinFET制程進行合作。這項合作延續(xù)了以往雙方在FinFET制程的研發(fā)經(jīng)驗，但ARM若想成功進軍數(shù)據(jù)中心市場，可能還需有更完善的軟體支援。 　　HPCwire報導(dǎo)指出，ARM為了打入由x86架構(gòu)掌控的數(shù)據(jù)中心市場，聲稱將推出運算密度達10倍以上的芯片產(chǎn)品，而臺積電的7納米FinFET制程，將可協(xié)助ARM打造出符合數(shù)據(jù)中心與網(wǎng)路設(shè)施需求的處理技術(shù)。雙方將透過提升芯片元件密度，提高整體IT基礎(chǔ)設(shè)施的運算密度，并同時減少功率消耗。
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武漢新芯/臺積電南京廠同時動工 兩大派爭搶半導(dǎo)體市場

  • 國內(nèi)發(fā)展半導(dǎo)體不差錢也不怕市場不夠，但技術(shù)和人才是繞不過去的兩個坎，現(xiàn)在也引起了海外投資及國內(nèi)自主兩大派系的興趣。
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臺積電“登陸”的背后

  • 臺積電終于跟上英特爾和三星的腳步，搭上在大陸投建制造基地的末班車。
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張忠謀：臺積電技術(shù)丶生產(chǎn)丶客戶信任都贏三星

  • 　　“我從來沒有忽略過蘋果的市場。臺積電自成立以來，不斷精進三大競爭優(yōu)勢，包括技術(shù)丶生產(chǎn)丶客戶信任，三個維度上都勝過三星，客戶優(yōu)勢更是很明顯的超越。”臺積電董事長張忠謀語氣堅定的說。 　　去年iPhone6S上市後，由於A9 CPU同時采用臺積電與三星兩家代工，卻被測出臺積電版電池續(xù)航力優(yōu)於三星版2小時!如今iPhone SE同樣出現(xiàn)S8003與S8000兩組CPU，證明蘋果依然依賴兩大芯片代工廠。 　　   　　相較於三星，臺積電的三大優(yōu)勢：技術(shù)丶生產(chǎn)丶客戶
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先進制程競賽Intel三星臺積電誰領(lǐng)先？

  • 　　究竟誰握有最佳的半導(dǎo)體制程技術(shù)?業(yè)界分析師們的看法莫衷一是。但有鑒于主題本身的復(fù)雜度以及晶片制造商本身傳遞的訊息不明確，就不難瞭解為什么分析師的看法如此分歧了。 　　市 場研究機構(gòu)Linley Group首席分析師Linley Gwennap表示，英特爾(Intel)將在10nm制程優(yōu)于臺積電(TSMC)與三星(Samsung)，就像在14nm時一樣。VLSI Research執(zhí)行長G. Dan Hutcheson認為，臺積電即將量產(chǎn)的10nm制程將大幅超越英特爾的14nm節(jié)點，而且臺積電正以較英特
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南京給臺積多少優(yōu)惠？ 所得稅可能5免5減半

  • 大陸官方為了積極發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，不斷推出各類的優(yōu)惠政策，這么大的誘餌拋出去，不怕不上鉤。
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臺積將后來居上？Intel搞不定14nm、研發(fā)周期延為3年

  • 　　制程微縮難度高，就連晶圓龍頭英特爾(Intel)都無法征服，悄悄放棄摩爾定律，更新周期由兩年變成三年。英特爾放緩研發(fā)速度，不少人都在看是否會被臺積電(2330)或三星電子追過。 　　PCWorld、TheMotleyFool報導(dǎo)，多年來英特爾嚴守摩爾定律，每兩年推出新的制程，該公司稱之為“tick-tock”鐘擺政策，tick階段的重點是研發(fā)制程，tock則著重升級微處理器架構(gòu)。不過英特爾新的10-K文件顯示，將揮別鐘擺政策，程序由兩步驟增為三步驟：分別是制程(Process
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ARM與臺積電宣布7nm FinFET制程合作協(xié)議

  • 　　ARM與臺積公司(TSMC)共同宣布一項為期多年的協(xié)議，針對7奈米FinFET制程技術(shù)進行合作，包括支援未來低功耗、高效能運算系統(tǒng)單晶片(SoC)的設(shè)計解決方案。這項新協(xié)議將擴大雙方長期的合作夥伴關(guān)系，推動先進制程技術(shù)向前邁進，超越行動產(chǎn)品的應(yīng)用并進入下一世代網(wǎng)路與資料中心的領(lǐng)域。此外，這項協(xié)議并延續(xù)先前采用ARM Artisan基礎(chǔ)實體IP之16奈米與10奈米FinFET的合作。 　　ARM執(zhí)行副總裁暨產(chǎn)品事業(yè)群總經(jīng)理Pete Hutton表示：“既有以ARM為基礎(chǔ)的平臺已展現(xiàn)提升高達
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7nm制程將成臺積電力壓英特爾主戰(zhàn)場

  • 　　安謀(ARM)與臺積電共同宣布一項為期多年的協(xié)議，針對7納米FinFET制程技術(shù)進行合作，包括支援未來低功耗、高效能運算系統(tǒng)單晶片(SoC)的設(shè)計解決方案。 這項協(xié)議延續(xù)先前采用ARM Artisan 基礎(chǔ)實體IP之16納米與10納米FinFET的合作。 　　事實上，以臺積電目前先進制程之生產(chǎn)時程來看，屬于同一世代的10納米、7納米進度已經(jīng)追上，甚至超越競爭對手英特爾(Intel)。 　　臺積電先進制程10納米、7納米、5納米等部分，所有制程皆on schedule10納米制程2016第1季完成產(chǎn)
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