半導(dǎo)體文章最新資訊

細(xì)分半導(dǎo)體設(shè)備市場

　　市場調(diào)查公司Gartner發(fā)布最新半導(dǎo)體設(shè)備市場預(yù)測，2010年增長一倍以上，達(dá)122%，但是2011年及2012年分別僅增長10%及7.4%，速度明顯的放慢。　　然而，有的公司看法更為悲觀，如巴克萊的CJ Muse，它對2011年的設(shè)備看法，由原先增長20%，下調(diào)至下降10%，反差之大讓人驚慌。并預(yù)計(jì)2011年全球半導(dǎo)體設(shè)備將再次下滑至250億美元。它的理由是由于全球經(jīng)濟(jì)不確定的前景，整個(gè)技術(shù)供應(yīng)鏈的市場需求不足，尤其是存儲(chǔ)器與代工市場的變?nèi)酢use認(rèn)為，未來的態(tài)勢與之前工業(yè)曾經(jīng)歷過的
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三星與Global Foundries強(qiáng)敵環(huán)伺　聯(lián)電與世界先進(jìn)境遇大不同

　　根據(jù)DIGITIMES Research統(tǒng)計(jì)資料，2009年全球前10大晶圓代工廠商排名中，臺積電與聯(lián)電分別拿下第1名與第2名，臺積電旗下轉(zhuǎn)投資公司世界先進(jìn)則拿下全球第7大晶圓代工廠排名。　　全球前10大晶圓代工廠排名中，臺灣即占有3個(gè)席次，且3家臺灣廠商合計(jì)全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)市占率高達(dá)62%，亦顯示出臺灣在全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)中所占有的重要地位。　　然而，從營收規(guī)模進(jìn)行比較，DIGITIMES Research分析師柴煥欣分析，臺積電2009年?duì)I收高達(dá)90億美元，聯(lián)電則為27.7億美元，不到臺積電
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Gartner：今年半導(dǎo)體設(shè)備支出將達(dá)369億美元

　　市場調(diào)研機(jī)構(gòu)Gartner預(yù)估，今年全球半導(dǎo)體資本設(shè)備支出可望達(dá)到369億美元，較去年166億美元大幅增長122.1%，全球半導(dǎo)體資本設(shè)備支出在2012年以前仍將維持成長走勢，2011年、2012年預(yù)估將達(dá)386.97億美元、432.66億美元。　　Gartner副總裁Klaus Rinnen表示，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在2010年呈現(xiàn)強(qiáng)勁增長，帶動(dòng)半導(dǎo)體資本支出的空前成長佳績。由于晶圓代工和邏輯IC的大幅支出，加以記憶體制造商追求技術(shù)升級，資本支出年增長率超過95%。而2011年，資本支出增長率預(yù)期將減緩至
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導(dǎo)體積極擴(kuò)產(chǎn) 外圍耗材化學(xué)材料需求旺盛

　　半導(dǎo)體廠拼擴(kuò)產(chǎn)，帶動(dòng)外圍耗材與化學(xué)材料廠亦接單暢旺，如化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)、光阻劑(Slurry)以及外圍耗材包括光罩盒、晶圓盒等等供應(yīng)商，也紛紛擴(kuò)產(chǎn)因應(yīng)未來需求。　　化學(xué)材料大廠陶氏化學(xué)(Dow Chemical) 半導(dǎo)體技術(shù)部門副總Sam Shoemaker指出，根據(jù)市場數(shù)據(jù)顯示，2010年全球半導(dǎo)體營收可望達(dá)到3,103億美元，較2009年大幅上揚(yáng)35.1%。半導(dǎo)體材料市場勢必與整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同步攀升，SEMI統(tǒng)計(jì)指出，半導(dǎo)體材料市場2010年預(yù)期會(huì)有17%的成長。陶氏化學(xué)預(yù)估2010年?duì)I
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ATIC宣布在阿布扎比開展半導(dǎo)體研發(fā)戰(zhàn)略

　　阿布扎比先進(jìn)技術(shù)投資公司(ATIC)與阿布扎比教育委員會(huì)(ADEC)聯(lián)合宣布將在Emirate施行半導(dǎo)體研發(fā)戰(zhàn)略。　　該戰(zhàn)略的框架將包括產(chǎn)業(yè)研究中心以及遍布在高等教育機(jī)構(gòu)的分支。該戰(zhàn)略將成為ATIC的業(yè)務(wù)核心，旨在為阿布扎比的經(jīng)濟(jì)帶來長遠(yuǎn)利益，實(shí)現(xiàn)GDP多元化。
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宏力半導(dǎo)體人事調(diào)整：CEO舒馬赫離職

　　正跟華虹集團(tuán)合建中國首個(gè)純國資12英寸半導(dǎo)體制造工廠的宏力半導(dǎo)體，昨日突然傳來人事調(diào)整消息。　　昨天，該公司宣布，公司CEO、總經(jīng)理及董事舒馬赫已辭去相關(guān)職務(wù)，公司原第一副總經(jīng)理王煜已升為總裁。該決定自明天(15日)起正式生效。　　“舒馬赫以個(gè)人原因，主動(dòng)提出不再續(xù)約。”宏力官方人士對《第一財(cái)經(jīng)日報(bào)》說。　　記者查詢到，舒馬赫3年任期確實(shí)已到。2007年9月15日他正式上任。　　但在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇之際走人，顯得有些突然。過去3年，這位原英飛凌全球CEO確實(shí)為
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臺積電訂單回籠4Q衰退警鐘輕響

　　半導(dǎo)體供應(yīng)鏈2010年下半進(jìn)入修正期，由于訂單能見度不高，使得業(yè)界紛對于晶圓代工廠第4季營運(yùn)看法偏悲觀，并預(yù)期臺積電第4季營收恐將較第3季下滑逾1成，不過，近期隨著大陸十一長假拉貨訂單回籠，芯片業(yè)者紛提高對晶圓代工廠下單量，臺積電第4季營收表現(xiàn)可望較預(yù)期佳，下滑幅度將縮小在個(gè)位數(shù)百分點(diǎn)之內(nèi)。　　近期電子業(yè)景氣雜音不斷，由于半導(dǎo)體庫存已連3季走高，歐債風(fēng)暴持續(xù)影響PC市場，加上北美消費(fèi)性市場仍緩慢復(fù)蘇，返校買氣效應(yīng)不如以往，進(jìn)而影響下游客戶對上游芯片廠拉貨力道，業(yè)界因此看衰晶圓雙雄臺積電及聯(lián)電第4季
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2010-2011年全球半導(dǎo)體投資額達(dá)830億美元

　　國際半導(dǎo)體制造裝置材料協(xié)會(huì)(SEMI)公布了有關(guān)半導(dǎo)體生產(chǎn)線的預(yù)測“WorldFabForecaST".該預(yù)測分析了在2010年和2011年兩年內(nèi)，包括MEMS、LED、離散半導(dǎo)體、LED和MEMS在內(nèi)的大規(guī)模量產(chǎn)以及少量生產(chǎn)用生產(chǎn)線的新建計(jì)劃和設(shè)備投資計(jì)劃。最終SEMI認(rèn)為，全球有150多項(xiàng)半導(dǎo)體生產(chǎn)線投資計(jì)劃正在推進(jìn)，其總額估計(jì)將達(dá)到830億美元。　　54條生產(chǎn)線的計(jì)劃正在進(jìn)行中　　發(fā)布資料顯示，2010年正在實(shí)施的半導(dǎo)體生產(chǎn)線新建計(jì)劃合計(jì)有54條。54條生產(chǎn)線中約有
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英特爾大連廠將于10月投產(chǎn) 投資額25億美元

　　英特爾(Intel)在亞洲地區(qū)的第1座也是其在全球地區(qū)第8座12寸廠的大連廠將于2010年10月正式運(yùn)作，該廠投資額為25億美元。　　據(jù)悉，2007年3月26日英特爾與大連市政府正式簽約并開始籌建12寸廠，如今英特爾大連12寸廠擁有約4,000多名員工，并吸引30多家配套供應(yīng)商進(jìn)駐，亦與大連本地60多家供應(yīng)商簽約，另與大連理工大學(xué)合作開辦半導(dǎo)體技術(shù)學(xué)院。　　而英特爾大連廠亦為大連開發(fā)區(qū)的納稅大戶，近日披露的數(shù)據(jù)顯示，尚未正式投產(chǎn)的英特爾大連廠已名列該區(qū)業(yè)者繳稅額的前13大。
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吉時(shí)利升級開關(guān)主機(jī)增強(qiáng)半導(dǎo)體測試系統(tǒng)

　　吉時(shí)利儀器日前推出六槽707B型和單槽708B型開關(guān)矩陣主機(jī)，它們針對實(shí)驗(yàn)室和生產(chǎn)環(huán)境下的半導(dǎo)體測試應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。這些開關(guān)主機(jī)大大提高了命令到連接的速度，可以實(shí)現(xiàn)更快的測試序列和更高的總體系統(tǒng)產(chǎn)能。　　這些新型主機(jī)支持吉時(shí)利7174A型“云陣(Air Matrix)”8x12高速、低漏流矩陣卡，這是第一款能夠在所有通路上實(shí)現(xiàn)低于100fA偏移電流的標(biāo)準(zhǔn)開關(guān)。707B和708B還支持其它三種常用的吉時(shí)利矩陣卡。707B和708B非常適合于包含下列儀器的測試系統(tǒng)配置：例如吉時(shí)
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2010年光電/感測器/離散元件市場將呈榮景

　　根據(jù)IC Insights發(fā)布的報(bào)告，隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇的持續(xù)，今(2010)年多種光電、感測器/制動(dòng)器與離散元件市場可望創(chuàng)新高。其中以Laser transmitters表現(xiàn)最亮眼，可望成長35%至3億5800萬美元;CMOS影像感測器、MEMS感測器/制動(dòng)器這兩個(gè)領(lǐng)域今年也都可望成長34%，規(guī)模分別可達(dá)52億美元與56億美元。制動(dòng)器市場在歷經(jīng)連續(xù)三年的下挫之后，今年可望反轉(zhuǎn)，將成長36%至34億美元，略低于產(chǎn)業(yè)在2006年度創(chuàng)下的紀(jì)錄34億5000萬美元;這個(gè)領(lǐng)域在2011年度可望進(jìn)一步成長19%
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韋爾半導(dǎo)體：突破IC細(xì)分領(lǐng)域

　　半導(dǎo)體行業(yè)是一個(gè)知識和資本密集型的行業(yè)，全球領(lǐng)先的企業(yè)都是英特爾、三星電子、德州儀器這樣的巨頭，這個(gè)行業(yè)的初創(chuàng)公司幾乎都是在風(fēng)險(xiǎn)資本的支持下發(fā)展起來的，并且早期就投入一千萬美元以上的公司屢見不鮮，而創(chuàng)建于2006年的韋爾半導(dǎo)體卻完全靠創(chuàng)始團(tuán)隊(duì)的投入和公司滾動(dòng)發(fā)展起來的。　　和多數(shù)集成電路(IC)設(shè)計(jì)公司不同，韋爾半導(dǎo)體的創(chuàng)始團(tuán)隊(duì)幾乎都是以分銷行業(yè)出身，而不是做技術(shù)的。“我們很清楚市場需要什么樣的產(chǎn)品，國內(nèi)又比較缺，因此就確定要做哪些產(chǎn)品，然后按照需求去找的人。”副總裁馬劍秋
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瑞銀看衰明年全球半導(dǎo)體市場僅成長2%

　　國際半導(dǎo)體展舉辦的半導(dǎo)體市場趨勢論壇今天開跑!瑞銀臺灣證券(UBS)半導(dǎo)體首席分析師程正樺表示，今年全球半導(dǎo)體市場約成長30%，而隨著今年基期高且廠商庫存大多補(bǔ)齊，明年半導(dǎo)體市場成長率約為2%至3%的平緩成長。　　程正樺指出，隨著今年整體景氣復(fù)蘇，上半年半導(dǎo)體市場成長力道強(qiáng)勁，預(yù)計(jì)今年全球半導(dǎo)體市場較去年成長30%。然檢視目前全球各地市場狀況，歐美市場復(fù)蘇有限，中國市場則相對強(qiáng)勁，但因難脫離政府政策的牢籠，變量依舊存在。而隨著今年基期墊高，且下半年整體市場景氣較疲弱，及廠商庫存已充足，預(yù)計(jì)明年全球
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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)此次復(fù)蘇將有所不同

　　盡管目前半導(dǎo)體市場看似十分火旺，但分析師們看到要引起警覺的訊號。分析師提醒此次復(fù)蘇是不一樣的。　　由于半導(dǎo)體設(shè)備和材料市場爆出超乎尋常的增長，但是許多產(chǎn)業(yè)分析師認(rèn)為工業(yè)己經(jīng)看到陰影。盡管SEMI的訂單/銷售額，B/B達(dá)到1.23仍是高位，而且全球3個(gè)月的訂單平均值與2009年同期相比增長達(dá)220.4%，然而許多業(yè)界掌門人在近期硅谷的午餐討論會(huì)上，討論2011-2012工業(yè)增長趨勢時(shí)能夠聽到各種交叉的聲音。　　Gartner的Bob Johnson認(rèn)為2010年半導(dǎo)體投資增長可超過90%，而且2
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SEMI 150個(gè)大半導(dǎo)體規(guī)劃推動(dòng)2010及2011投資

　　按SEMI貿(mào)易部的預(yù)測，與2009年相比今年半導(dǎo)體前道設(shè)備的投資增長133%及2011年再增長18%。　　SEMI的World Fab預(yù)測 2010年全球安裝產(chǎn)能，不計(jì)分立器件，可增長7%，及2011年再增長8%，報(bào)告中表示2010年全球fab建廠費(fèi)用投資增長125%及2011年再增長22%。　　按報(bào)告，全球在大半導(dǎo)體領(lǐng)域，在2010及2011兩年間共有超過150 fab將預(yù)計(jì)投資達(dá)830億美元。此報(bào)告的依據(jù)是跟蹤全球大廠及小廠，包括MEMS，分立器件及LED而得出。　　按SEMI的報(bào)告，
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半導(dǎo)體介紹

semiconductor 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]