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東芝公司本周一發(fā)布了據(jù)稱為業(yè)內(nèi)最大容量的64GB嵌入式NAND閃存模組。這種模組內(nèi)建專用的控制器，并內(nèi)含16個采用32nm制程技術制作的32Gbit存儲密度的閃存芯片，這種閃存芯片的厚度則僅有30微米。 這......
臺灣科研機構今天宣布,開發(fā)出全球第一個16納米的SRAM新組件,由于可容納晶體管是現(xiàn)行45納米的10倍,這可使未來電子設備更輕薄. 臺“國研院”成功開發(fā)出16納米SRAM新組件,主要是創(chuàng)......
臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)暌違4年，2010年即將出現(xiàn)第6家上柜掛牌的DRAM新兵，爾必達(Elpida)旗下瑞晶計劃在2010年申請掛牌上柜，為枯木逢春的存儲器產(chǎn)業(yè)再添色彩!值得注意的是，目前爾必達對瑞晶持股達70%，申請掛......
臺灣閃存芯片生產(chǎn)商旺宏電子新聞發(fā)言人林云龍今日表示，公司正考慮收購茂德科技旗下一座12英寸芯片生產(chǎn)工廠，他稱“希望在農(nóng)歷新年前完成這樣一筆收購交易”，但拒絕透露其中細節(jié)。 有臺灣媒體報道......
據(jù)《韓國時報》報道，內(nèi)存芯片廠商海力士半導體計劃在2010年向芯片生產(chǎn)投入大約2.3萬億韓元(約20億美元)，比2009年的資本開支增加一倍。 這項開支有1.5萬億韓元(大約13億美元)用于DRAM內(nèi)存生產(chǎn)，剩......
兩大韓系內(nèi)存廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)紛傳出將大幅調(diào)高2010年資本支出，繼三星預計投入30億美元擴產(chǎn)及制程微縮后，海力士2010年資本支出亦將倍增至20億美元，使得爾......
DRAM景氣逐漸觸底反彈，相關業(yè)者預估2010年第2季DRAM每顆報價有機會落在2.2~2.5美元，不僅DRAM業(yè)者在2010~2011年大幅獲利，DRAM封測廠也有機會調(diào)漲代工價格，模塊廠的獲利能力則將由過去暴利回......
12月11日訊，據(jù)國外媒體報道，受到內(nèi)存需求大于供給的利好影響，日本最大的內(nèi)存生產(chǎn)企業(yè)爾必達內(nèi)存公司(Elpida Memory Inc)可能在2010年本財年結(jié)束時實現(xiàn)開業(yè)三年來首次出現(xiàn)年度贏利。 爾必達內(nèi)存......
2009 年即將結(jié)束，DDR2 作為DRAM 市場之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問世，iSuppli 公司認為，它即將成為世界上最流行的內(nèi)存技術。 DDR2 還不算過時，而且......
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