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據國外媒體報道，消息人士周一透露，東芝可能將投資2000億日元(約合22億美元)擴大NAND閃存芯片生產。到2010年4月底，東芝的閃存芯片生產規模將擴大40%。 報道稱，東芝當前還計劃在2012年3月之前，為......
德國萊布尼茨固體與材料研究所17日宣布，他們的一項理論計算結果顯示，六碳環結構與鈷聚合物有望使硬盤存儲密度增加近千倍，其存儲壽命有可能明顯超過當前磁性記錄存儲技術大約10年的存儲壽命極限。 據該機構專家介紹，這......
據國外媒體報道，市場研究公司iSuppli最新研究數據顯示，第三季度全球NAND閃存市場業績強勁，東芝表現最為搶眼，營收環比增長近50%。 全球NAND閃存市場第三季度的營收較第二季度的31億美元，增長了25.......
LSI 公司日前宣布向 OEM 客戶提供 LSISAS2208 雙核 6Gb/s SAS 片上 RAID (RoC) IC 樣片。高性能 LSI™ SAS RoC 旨在支持 PCI-SIG® 目前......
東京大學宣布已經開發出一種可彎曲的快閃記憶體，這種記憶體完全由有機材料打造，額定讀取和擦除電壓分別為1V和6V，可惜的是壽命不長，數據只能被寫入和擦除超過1000次左右。 這種存儲器的用途廣泛，可以用于大面積的......
爾必達公司近日宣布完成了基于其新65nm XS(extra-shink)制程1Gb DDR3內存芯片產品的開發工作，并稱使用這種新制程技術制作出的內存芯片在制作成本方面要比現有的50nm制程內存芯片更低。當應用在30......
日刊工業新聞報導，由于擴展應用范圍及降低成本不易，爾必達(Elpida)計劃停止研發相位變化隨機存取存儲器 (PRAM)。 爾必達監于30納米技術已是DRAM產品細微化的技術極限，遂轉而研發PRAM，甚至已送樣......
日本電腦芯片大廠Elpida Memory Inc. 預期芯片將出現短缺潮，因而計劃在明年4月起的財年中，增加其資本支出。 爾必達社長兼執行長坂本幸雄周二在記者會上表示，爾必達下一個財年的資本支出可能將自本財年......
非易失性存儲器(NVM)在半導體市場占有重要的一席之地，特別是主要用于手機和其它便攜電子設備的閃存芯片。今后幾年便攜電子系統對非易失性存儲器的要求更高，數據存儲應用需要寫入速度極快的高密度存儲器，而代碼執行應用則要求......
三星電子今天宣布將重組公司業務結構，同時任命崔志成(Choi Gee-sung)為首席執行官、任命前董事長李健熙的兒子李在镕(Jay Y. Lee)為公司首席運營官。 三星電子宣布，將把原來的“配件......
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