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8月6日消息，在近日的財報電話會議上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二臺價值3.83億美元的High NA EUV（極紫外光刻機）。High NA EUV光刻機是目前世界上最先進的芯片制造設備之一，其分辨率達到8......
8月7日消息，Intel即將發布第二代酷睿Ultra處理器，包括低功耗的Lunar Lake(9月4日0點)、高性能的Arrow Lake(10月K系列其他明年CES)，現在又公布了后續第三代酷睿Ultra Lunar ......
英特爾正接收ASML第二臺耗資3.5億歐元（約3.83億美元）的新High NA EUV設備。根據英特爾8/1財報電話會議紀錄，CEO Pat Gelsinger表示，英特爾12月開始接收第一臺大型設備，安裝時間需要數月......
EDA 領域發生變革以來，已經過去了數十年，但人工智能可能會改變半導體開發流程，并迫使芯片設計發生變化。......
自動緩解熱問題成為異構設計中的首要任務。......
三星芯片良率不佳，先前爆出三星在試產Exynos 2500處理器時，最后統計出的良率竟為0%。新任芯片主管全永鉉（Jun Young-hyun） 在執掌芯片事業的幾個月后，向員工示警需停止隱瞞或回避問題，如果不改變將出現......
據媒體報道，根據SEMI旗下的Silicon Manufacturers Group (SMG)發布的硅晶圓季度分析報告，2024年第二季度全球硅晶圓出貨量環比增長7.1%，達到3035百萬平方英寸（MSI），但與去......
據科技日報報道稱，日本沖繩科學技術大學院大學（OIST）官網最新報告，該校設計了一種極紫外（EUV）光刻技術，超越了半導體制造業的標準界限。基于此設計的光刻設備可采用更小的EUV光源，其功耗還不到傳統EUV光刻機的十分之......
近期，半導體晶圓代工市場可謂是“喜事連連”。一方面，英特爾、三星、聯電等廠商紛紛公布財報顯示，晶圓代工業務迎來利好；另一方面，臺積電、世界先進的對外增資案也獲得批準。多家廠商代工業績表現亮眼當地時間8月1日，英特爾公布2......
作為一種新興的超寬禁帶半導體材料，氧化鎵具備大禁帶寬度（4.8eV）、高臨界擊穿場強（8MV/cm）和良好的導通特性，與碳化硅和氮化鎵相比，氧化鎵在大功率和高頻率應用中具有優勢，且導通電阻更低，損耗更小。目前，中國、日本......
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