久久ER99热精品一区二区-久久精品99国产精品日本-久久精品免费一区二区三区-久久综合九色综合欧美狠狠

新聞中心

EEPW首頁 > 光電顯示 > 設計應用 > 基于反激拓撲結構的隔離高恒流精度LED驅動技術

基于反激拓撲結構的隔離高恒流精度LED驅動技術

作者: 時間:2013-11-22 來源:網絡 收藏

本文敘述了隔離恒流控制技術的發展,討論控制策略實現恒流的原理的發展,本文提到的所有隔離恒流驅動全部基于Flyback(反激)

本文引用地址:http://www.cqxgywz.com/article/222045.htm

第一代隔離恒流

最初的隔離恒流驅動技術稱為SSR(Secondary Side Regulation),是利用高頻變壓器進行原邊、副邊隔離,并用光耦將副邊的輸出電流信號反饋到原邊,提供給控制芯片,芯片控制輸出PWM占空比,從而起到CV(Constant Voltage)和CC(Constant Current)的作用。因為副邊可以使用高精度電壓基準,并有實時的負反饋,所以此類是一種閉環的恒流控制方法,可實現較高的恒流精度。SSR技術統治市場許多年,但光耦及其周邊線路使電路變得復雜,隨著市場發展,對于隔離提出了新的要求。成本、體積是主要考量因素。

第二代隔離恒流驅動技術:

最近10年,一種AC/DC技術被廣泛應用,這就是我們常說的PSR(Primary Side Regulation),PSR技術用原邊采樣和控制來代替副邊采樣和原邊控制,與第一代SSR相比,最大優勢是省略了光耦、副邊電流檢測外圍器件和電壓基準芯片431。這是一種革命性的進步,因為這種技術節省了系統板上的空間,降低了成本的同時,提高了系統可靠性,對于手機充電器以及驅動電源這樣對體積要求很高的市場有很深廣的影響。輸出電流推算公式如下:

Ipk=Vcs/Rcs;

Ipks=N*Ipk;

Io=[Tons/(2*Tsw)]*Ipks

=(N*Tons*Vcs)/(2*Tsw*Rcs);

Ipk:原邊峰值電流

Ipks:副邊峰值電流

Io:輸出電流平均值

Tons:副邊續流二極管導通時間

Tsw:開關周期

Vcs:芯片檢流腳內設峰值比較電平

Rcs:原邊電流檢測電阻

從上面的公式,我們知道,只要芯片內部固定一個峰值比較電平VCS,電源系統固定匝比N,芯片檢測副邊續流二極管續流過零點,并固定Tons/TSW,即可保證Io固定。PSR技術相比SSR的主要優點是大大的簡化線路,但這是一種開環的恒流控制方法,所以恒流精度無法和SSR方法匹敵。

第二代PSR隔離恒流驅動技術,如果要實現高精度恒流,有一些技術難點,如下:

1.輸出電流Io和副邊D’有關,需要芯片內部精確設定比例,對于大批量生產的芯片,做到高精確性有一些難度。

2.Is過零點真實檢測。目前做過零點檢測用的辦法是“不過零先檢測+延時”來實現,也就是在芯片即將過零前設置比較電平。這也是不精確的。

3.Is與Ip有關,如果沒有閉環的Ip檢測,如何實現精確電流控制?

PSR從理論上講是一種開環的控制技術,開環的電流控制,無法做到閉環那樣的電流精度以及動態響應。從發展上看,依然并不是一種終極方案,是降低成本、犧牲性能的過渡方案。



評論


相關推薦

技術專區

關閉