據“太倉發布”公眾號消息，4月8日，三菲化合物半導體光芯片制造基地項目簽約落戶城廂鎮。項目計劃總投資20億元，其中，一期項目總投資10億元，建成后將有力助推區域產業能級提升、未來產業發展。

據悉，項目主要從事InP激光器和光電探測器芯片、GaAs激光器芯片的研發與制造，打造外延生長、光芯片制造、光電融合一體化產業鏈。一期項目預計今年8月開工建設、2028年投產運營，達產后可實現年產值超10億元。