若新提案正式立法，中國芯片制造商將無法采購用于成熟制程晶圓廠的先進設備。

美國兩黨多名參議員聯合提出一項新法案，擬近乎全面禁止向敵對國家特定實體出口先進晶圓制造設備（WFE），該法規將補充現有以晶圓廠為目標的禁令。一旦生效，長鑫存儲（CXMT）、華虹（HLMC）、中芯國際（SMIC）、長江存儲（YMTC）等中國頭部芯片企業，將無法為成熟制程工廠采購先進設備，也不能將其轉用于先進制程產線。

提案原文稱：包括長鑫存儲、華虹、華為、中芯國際、長江存儲在內的部分實體，正致力于生產先進制程集成電路，這些芯片對中國軍民融合戰略至關重要，因此有必要實施全面出口管制，阻止這些企業獲取采用美國技術制造的產品。

美國政府早在 2021 年底就已限制向中國等潛在對手出售先進晶圓制造設備。根據現行管制規則，美國企業及后續荷蘭、日本等盟國企業，向中國實體出口可用于14nm 邏輯芯片、18nm 級 DRAM、128 層及以上 NAND生產的晶圓制造設備時，必須獲得美國政府出口許可證。新提案并未新增管制品類，而是改變設備許可發放方式。

當前出口管制針對具體晶圓廠（無論是否被美國列入黑名單），而非擁有這些晶圓廠的企業實體。這意味著，設備廠商可向中芯國際等公司出口 ASML Twinscan NXT:1950i/1980Di 等先進機型（可升級至受制裁的 5nm 級別 NXT:2000i），只要這些設備不用于先進制程即可。但由于中國芯片企業與相關部門不配合核查，監控設備實際用途難度極大。而這些先進設備確實被用于中芯國際 N+1、N+2 等 7nm 級芯片生產。

新提案《MATCH 法案》將出口管制從以廠為單位轉向以企業（及關聯方）為核心的混合模式，同時保留晶圓廠觸發機制。如此一來，中芯國際等企業將無法先為成熟制程工廠采購先進設備，再轉用于 7nm 級先進制程產線。

此外，《MATCH 法案》旨在推動全球半導體設備出口管制統一口徑。美國將先與荷蘭、日本、韓國、中國臺灣等設備供應方協調；若協調失敗，美國將擴大域外管制，覆蓋任何含美國技術（比例＞0%）或依賴美國技術維護的外國制造設備，最終封堵現有管制漏洞。

關注美國先進晶圓設備管制的讀者可能會問：受制裁中國實體能否通過非制裁中間商獲取高端設備？據本文分析，盡管中間商理論上可非法獲取并轉售設備，但《MATCH 法案》明確禁止通過中間商規避管制，出口管制覆蓋最終用途、最終用戶、再出口及維護全鏈條。通過第三方轉道設備不僅無法繞過限制，還會導致所有相關方失去未來先進設備采購權及現有設備維護服務，最終讓設備逐步報廢。

該法案雖無法徹底杜絕小規模設備泄露、一次性轉用或黑市交易，但旨在切斷中國實體當前用于建設、維護頂級晶圓廠的穩定供應鏈。

最后，《MATCH 法案》引入75% 自給率閾值作為自動校準機制，僅對中國無法自主生產的真正技術瓶頸實施管制。例如：若中國某類設備（刻蝕、沉積設備等）自給率達 75%，美國政府將不再限制對華出口。新法案思路是：僅在具備戰略優勢時實施管制，中國本土替代形成規模后即放寬限制。這對泛林、應用材料等美國刻蝕 / 沉積設備廠商至關重要 —— 目前它們仍領先中微公司、北方華創等中國企業，但后者已具備國際一流水平；一旦中國廠商形成規模，美國企業將失去中國市場戰略地位，美國政府也將停止管制相關設備出口。