兩大關鍵突破推動全彩Micro LED微顯示技術加速落地
隨著 AR/VR 設備需求持續攀升,Micro LED 微顯示技術正加速從實驗室研發走向商業化落地。一方面,芯片尺寸逼近亞微米級,對工藝與材料提出更高要求;另一方面,量子點色轉換、RGB 垂直堆疊等全彩技術持續取得進展。近期,歐洲產業界與學術界雙雙傳來新突破,有望進一步加速全彩 Micro LED 微顯示技術落地。
產業動態:Polar Light 推進雙色 Micro LED 微顯示項目
瑞典 Micro LED 企業 Polar Light Technologies 近日聯合芯片鍵合廠商 Finetech,獲歐盟 Eurostars 項目 110 萬歐元資金支持,共同推進名為 “2ndGenMicroLED” 的項目,項目周期 18 個月,旨在通過先進工藝技術開發更高集成度的雙色 Micro LED 微顯示原型機。
該項目中,Polar Light 將采用其自研的自下而上掩膜沉積工藝開發雙色 Micro LED 器件,相較傳統外延 + 刻蝕方案,該工藝在納米級尺寸控制與材料利用率上更具優勢;Finetech 則提供高精度芯片鍵合方案,助力芯片高效集成。
Polar Light 自 2014 年起布局單片全彩技術,認定氮化銦鎵(InGaN)基金字塔型 Micro LED 結構為優選方案。2025 年 5 月,公司發布首款 Micro LED 微顯示原型機,此后持續優化器件尺寸與發光性能。
2026 年初,Polar Light 成功制備出500 納米及以下尺寸的 InGaN LED 器件,為目前公開報道的最小尺寸 LED。公司計劃 2026 年推出首批商用產品,先聚焦單色 Micro LED 微顯示,再逐步拓展至多色、全彩方案。
融資方面,Polar Light 獲市場持續認可:2026 年 1 月完成超 500 萬歐元新一輪融資,累計融資達 1300 萬歐元。公司計劃 2026 年第四季度啟動單色綠色顯示屏中試線,基于 CMOS 基板,采用自研 5 微米無刻蝕金字塔型 Micro LED 結構制備器件;同時持續推進單片全彩技術路線,目標 2028 年推出全彩產品,這與集邦咨詢預測一致 —— 全彩 LEDoS 器件將于 2027-2028 年步入成熟商用階段,疊加 AR 智能眼鏡需求高速增長,市場潛力巨大。
科研突破:CEA-Leti 攻克亞微米 Micro LED 色轉換難題
材料領域,法國科研機構 CEA-Leti 取得關鍵進展:采用脈沖激光沉積(PLD)技術,成功研發綠光、紅光鈣鈦礦薄膜色轉換層(CCL),為高分辨率微顯示開辟新路徑。
當前量子點(QD)廣泛用于 Micro LED 色轉換,但吸收率偏低,需 3-10 微米厚度才能實現有效轉換,成為像素尺寸持續縮小的核心瓶頸。
為此,CEA-Leti 選用無機鹵化物鈣鈦礦材料 —— 綠光用 CsPbBr?、紅光用 CsPbI?Br,通過脈沖激光沉積技術,在室溫下于 200 毫米晶圓上實現均勻沉積。該類材料具備直接帶隙、高吸收系數(約 10?cm?1)、窄發射半高寬(綠光 516nm 處 17nm,紅光 640nm 處 31nm)等優勢。
該鈣鈦礦色轉換層在 450nm 波長下吸收系數最高達6.4×10?cm?1,是磷化銦(InP)量子點的數倍至 20 倍;僅需 500 納米(綠光)、360 納米(紅光)薄膜厚度,即可實現約 90% 藍光吸收,大幅降低厚度要求,適配像素間距低于 1 微米的 Micro LED 設計。
搭配濾光片使用時,該方案理論可覆蓋約 90% 的 Rec.2020 色域,接近高端顯示標準;且鈣鈦礦成分可調,可進一步優化發光波長。
初步測試顯示,在 0.06-715W/cm2 激發功率密度范圍內,CsPbBr?薄膜的發光波長與半高寬保持穩定,遠超 AR/MR 應用所需亮度水平(通常約 1W/cm2 對應 10 萬尼特),具備高亮應用潛力,但長期穩定性仍需進一步驗證。
結論
Polar Light 與 CEA-Leti 的最新進展,分別從制造工藝、材料創新兩大維度,為全彩 Micro LED 微顯示技術提供新路徑。未來,隨著全球供應鏈持續發力、終端品牌推動,核心技術逐步成熟、成本持續優化,Micro LED 微顯示有望加速從驗證階段邁向規模化商用。












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