在 2026 年英偉達 GTC 大會上，英特爾有望為英偉達下一代費曼系列 GPU 提供先進封裝服務的消息引發行業熱議，其嵌入式多芯片互連橋接（EMIB）技術及馬來西亞基地的擴建計劃也因此備受關注。據《馬來西亞邊緣報》消息，英特爾位于馬來西亞的先進封裝基地及封裝測試產線將于2026 年下半年正式投產。

該報道援引馬來西亞總理安華?易卜拉欣的社交媒體發文稱，其已聽取英特爾首席執行官陳立武及其團隊關于公司在馬擴建計劃最新進展的工作匯報。報道還指出，英特爾晶圓代工事業部執行副總裁兼總經理納加?錢德拉塞卡蘭已明確基地一期規劃，將率先落地先進封裝的封裝、測試產能。

科技動力網此前曾報道，2025 年底英特爾馬來西亞“塘鵝計劃”先進封裝基地已正式進入建設收尾階段，項目整體完工率達 99%，英特爾還追加 2 億美元投資用于基地最終落成。值得一提的是，該基地將承接芯片晶圓分選、預處理等工序，同時支持 EMIB 和 Foveros 兩種先進封裝工藝，能夠更快響應客戶的產能與技術需求。

英特爾也正聯合長期合作的封測代工廠安靠科技，持續擴大 EMIB 技術的產能。韓國電子時報早前報道稱，英特爾已在安靠科技韓國松島 K5 工廠落地其 EMIB 先進封裝技術。

據韓國電子時報介紹，EMIB（嵌入式多芯片互連橋接）是一種實現多半導體芯片互連的 2.5D 先進封裝技術。與英偉達 AI 加速器所采用的傳統硅中介層不同 —— 傳統硅中介層成本高昂，EMIB 技術將硅橋直接嵌入芯片基板，為實現高精度 2.5D 封裝提供了更經濟、更高效的解決方案。

英特爾 EMIB 封裝技術迎來多重升級

韓國電子時報最新報道顯示，英特爾的 EMIB 封裝技術即將實現跨越式升級，首款升級產品將瞄準120×120 毫米的封裝尺寸 —— 相較于目前英偉達黑晶系列等最新 AI 芯片所采用的 100×100 毫米行業標準尺寸，這一升級標志著英特爾在先進半導體設計領域的重大突破。

報道還指出，英特爾計劃為這款 120×120 毫米的封裝產品配備至少 12 層高帶寬內存（HBM）堆疊，而傳統 100×100 毫米封裝的標配僅為 8 層。英特爾的布局還不止于此，其已制定長期規劃，計劃在 2028 年前推出更大尺寸的120×180 毫米封裝產品，該規格可支持最多 24 層 HBM 堆疊，內存擴展能力大幅提升。

值得關注的是，韓國電子時報提到，英特爾于 2025 年推出了融合硅通孔（TSV）技術的增強版 EMIB-T 封裝方案，目前正針對該技術進行優化升級，使其能夠適配存儲廠商正加速量產的下一代 HBM4 高帶寬內存。

但報道也指出，英特爾的技術升級仍面臨諸多挑戰：更大的封裝尺寸雖能集成更多 GPU、CPU 及 HBM 內存等芯片組件，卻也會加劇制造難度，導致芯片翹曲風險上升、生產良率受損。