【EEPW 電子產品世界 訊】在摩爾定律逼近物理極限、全球科技競爭加劇的背景下，芯片制造正不斷向更高精度與更高效率邁進。近日，中國與美國團隊分別在光刻技術與計算架構領域取得重要進展，為半導體行業注入新的活力。

中國科學院實現193nm固態深紫外激光器

來自中國科學院的一項最新研究成功開發出可發射193納米波長光的固態深紫外（DUV）激光器，這一波段是先進芯片光刻的關鍵技術。目前，商用光刻系統普遍采用氟化氬（ArF）準分子激光器作為光源，存在體積大、系統復雜和運維成本高等問題。

與之相比，固態激光器結構緊湊、穩定性更高、能效更好。研究團隊通過Yb:YAG晶體放大器生成1030納米激光，再通過非線性光學過程實現波長壓縮，最終輸出193納米波段的深紫外激光。盡管目前實驗裝置的輸出功率為70毫瓦，遠低于商用系統，但其光譜純度和穩定性已達到較高水平。未來隨著功率放大與技術迭代，該光源有望成為下一代光刻設備的有力候選。

Extropic發布熱力學計算芯片，挑戰傳統與量子架構

與此同時，美國初創公司Extropic推出了全球首款基于“熱力學計算”架構的芯片原型。該架構由前Google量子人工智能團隊成員Guillaume Verdon提出，核心理念是通過利用熱漲落（通常被認為是噪聲）來執行計算任務，形成可控的“概率位”（p-bit），進行高效的概率模擬。

與試圖屏蔽熱干擾的傳統計算不同，熱力學計算反其道而行，將漲落作為驅動力，尤其適用于人工智能、金融模擬、蛋白質折疊等復雜優化問題。此外，該芯片基于常規硅材料制造，無需像量子計算那樣依賴超低溫和特殊材料，使其在成本、功耗和工程可實現性方面更具優勢。

Extropic計劃于2025年推出首批商用芯片，目標是挑戰當前AI加速器主導者NVIDIA，提供一條新的高效計算路徑。

從制造到架構：芯片創新加速落地

這兩項來自不同領域的技術創新，分別代表了芯片制造鏈條的兩個關鍵維度：一是通過激光器創新提升光刻工藝精度與靈活性，二是通過計算架構創新顛覆傳統馮諾依曼體系。在全球半導體產業變革關鍵期，這類跨領域技術的突破不僅增強了技術多樣性，也為行業帶來了新的增長引擎。

EEPW將持續關注該類前沿技術的研究進展與產業化動態，為電子工程師與研發人員提供權威、深入的技術資訊。