英特爾公布了在2013年將14納米制程技術應用于制造中央處理器以及SoCs的計劃，以及計劃在2015年研發10納米及其以下的制程技術。

　　在舊金山舉行的英特爾信息技術峰會，公司高級研究員MarkBohr表示技術路標展示了因特爾在半導體制造工藝技術上始終處于行業領頭的地位。

　　英特爾公布了即將到來的代號為P1272andP1273的14納米制程技術，其準備于2013年投產。供應商宣稱將將在三個州生產測試上述產品。

　　英特爾先前確認對上述三種fab投資以應用于14納米及更低的制程技術。

　　此外，英特爾宣稱對10納米，7納米，5納米制程技術的研究將開始于2015年。

　　2011年5月，英特爾宣稱其三維三柵級晶體管取得了突破性的進展，能夠使芯片以低電壓較少泄漏量的情況下工作，與老式的晶體管相比在表現性能和能源利用率方面提高了很多。新型的晶體管已應用于第三代酷睿i系列處理器于2011年底大批量生產。