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前面論述了電荷在半導體中的運動機制,即電流。
那么半導體中的電荷從何而來,又到哪里去呢?
我們可以將其理解為某個特定部落的人口問題,在這個部落,人口統計只計算單身人口,夫妻不計入統計范圍內。某天突然多出了幾個人,那么這幾個人的來歷只可能有兩種,一是外來人口(假設都是單身),二是內部降生新生兒。同理于電荷:要么由外部流入,要么由內部產生。
那么電荷的歸宿也只有兩種,要么內部復合消失(成為夫妻,不計入統計范圍),要么流出到外部(外出)。我們用下圖模型表示。

?暫不考慮其他因素計算電荷變化率。
電荷變化率能幫助我們了解特定空間內電荷的產生和消失狀況。電荷(以電子為例)的流入和流出就是電流,那么電流在一維X方向所引起的電荷變化率為:

其中,dn?dx為在dx范圍內的電荷變化,單位時間的電荷變化為電荷變化率。
Jn(x)為流入電流,Jn(x+dx)為流出電流。電流密度的定義是單位時間通過單位面積的電荷總量,所以電流密度除以電荷單位就是單位時間內變化的電荷數量。
對于絕對理想的半導體模型而言,上式是成立的(即僅計算外部流入人口和流出人口),但實際上半導體內部因為本征激發會自發地產生自有電荷(新生兒的誕生),同時因為材料中的雜質、缺陷等,自由電荷也會有壽命,即“復合”(聯姻),所以上述公式并不能用于表征實際半導體內部的電荷變化情況。
既然出現了不確定因素,那我們就需要搞清楚這個不確定因素是如何出現的,即電荷為何會自發產生,又為何為自發復合。
?首先來看為什么會電荷會自發地產生。
若要嚴謹地推導電荷產生的過程,需要固體物理和量子力學的基本知識,嚴格求解薛定諤方程,過程會比較晦澀,教科書上都能找到詳細推導過程。但若完全脫離這些基礎,又難以講清來龍去脈。這里嘗試將其、中比較關鍵的物理概念以及他們的邏輯關系提煉出來,以便讀者理解。
基本邏輯是:自由空間的電子→周期空間的電子→能帶(導帶&價帶)→費米分布→電子態密度→電子濃度,此次先講自由空間的電子和周期空間的電子。
首先,微觀粒子具有波粒二象性,這是大家熟知的,因此電子的運動狀態可以用波函數來表示。
我們想象在一維空間中(只有x方向)有兩種處于不同環境的電子,一是處于自由空間的電子,傳輸過程中沒有任何邊界;二是處于周期排布空間的電子(晶體材料的原子都是周期排布)。
由于測不準原理(位置和速度不能同時為確定值),兩種環境中的電子在某個x位置只能以存在概率來表達,那么自由空間和周期排布空間的電子的存在概率分別如何呢?
①對于自由空間中的電子,其電子波函數表達式為:

其中,
,物理名稱為“波矢”,也就是代表了電子波函數的傳播方向,λ為電子波函數的波長。
用以表示電子出現在x位置的概率,![]()
,A為振幅。對于自由空間的電子波函數,A為常數,所以電子在自由空間中各個位置出現的概率相同,也就是說電子在自由空間可以自由運動。

②對于處于周期排布空間的電子,假設周期為a, an=n?a,那么其波函數也相應為周期性,可表達為:

注意,電子在每個周期a內的波函數![]()
受
調制,而A(x)不是常數,所以電子在一個周期內各位置出現的概率不同,但電子在不同周期之間的相對位置卻是重復的。
將x=x+an帶入,我們發現周期性電子波函數成立的必要條件是
![]()
。

對比自由空間電荷的波矢k和周期性空間的波矢kn,可以發現,周期性空間導致波矢出現了離散化。(需要注意的是,兩種空間的波矢k物理意義有所不同,前者表示的單個電子波函數,而后者描述的是一個周期內的波函數)。
由于k的離散化,電子的能量隨k的變化也會發生離散化。量子力學對微觀粒子的能量表達式為:

其中
,h為普朗克常數。(將?(x)表達式代入薛定諤方程就可得出,在此不做贅述)。因此自由電子能量E與波矢k成拋物線關系,是連續分布的,如下圖所示。

而將拋物線的k坐標離散化kn,就會將連續E曲線離散為能級,且能級在每個周期內聚集,周期交接處會出現間隙,如下圖所示。

半導體物理中就將聚集的能級稱為能帶,即電子可以存在的地方;而周期交接處的間隙稱為禁帶,即電子不能存在的地方。
文末總結
1.理想狀態下電流在一維X方向所引起的電荷變化率:

2.非理想狀態下,存在電荷自發產生和自發復合的現象,因此提出“電荷為何會自發產生”的問題。
3.解答問題的第一步:分析自由空間和周期排布空間的電子的存在概率。
4.得到結論:自由空間中電子在各個位置出現的概率相同;周期排布空間中電子在一個周期內各位置出現的概率不同,但在不同周期之間的相對位置相同。
5.通過對比自由空間電荷的波矢k和周期性空間的波矢kn,發現周期空間內電子的能量隨k的變化發生離散化,進而引出能帶和禁帶的基本概念。
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