10月17日，國電南瑞科技股份有限公司（以下簡稱“國電南瑞”）發布公告稱，擬與國家電網有限公司（以下簡稱“國網公司”）下屬科研單位全球能源互聯網研究院有限公司（以下簡稱“聯研院”）共同投資設立南瑞聯研功率半導體有限責任公司（以工商部門核準名稱為準，以下簡稱“合資公司”），由該合資公司實施IGBT模塊產業化項目的部分投資。

公告指出，國電南瑞擬以IGBT模塊產業化項目的部分募集資金55,864.45萬元出資，占合資公司69.8305625%股權，聯研院以技術作價出資24,135.55萬元（該出資技術的評估值已經國有資產管理單位備案），占合資公司30.17%股權。涉及變更實施主體的計劃投資額55,864.45萬元，占IGBT模塊產業化項目投資額的33.98%，占公司募集資金總籌資額的9.15%，相關募集資金用途、建設內容、地點等不變。

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是國家產業政策重點支持發展的功率半導體器件，技術難度大、研發及產線建設周期長、資金投入大,核心技術一直被國外企業壟斷，目前國內高端人才缺乏，國內僅有少量廠商開展高壓IGBT研制業務。聯研院是國家電網公司直屬科研單位，國內首家專業從事全球能源互聯網關鍵技術和設備開發的高端科研機構。

聯研院于2010年開始研究功率半導體器件，擁有100多人的技術團隊和先進的功率器件中試線，是國內少數掌握高壓IGBT芯片設計技術的單位之一。在功率半導體器件領域，聯研院承擔國家科技重大專項（02專項）“國產高壓大功率IGBT模塊電力系統應用工程”等攻關任務，自主研發了1200V至4500V系列IGBT、FRD芯片及器件，其中3300V/1500A壓接式和焊接式IGBT器件，掌握成套的設計、制備等核心技術，打破了國外技術壟斷，成功研制1200V至6500V碳化硅二極管樣品，實現了新一代電力電子器件的重大創新突破。

國電南瑞指出，通過與聯研院合作，有利于公司降低IGBT等功率器件技術研發及產品批量化生產的風險，保障中低壓、加快高壓IGBT等功率半導體芯片及模塊研制和產業化進程。為加快公司產業鏈延伸和產業升級，增強企業核心競爭力，提高公司募集資金使用效率和效果，降低公司募投項目投資風險，公司擬以“IGBT模塊產業化項目”部分募集資金出資與聯研院共同設立合資公司，并增加合資公司為該項目的實施主體。

公告顯示，經中國證券監督管理委員會《關于核準國電南瑞科技股份有限公司向南瑞集團有限公司等發行股份購買資產并募集配套資金的批復》（證監許可[2017]2224號）核準，公司以非公開發行股份方式向7名特定投資者發行了人民幣普通股381,693,558股，發行價格為15.99元/股，本次發行募集資金總額為61.03億元元，扣除各項發行費用83,23.94萬元，實際募集資金凈額為60.2億元。上述募集資金已于2018年4月8日全部到位。

“IGBT模塊產業化項目”是上述募集資金投資項目之一，根據原計劃，“IGBT模塊產業化項目”全部由國電南瑞母公司實施，項目投資總額為164,388萬元，項目建設期42個月，項目投產后第7年達到本項目預計的生產能力。截止2019年8月31日，該項目已累計使用募集資金2,370.53萬元，占總投資1.44%，剩余募集資金162,017.47萬元（不含利息）。

公告指出，公司本次擬增加“IGBT模塊產業化項目”的實施主體，以計劃用于該項目設備投資的部分募集資金出資，與聯研院以技術作價出資共同投資設立合資公司，即由該合資公司實施IGBT模塊產業化項目的部分投資。涉及變更實施主體的計劃投資額為55864.45萬元，占“IGBT模塊產業化項目”投資額的33.98%，占公司募集資金總籌資額的9.15%，相關募集資金用途、建設內容、地點等不變。

國電南瑞表示，本次交易有利于募集資金投資項目的運作和實施、提高募集資金的使用效率、加快募集資金投資項目的實施進度。

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